最新嵌入式系統(tǒng)原理與設(shè)計知識點整理(編輯修改稿)
2025-07-23 12:30 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 遲成為CAS延遲。用CL表示。1）發(fā)送行地址和行選通新號tRCD2）發(fā)送到列地址和列選通新號，以及寫命令，同時數(shù)據(jù)通過數(shù)據(jù)總線傳給芯片，不存在CL延時。（Burst）作用；可以實現(xiàn)同一行的相鄰存儲單元連續(xù)傳輸，只需指定起始列地址和突發(fā)長度，內(nèi)存芯片自動對后面相應(yīng)數(shù)量存儲單元進行連續(xù)讀寫操作且不需要重復提供列地址。T1T2T3T4T5T6命令地址CL=2讀列地址aa+1a+2讀列a+3T7bBL=4→突發(fā)長度 CL=2→兩個時鐘周期 FLASH——（特點：讀的快，寫的慢）1）.W39L040A介紹512K8 Nor FLASH 芯片控制邏輯數(shù)據(jù)驅(qū)動地址譯碼存儲體D0D7片選CEA0A18讀OE寫WE2）.讀操作：（1）讀普通數(shù)據(jù)：CE低，OE低，WE高 A0A18發(fā)地址，數(shù)據(jù)被送往D0D7（2）讀廠家ID：CE低，OE低，WE高 A9 ~12V， A1A0 00b（3）讀器件ID：CE低，OE低，WE高 A9 ~12V， A1A0 01b3）.擦除操作（必須先擦除后寫），寫數(shù)據(jù)“1”（1）整片擦出：CE低，OE高，WE低，發(fā)出6個總線周期暗號地址線：5555h——2AAAh——5555h——5555h——2AAAh——5555h數(shù)據(jù)線：AAh——55h——80h——AAh——55h——10h發(fā)送完畢，芯片自動執(zhí)行擦除操作，用時約6s（2）塊擦除：CE低，OE高，WE低，發(fā)出6個總線周期暗號地址線：5555h——2AAAh——5555h——5555h——2AAAh——SA數(shù)據(jù)線：AAh——55h——80h——AAh——55h——30hSA表塊地址，4）.寫操作（字節(jié)編程） 將1變?yōu)椤?”CE低，OE高，WE低，發(fā)出4個總線周期暗號地址線：5555h——2AAAh——5555h——AIN數(shù)據(jù)線：AAh——55h——A0h——DIN發(fā)送完畢，芯片自動執(zhí)行字節(jié)編程（燒寫），最快9μs FLASH特點：無單獨的地址總線和數(shù)據(jù)總線，地址、數(shù)據(jù)以及命令共用一個I/O總線①包含4096個存儲塊，每塊32頁，每頁（512+16）字節(jié)512代表主存儲區(qū)（用戶數(shù)據(jù)），16代表備用存儲區(qū)（EEC）21225(29+24)=226+221=64M+2M②頁是數(shù)據(jù)存儲及讀寫基本單位2）.寫操作（頁編程） 200μs80h→4個周期地址→寫數(shù)據(jù)到頁寄存器→10h→芯片自動寫入通過 R/B （高結(jié)束） FLASH狀態(tài)寄存器第6位（1結(jié)束） CPU通過FLASH狀態(tài)寄存器第0位判斷是否成功（0成功）3）.塊擦除 4096塊=21260h→3個周期地址→D0h→芯片自動擦出4）.塊保護命令 41h：禁止寫 42h：禁止擦出 43h：禁止寫和擦出41h~43h→80h→塊地址（4個周期）→10h→芯片自動執(zhí)行 5）.器件ID讀操作90h→00h→廠家ID、器件ID、第三附屬ID、第四附屬IDNorFLASH和NANDFLASH比較（必考?。。?！10分左右）①接口差別： NOR 提供足夠的地址引腳尋址；NAND采用8個位引腳傳遞命令、地址和數(shù)據(jù)。②性能差別： NOR地址線和數(shù)據(jù)線分開，傳輸效率高，讀取速度比NAND快，但擦出和寫入速度要比NAND慢得多。③容量和成本：NAND容量大于NOR容量，成本低與NOR。④可靠性和耐用性：NAND擦寫次數(shù)約為100萬次，NOR約為10萬次；尺寸上NAND比NOR小8倍，NAND容易發(fā)生位翻轉(zhuǎn)，可靠性略差。⑤軟件支持：在NOR上運行代碼不需要任何軟件支持；在NAND上進行同樣操作需要驅(qū)動程序，即內(nèi)存技術(shù)驅(qū)動程序（MTD）⑥市場取向比較：NOR用于對數(shù)據(jù)可靠性要求比較高的代碼存儲應(yīng)用，如通信產(chǎn)品和網(wǎng)路處理等領(lǐng)域；NAND則用于存儲容量較高的MP存儲卡等領(lǐng)域S3C2410 / S3C2440地址空間劃分邏輯地址空間：232=4G外部地址空間：1G 0x0000_0000~0x4000_0000 (_用于4位一區(qū)分，只是個符號，無具體意義)內(nèi)部地址空間：3G（寄存器地址范圍0x4800_0000~0x5FFF_FFFF，剩余空間閑置）1）.外部地址空間劃分閑置——128MBANK7SDRAM 64M 0x3000000~0x33FFFFFF——128MBANK6擴展串口A B——128MBANK510/100M網(wǎng)卡——128MBANK410M網(wǎng)卡——128MBANK3IDE接口控制塊寄存器 16字節(jié)——128MBANK2IDE接口命令寄存器 16字
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