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正文內(nèi)容

單片機溫度控制系統(tǒng)溫度傳感與溫度過程的控制畢業(yè)論文(編輯修改稿)

2025-07-24 15:43 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡介】 令→發(fā)存儲器操作命令→處理數(shù)據(jù)。3 DS18B20溫度傳感器簡介 溫度傳感器的歷史及簡介溫度的測量是從金屬(物質(zhì))的熱脹冷縮開始。水銀溫度計至今仍是各種溫度測量的計量標(biāo)準(zhǔn)??墒撬娜秉c是只能近距離觀測,而且水銀有毒,玻璃管易碎。代替水銀的有酒精溫度計和金屬簧片溫度計,它們雖然沒有毒性,但測量精度很低,只能作為一個概略指示。不過在居民住宅中使用已可滿足要求。在工業(yè)生產(chǎn)和實驗研究中為了配合遠傳儀表指示,出現(xiàn)了許多不同的溫度檢測方法,常用的有電阻式、熱電偶式、PN結(jié)型、輻射型、光纖式及石英諧振型等。它們都是基于溫度變化引起其物理參數(shù)(如電阻值,熱電勢等)的變化的原理。隨著大規(guī)模集成電路工藝的提高,出現(xiàn)了多種集成的數(shù)字化溫度傳感器。 DS18B20的工作原理 DS18B20工作時序根據(jù)DS18B20的通訊協(xié)議,主機控制DS18B20完成溫度轉(zhuǎn)換必須經(jīng)過三個步驟:1. 每一次讀寫之前都必須要對DS18B20進行復(fù)位;2. 復(fù)位成功后發(fā)送一條ROM指令;3. 最后發(fā)送RAM指令,這樣才能對DS18B20進行預(yù)定的操作。復(fù)位要求主CPU將數(shù)據(jù)線下拉500微秒,然后釋放,DS18B20收到信號后等待15~60微秒左右后發(fā)出60~240微秒的存在低脈沖,主CPU收到此信號表示復(fù)位成功。其工作時序包括初始化時序、寫時序和讀時序,。(1) 初始化時序 圖3-1 初始化時序總線上的所有傳輸過程都是以初始化開始的,主機響應(yīng)應(yīng)答脈沖。應(yīng)答脈沖使主機知道,總線上有從機設(shè)備,且準(zhǔn)備就緒。主機輸出低電平,保持低電平時間至少480us,以產(chǎn)生復(fù)位脈沖。接著主機釋放總線,延時15~60us,并進入接受模式,以產(chǎn)生低電平應(yīng)答脈沖,若為低電平,再延時480us[12]。(2) 寫時序圖3-2 寫時序 寫時序包括寫0時序和寫1時序。所有寫時序至少需要60us,且在2次獨立的寫時序之間至少需要1us的恢復(fù)時間,都是以總線拉低開始。寫1時序,主機輸出低電平,延時2us,然后釋放總線,延時60us。寫0時序,主機輸出低電平,延時60us,然后釋放總線,延時2us[8]。(3) 讀時序 圖3-3 讀時序總線器件僅在主機發(fā)出讀時序是,才向主機傳輸數(shù)據(jù),所以,在主機發(fā)出讀數(shù)據(jù)命令后,必須馬上產(chǎn)生讀時序,以便從機能夠傳輸數(shù)據(jù)。所有讀時序至少需要60us,且在2次獨立的讀時序之間至少需要1us的恢復(fù)時間。每個讀時序都由主機發(fā)起,至少拉低總線1us。主機在讀時序期間必須釋放總線,并且在時序起始后的15us之內(nèi)采樣總線狀態(tài)。主機輸出低電平延時2us,然后主機轉(zhuǎn)入輸入模式延時12us,然后讀取總線當(dāng)前電平,然后延時50us[4] ROM操作命令當(dāng)主機收到DSl8B20 的響應(yīng)信號后,便可以發(fā)出ROM 操作命令之一,:ROM操作命令。 DS18B20的測溫原理 DS18B20的測溫原理:每一片DSl8B20在其ROM中都存有其唯一的48位序列號,在出廠前已寫入片內(nèi)ROM 中。主機在進入操作程序前必須用讀ROM(33H)命令將該DSl8B20的序列號讀出。程序可以先跳過ROM,啟動所有DSl8B20進行溫度變換,之后通過匹配ROM,再逐一地讀回每個DSl8B20的溫度數(shù)據(jù)。,圖中低溫度系數(shù)晶振的振蕩頻率受溫度的影響很小,用于產(chǎn)生固定頻率的脈沖信號送給減法計數(shù)器1,高溫度系數(shù)晶振隨溫度變化其震蕩頻率明顯改變,所產(chǎn)生的信號作為減法計數(shù)器2的脈沖輸入,圖中還隱含著計數(shù)門,當(dāng)計數(shù)門打開時,DS18B20就對低溫度系數(shù)振蕩器產(chǎn)生的時鐘脈沖后進行計數(shù),進而完成溫度測量。