【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 保護(hù)部門核定的總量控制要求，按照?qǐng)?bào)告書(shū)中所列建設(shè)項(xiàng)目的性質(zhì)、規(guī)模、地點(diǎn)、采用的生產(chǎn)工藝、環(huán)境保護(hù)措施進(jìn)行項(xiàng)目建設(shè)。(廣東省下達(dá)的總量控制指標(biāo)為：%，達(dá)標(biāo)廢水、CODCr、NH3N排放量須分別控制在9494t/d、。)已落實(shí)，項(xiàng)目現(xiàn)有工程的廢水排放量為8273t/d,%，,，滿足廣東省總量控制要求。2實(shí)施雨污分流、清污分流，完善污水排放系統(tǒng)，生產(chǎn)中產(chǎn)生的含氟廢水、有機(jī)廢水、酸堿廢水及生活污水等分別在廠內(nèi)進(jìn)行預(yù)處理后，達(dá)到廣東省《水污染物排放限值》（DB44/262001）第二時(shí)段一級(jí)標(biāo)準(zhǔn)后，排入市政污水管網(wǎng)，進(jìn)入龍華污水處理廠進(jìn)一步處理。龍華污水處理廠未投入運(yùn)行前，本項(xiàng)目不得進(jìn)行生產(chǎn)。已落實(shí)。廠區(qū)內(nèi)分別建有雨水和污水管網(wǎng)，建有清洗廢水回收系統(tǒng)，龍華污水處理廠已投入運(yùn)行，項(xiàng)目產(chǎn)生的含氟廢水、有機(jī)廢水、酸堿廢水及生活污水等分別在廠內(nèi)進(jìn)行預(yù)處理，排水可達(dá)到廣東省《水污染物排放限值》（DB44/262001）第二時(shí)段一級(jí)標(biāo)準(zhǔn)。經(jīng)處理后的廢(污)水排入龍華污水處理廠進(jìn)行處理。3配合深圳市人民政府做好觀瀾河流域水源保護(hù)區(qū)調(diào)整為非飲用水源保護(hù)區(qū)的工作。為推進(jìn)本項(xiàng)目建設(shè)，建設(shè)方多次發(fā)函請(qǐng)求深圳市政府及相關(guān)單位推進(jìn)觀瀾河水源保護(hù)區(qū)屬性的調(diào)整。4生產(chǎn)中產(chǎn)生的酸堿廢氣、有機(jī)廢氣、有害廢氣及高沸點(diǎn)有機(jī)廢氣經(jīng)各自的廢氣凈化處理系統(tǒng)處理，處理后廢氣達(dá)到廣東省《大氣污染物排放限值》（DB44/272001）第二時(shí)段二級(jí)標(biāo)準(zhǔn)后，由31米高排氣管排放。氨的排放應(yīng)符合《惡臭污染物排放標(biāo)準(zhǔn)》（GB1455493）要求。揮發(fā)性有機(jī)廢氣（VOC）經(jīng)處理后，必須小于100毫克/立方米后排放，處理設(shè)施的最低處理效率不低于90%，砷烷、磷烷、硅烷等特殊污染物應(yīng)治理達(dá)到設(shè)備引進(jìn)國(guó)或地區(qū)的相應(yīng)排放標(biāo)準(zhǔn)。鍋爐應(yīng)使用清潔燃料，排放的煙氣必須達(dá)到廣東省《大氣污染物排放限值》（DB44/272001）第二時(shí)段標(biāo)準(zhǔn)。設(shè)置100米衛(wèi)生防護(hù)距離。要配合地方規(guī)劃部門嚴(yán)禁在此距離內(nèi)新建住宅、公共設(shè)施等環(huán)境敏感建筑。已落實(shí)。處理后廢氣滿足廣東省《大氣污染物排放限值》（DB44/272001）第二時(shí)段二級(jí)標(biāo)準(zhǔn)，氨的排放滿足《惡臭污染物排放標(biāo)準(zhǔn)》（GB1455493）要求，揮發(fā)性有機(jī)廢氣（VOC）經(jīng)處理后，小于100毫克/立方米，砷烷、磷烷、硅烷經(jīng)治理后可達(dá)到設(shè)備引進(jìn)國(guó)或地區(qū)的相應(yīng)排放標(biāo)準(zhǔn)。 