計數(shù)門的開啟時間由高溫度系數(shù)振蕩器來決定,每次測量前,首先將55 ℃所對應(yīng)的基數(shù)分別置入減法計數(shù)器1和溫度寄存器中,減法計數(shù)器1和溫度寄存器被預(yù)置在55 ℃所對應(yīng)的一個基數(shù)值。減法計數(shù)器1對低溫度系數(shù)晶振產(chǎn)生的脈沖信號進行減法計數(shù),當(dāng)減法計數(shù)器1的預(yù)置值減到0時溫度寄存器的值將加1,減法計數(shù)器1的預(yù)置將重新被裝入,減法計數(shù)器1重新開始對低溫度系數(shù)晶振產(chǎn)生的脈沖信號進行計數(shù),如此循環(huán)直到減法計數(shù)器2計數(shù)到0時,停止溫度寄存器值的累加,此時溫度寄存器中的數(shù)值即為所測溫度。,其輸出用于修正減法計數(shù)器的預(yù)置值,只要計數(shù)門仍未關(guān)閉就重復(fù)上述過程,直至溫度寄存器值達到被測溫度值. 表3-1 ROM操作命令指令約定代碼功 能讀ROM33H讀DS18B20 ROM中的編碼符合ROM55H發(fā)出此命令之后,接著發(fā)出64位ROM編碼,訪問單線總線上與該編碼相對應(yīng)的DS18B20 使之作出響應(yīng),為下一步對該DS18B20的讀寫作準(zhǔn)備搜索ROM0F0H用于確定掛接在同一總線上DS18B20的個數(shù)和識別64位ROM地址,為操作各器件作好準(zhǔn)備跳過ROM0CCH忽略64位ROM地址,直接向DS18B20發(fā)溫度變換命令,適用于單片工作。續(xù)表3-1告警搜索命 令0ECH執(zhí)行后,只有溫度超過設(shè)定值上限或者下限的片子才做出響應(yīng)溫度變換44H啟動DS18B20進行溫度轉(zhuǎn)換,轉(zhuǎn)換時間最長為500MS,結(jié)果存入內(nèi)部9字節(jié)RAM中讀暫存器0BEH讀內(nèi)部RAM中9字節(jié)的內(nèi)容寫暫存器4EH發(fā)出向內(nèi)部RAM的第3,4字節(jié)寫上、下限溫度數(shù)據(jù)命令,緊跟讀命令之后,是傳送兩字節(jié)的數(shù)據(jù)復(fù)制暫存器48H將E2PRAM中第3,4字節(jié)內(nèi)容復(fù)制到E2PRAM中重調(diào)E2PRAM0BBH將E2PRAM中內(nèi)容恢復(fù)到RAM中的第3,4字節(jié)讀 供 電方 式0B4H讀DS18B20的供電模式,寄生供電時DS18B20發(fā)送“0”,外接電源供電DS18B20發(fā)送“1” 另外,由于DS18B20單線通信功能是分時完成的,他有嚴格的時隙概念,因此讀寫時序很重要。系統(tǒng)對DS18B20的各種操作必須按協(xié)議進行。操作協(xié)議為:初始化DS18B20(發(fā)復(fù)位脈沖)→發(fā)ROM功能命令→發(fā)存儲器操作命令→處理數(shù)據(jù)。減法計數(shù)器斜坡累加器減到0減法計數(shù)器預(yù) 置低溫度系數(shù)振 蕩 器高溫度系數(shù)振 蕩 器計數(shù)比較器預(yù) 置溫度寄存器減到0圖3-4 測溫原理內(nèi)部裝置 DS18B20的測溫流程初始化DS18B20跳過ROM匹配溫度變換延時1S跳過ROM匹配讀暫存器轉(zhuǎn)換成顯示碼數(shù)碼管顯示圖3-5 DS18B20測溫流程.4 單片機接口設(shè)計 設(shè)計原則DS18B20可以采用兩種方式供電,一種是采用電源供電方式,此時DS18B20的1腳接地,2腳作為信號線,3腳接電源。另一種是寄生電源供電方式,為保證在有效的DS18B20時鐘周期內(nèi)提供足夠的電流,可用一個MOSFET管來完成對總線的上拉。本設(shè)計采用電源供電方式, 。當(dāng)DS18B20處于寫存儲器操作和溫度A/D變換操作時,總線上必須有強的上拉,上拉開啟時間最大為10 μs。采用寄生電源供電方式是VDD和GND端均接地。由于單線制只有一根線,因此發(fā)送接收口必須是三狀態(tài)的。主機控制DS18B20完成溫度轉(zhuǎn)換必須經(jīng)過3個步驟:l 初始化;l ROM操作指令;l 存儲器操作指令。 引腳連接 晶振電路單片機XIAL1和XIAL2分別接30PF的電容,
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