公司生產(chǎn)車間南面約100m外為伍屋村，東面和北面為富士康科技集團(tuán)公司，西面為富士康科技集團(tuán)公司和空地。(續(xù)) 環(huán)境影響評(píng)價(jià)文件及其批文落實(shí)情況一覽表序號(hào)環(huán)審〔2006〕337號(hào)批復(fù)和粵環(huán)函〔2006〕895號(hào)批復(fù)要求本項(xiàng)目實(shí)際落實(shí)及執(zhí)行情況5選用低噪聲設(shè)備，合理布局，對(duì)空壓機(jī)房、引排風(fēng)機(jī)等動(dòng)力性噪聲設(shè)備采取隔聲、吸聲、消聲和減振等綜合治理措施，確保廠界噪聲符合《工業(yè)企業(yè)廠界噪聲標(biāo)準(zhǔn)》（GB1234890）Ⅱ類標(biāo)準(zhǔn)的要求。選用低噪聲設(shè)備，對(duì)高噪聲設(shè)備采取隔聲、吸聲、消聲和減振等綜合治理措施，以降低噪聲對(duì)外環(huán)境的影響。竣工驗(yàn)收監(jiān)測(cè)中，晝間廠界噪聲達(dá)標(biāo)，夜間廠界噪聲超標(biāo)，為當(dāng)?shù)厣钤肼暫袜弿S生產(chǎn)噪聲共同影響的結(jié)果。6按照國(guó)家有關(guān)規(guī)定，對(duì)固體廢物進(jìn)行分類收集、處理。危險(xiǎn)廢物送有資質(zhì)的單位進(jìn)行處置，危險(xiǎn)廢物臨時(shí)存儲(chǔ)場(chǎng)要采取防滲、防漏處理措施，將強(qiáng)氧化劑、廢酸、廢堿及易燃廢物分開(kāi)堆存，保持必要的安全距離，避免造成二次污染。已落實(shí)。建有固體廢物臨時(shí)存放庫(kù)，設(shè)有多個(gè)存放區(qū)，廢液裝桶后與其他各類廢物均按要求分類存放，地面為水泥硬化防滲處理，并設(shè)有地面滲漏液收集溝。危險(xiǎn)廢物交由具有危險(xiǎn)廢物處理資質(zhì)的深圳市危險(xiǎn)廢物處理站進(jìn)行處理處置。7加強(qiáng)對(duì)危險(xiǎn)化學(xué)品的貯存和管理，貯存裝置應(yīng)設(shè)置自動(dòng)報(bào)警和排風(fēng)裝置，制定并落實(shí)事故應(yīng)急預(yù)案，避免突發(fā)環(huán)境事故的發(fā)生。已落實(shí)。制定了《環(huán)境事故應(yīng)急預(yù)案》、《環(huán)境事故緊急處理以及通報(bào)管理規(guī)范》、《緊急應(yīng)變計(jì)劃作業(yè)指導(dǎo)書(shū)》，貯存裝置設(shè)有防滲漏圍堰，對(duì)有害廢氣采用雙套管輸送，并氣體偵測(cè)器，防滲漏自動(dòng)切斷系統(tǒng)。火焰檢測(cè)器，并配有自動(dòng)噴淋裝置。8加強(qiáng)施工期的環(huán)境保護(hù)管理工作，采取切實(shí)可行措施，嚴(yán)格控制揚(yáng)塵、噪聲、廢水及垃圾對(duì)周圍環(huán)境的影響。已落實(shí)。施工期間委托深圳市環(huán)境工程咨詢服務(wù)中心進(jìn)行了環(huán)境監(jiān)理，每月將《環(huán)境監(jiān)理月報(bào)告》送深圳市環(huán)境保護(hù)局備案，根據(jù)監(jiān)理報(bào)告，項(xiàng)目在施工期采取了灑水揚(yáng)塵、防塵灑落，合理安排施工時(shí)間、選用低噪聲設(shè)備等措施，以減輕施工期產(chǎn)生的環(huán)境污染。9按照國(guó)家有關(guān)規(guī)定設(shè)置規(guī)范的污染物排放口，安裝廢水、廢氣在線連續(xù)監(jiān)測(cè)裝置。已落實(shí)。各污染物排放口均按要求規(guī)劃化設(shè)置，廢氣有組織排氣筒上設(shè)置有采樣平臺(tái)及監(jiān)測(cè)孔，安裝有流量在建監(jiān)測(cè)系統(tǒng)；廢水總排口設(shè)置有巴歇爾堰，并裝有pH、CODCr、TOC在線監(jiān)測(cè)系統(tǒng)。10該項(xiàng)目必須執(zhí)行環(huán)境保護(hù)“三同時(shí)”制度，項(xiàng)目竣工后，經(jīng)環(huán)保驗(yàn)收合格后方可正式投入運(yùn)行。已落實(shí)，項(xiàng)目已委托中國(guó)環(huán)境監(jiān)測(cè)總站對(duì)一期30k工程進(jìn)行了竣工環(huán)境驗(yàn)收監(jiān)測(cè)，并于于2010年4月獲得了國(guó)家環(huán)境保護(hù)部的竣工驗(yàn)收批復(fù)，文號(hào)為“環(huán)驗(yàn)〔2010〕85號(hào)”。二期工程正在驗(yàn)收，檢測(cè)報(bào)告均已完成。第三章 技改項(xiàng)目工程概況、工程分析項(xiàng)目名稱：第五代低溫多晶硅薄膜晶體管液晶顯示器件(LTPS TFTLCD)項(xiàng)目建設(shè)地點(diǎn)：深圳市寶安區(qū)龍華街道民清路伍屋村北側(cè)深超科技園內(nèi)，利用現(xiàn)有工程的K1A L00、L10擴(kuò)充區(qū)建設(shè)一條第五代低溫多晶硅薄膜晶體管液晶顯示器件(LTPS TFTLCD)陣列生產(chǎn)線。建設(shè)性質(zhì)：技改建設(shè)內(nèi)容及規(guī)模：對(duì)廢水處理站進(jìn)行改造，增加廢水循環(huán)回用率，做到“增產(chǎn)不增污”。新增LTPS 、項(xiàng)目年第五代低溫多晶硅薄膜晶體管液晶顯示器件（）4860萬(wàn)塊。TFTLCD液晶面板將逐步被TFTLCD液晶面板所代替。工程總投資：9800萬(wàn)美元。 項(xiàng)目組成類別序號(hào)工程名稱建設(shè)內(nèi)容或裝置與現(xiàn)有工程的依托關(guān)系備注主體工程1LTPS TFTLCD陣列生產(chǎn)線新增LTPS 利用已建建筑K1A L00、L10擴(kuò)充區(qū)，增設(shè)生產(chǎn)線2彩色濾光片生產(chǎn)線依托現(xiàn)有工程3模塊以及成盒工程生產(chǎn)線新增LTPS TFT LCD 顯示面板4860萬(wàn)塊/年依托現(xiàn)有工程輔助工程4生產(chǎn)支持與庫(kù)房區(qū)依托現(xiàn)有的支持廠房（K1b）(續(xù)) 項(xiàng)目組成類別序號(hào)工程名稱建設(shè)內(nèi)容或裝置與現(xiàn)有工程的依托關(guān)系備注輔助工程5化學(xué)品供應(yīng)站與特殊氣體供應(yīng)區(qū)新增易燃?xì)怏w20%PH3/H2；腐蝕/毒性氣體BF5%HCL/1%H2/94%Ne、惰性氣體：Xe、Ne、CFC2HF5等7種氣體依托現(xiàn)有的支持廠房K1c、K1d6化學(xué)藥品輸送系統(tǒng)新增HF供應(yīng)系統(tǒng)其余依托現(xiàn)有工程7氣體輸送與純化系統(tǒng)依托現(xiàn)有工程8H2 Water制程水工程1. 新增H2 Water制程水制程設(shè)備2. 增加制程水LOOP管路從原有系統(tǒng)增設(shè)H2 Water制程水制程工藝9剝離液回收系統(tǒng)新增一套1300L/h剝離液回收系統(tǒng)設(shè)備現(xiàn)有一套處理量750L/H 公用工程10給水系統(tǒng) 依托現(xiàn)有工程，現(xiàn)有系統(tǒng)的供水能力為18000 t/d11循環(huán)冷卻水系統(tǒng)系統(tǒng)能力16000m3/h（8組組合式冷卻塔，2000m3/h，7用1備）12純水系統(tǒng)系統(tǒng)能力增加232m3/h現(xiàn)有工程純水制備能力為763m3/h。13蒸氣系統(tǒng)依托現(xiàn)有工程，現(xiàn)有3臺(tái)燃?xì)馐秸羝仩t(2用1備)，燃?xì)饫檬姓烊粴夤艿垒斔?4供電系統(tǒng)新增用電量為60000度/d依托現(xiàn)有工程，全廠用電總裝設(shè)容量126843 kVA，現(xiàn)有一座雙路專用線路110kV變電站15應(yīng)急供電系統(tǒng)依托現(xiàn)有工程，現(xiàn)有1300kW UPS不間斷電源系統(tǒng)5臺(tái)，1760kw應(yīng)急柴油發(fā)電機(jī)5臺(tái)16冷凍水系統(tǒng)新增制冷機(jī)組1360 USRT 1臺(tái)增設(shè)后系統(tǒng)容量12990 USRT，10用1備17柴油儲(chǔ)罐依托現(xiàn)有工程，現(xiàn)有儲(chǔ)存能力為50000L (續(xù)完) 項(xiàng)目組成類別序號(hào)工程名稱建設(shè)內(nèi)容或裝置與現(xiàn)有工程的依托關(guān)系備注環(huán)保工程18污水處理站含氟處理單元新增45m3/h處理能力，技改后處理能力為80m3/h現(xiàn)有含氟廢水處理單元處理能力為35m3/h 技改后廢水處理能力12936t/d有機(jī)廢水處理單元新增處理能力為95 m3/h，技改后處理能力為354m3/h現(xiàn)有有機(jī)廢水處理單元處理能力為259m3/h19廢氣處理系統(tǒng)新增1套有害廢氣噴淋洗滌塔+集塵機(jī)廢氣處理系統(tǒng),新增1個(gè)31m高的排氣筒現(xiàn)有有害廢氣處理系統(tǒng)為12套焚燒(設(shè)備端)裝置+3套布袋除塵設(shè)施+3套堿液噴淋塔吸收裝置(2用1備)，31m高排氣筒3個(gè)新增1套一般排風(fēng)系統(tǒng),新增1個(gè)27m高的排氣筒現(xiàn)有27m排氣筒9個(gè)(6用3備)20危險(xiǎn)廢物暫存間依托現(xiàn)有1座面積為432m2暫存庫(kù)21事故應(yīng)急池現(xiàn)有6座事故應(yīng)急池，儲(chǔ)存能力為3819m3辦公以及附屬設(shè)施23辦公以及附屬設(shè)施依托現(xiàn)有的包括生產(chǎn)管理設(shè)施（辦公、會(huì)議、檔案、接待等），門衛(wèi)及保安等。 項(xiàng)目的產(chǎn)品方案序號(hào)工程名稱產(chǎn)品名稱及規(guī)格設(shè)計(jì)能力技改前技改后變化量1陣列生產(chǎn)線LTPS TFTLCD陣列生產(chǎn)線0+TFTLCD陣列生產(chǎn)線02彩色濾光片生產(chǎn)線彩色濾光片+3模塊以及成盒工程生產(chǎn)線TFTLCD液晶面板（19英寸）即17766萬(wàn)塊/年（）（19英寸）即17766萬(wàn)塊/年（）0LTPS TFTLCD04860萬(wàn)塊/年（）+4860萬(wàn)塊/年（） LTPS與傳統(tǒng)技術(shù)優(yōu)勢(shì)低溫多晶硅（Low Temperature Polysilicon；LTPS，以下以LTPS代稱）是平板顯示器領(lǐng)域中的又一新技術(shù)。繼非晶硅（AmorphousSilicon，以下以aSi代稱）之后的下一代技術(shù)。 傳統(tǒng)的非晶硅材料（aSi） cm2/VS，而低溫多晶硅材料（LTPS）的電子遷移率可達(dá)50～200cm2/VS，因此與傳統(tǒng)的非晶硅薄膜電晶體液晶顯示器（aSi TFTLCD）相比，低溫多晶硅TFTLCD具有更高解析度、反應(yīng)速度快、亮度高(開(kāi)口率aperture ratio高)等優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)可以將周邊驅(qū)動(dòng)電路同時(shí)制作在玻璃基板上，達(dá)到在玻璃上集成系統(tǒng)（SOG）的目標(biāo)，所以能夠節(jié)省空間和成本。低溫多晶硅（LTPS）與非晶硅（aSi）相比優(yōu)點(diǎn)如下： 把驅(qū)動(dòng)IC的外圍電路集成到面板基板上的可行性更強(qiáng)； 反應(yīng)速度更快，外觀尺寸更小，聯(lián)結(jié)和組件更少； 面板系統(tǒng)設(shè)計(jì)更簡(jiǎn)單； 面板的穩(wěn)定性更強(qiáng)； 解析度更高。 非晶硅（aSi）與低溫多晶硅（LTPS）特性比較非晶硅（aSi）低溫多晶硅（LTPS）TFT電性~ cm2/VS100 cm2/VSTFT元件面積1約1/2耐沖撞強(qiáng)度180G300G耐扭強(qiáng)度約1000次10000次周邊接點(diǎn)數(shù)4000個(gè)接點(diǎn)＜200個(gè)接點(diǎn)PCB數(shù)量2片1篇TABIC數(shù)量Scan：3個(gè)；Data：10個(gè)無(wú)電容零件數(shù)270個(gè)195個(gè)LTPS TFTLCD 工程與現(xiàn)有的非晶硅TFTLCD生產(chǎn)工藝主體工程相同，均包括陣列工程、彩膜工程、成盒工程和模塊工程()。兩者不同點(diǎn)體現(xiàn)在陣列工程，其他工序，如彩膜工程、成盒工程以及模塊工程，生產(chǎn)工藝基本相同。彩膜工程陣列工程成盒工程模塊工程 液晶顯示器生產(chǎn)工藝流程簡(jiǎn)圖LTPS TFTLCD陣列工程是制作TFT薄膜晶體管陣列基板（即下玻璃），包括玻璃基板清洗、薄膜（CVD、濺射）、多晶硅清洗、準(zhǔn)分子鐳射激光退火、光刻（涂膠、曝光、顯影）、烘干、刻蝕（干法刻蝕、濕法刻蝕）、剝離、摻雜、退火、檢查等工序，圖中標(biāo)虛線的圖框表示LTPS TFTLCD與非晶硅TFTLCD生產(chǎn)工藝不同之處。清洗CVD/濺射涂膠曝光顯影烘干退火剝離刻蝕檢查清洗+激光退火摻雜 (溝道, N型)P型摻雜快速加熱回火玻璃基板注：虛線框代表新增工序，實(shí)線框代表現(xiàn)有工程工序 TFT薄膜晶體管陣列工程生產(chǎn)工藝流程具體的生產(chǎn)工藝以及生產(chǎn)原理如下：(1) 清洗對(duì)于無(wú)論是非晶硅TFTLCD還是多晶硅TFTLCD生產(chǎn)，清洗都是非常重要的一道生產(chǎn)環(huán)節(jié)，目的是清除玻璃面板表面的塵埃顆粒、殘留的有機(jī)物和吸附在表面的金屬粒子。對(duì)于非晶硅TFTLCD生產(chǎn)，清洗包括有玻璃基板的清洗、化學(xué)氣相沉積后的清洗、濺射金屬膜后的清洗、剝離時(shí)清洗以及成盒過(guò)程的清洗等，最主要的清洗方式是將玻璃面板沉浸在液體槽內(nèi)或使用液體噴霧清洗，通常使用特殊過(guò)濾和純化的半導(dǎo)體級(jí)化學(xué)試劑、有機(jī)溶劑和高純水等作為清洗劑。在所有的清洗過(guò)程中，高純水的用量最多，其他還包括使用堿性表面活性劑等清洗劑。對(duì)于LTPS TFTLCD生產(chǎn)來(lái)說(shuō)，除了非晶硅TFTLCD中需要清洗的環(huán)節(jié)外，還需進(jìn)行多晶硅清洗，包括有ELA前的清洗、柵電極絕緣層前的清洗、源/漏電極前的清洗。多晶硅清洗最主要的清洗方式是使用DHF液體噴霧清洗。由于LTPS生產(chǎn)對(duì)多晶硅表面污染要求非常嚴(yán)格，因而通常使用特殊過(guò)濾和純化的半導(dǎo)體級(jí)化學(xué)試劑（DHF）、有機(jī)溶劑和高純水等作為清洗劑。(2) 化學(xué)氣相沉積(CVD)化學(xué)氣