【文章內(nèi)容簡介】 　　低功耗性： 　　 在72MHz時消耗36mA(所有外設(shè)處于工作狀態(tài))，待機時下降到2μA 　　集成度高： 　　復(fù)位電路、低電壓檢測、調(diào)壓器、精確的RC振蕩器等 　 STM32F103E參數(shù)　　 　　允許5V電壓信號的Ｉ/Ｏ引腳　　具有時鐘模式 　　帶喚醒功能的低功耗模式 　　內(nèi)部RC振蕩器 　　內(nèi)嵌復(fù)位電路 　　工作溫度范圍： 　　40176。C至+85176。C或105176。C STM32F103E功能內(nèi)核：STM32F103E是ＡＲＭ公司的32位的CortexM3ＣＰＵ　　　　最高工作頻率為72ＭＨｚ存儲器：包含從256Ｋ到512Ｋ的閃存程序存儲器，用于存放系統(tǒng)程序和數(shù)據(jù)　　　　高達64Ｋ字節(jié)的靜止功能存儲器（內(nèi)存）　　　　包含有4個帶片選的靜態(tài)存儲器控制器，經(jīng)過邏輯或連接到NVIC（嵌套的向量式中斷控制器）單元上，共有3個中斷源，可知，只要其中一個中斷源發(fā)出中斷信號，則所有中斷源都被中斷。時鐘，電源和復(fù)位模塊　　　　 上電/斷電復(fù)位（POR/PDR）、可編程電壓監(jiān)測器。　　　　4－16ＭＨｚ的外部晶體振蕩器同時內(nèi)嵌有8ＭＨｚ的ＲＣ振蕩器、內(nèi)嵌帶校準(zhǔn)的40KHz的RC振蕩器、帶校準(zhǔn)功能的32KHzRTC振蕩器，當(dāng)系統(tǒng)檢測的外部時鐘失效時會自動切換到內(nèi)部晶體振蕩器，如果使能了中斷，軟件可以接收到相應(yīng)的中斷。同樣，在需要時可以采取對PLL時鐘完全的中斷管理。低功耗： 　　具有睡眠、停機和待機三種模式①、 睡眠模式：在睡眠模式，只有CPU停止工作，所有外設(shè)處于工作狀態(tài)并可在發(fā)生中斷的情況下喚醒CPU②、 停機模式：在保持SRAM和寄存器內(nèi)容不丟失的情況下，停機模式可以達到最低的電能消耗。停機模式下，PLL、HIS的RC振蕩器和HSE晶體振蕩器被關(guān)閉，調(diào)壓器可以被置于普通模式或低功耗模式?？梢酝ㄟ^任一配置的EXTI的信號把微控制器從停機模式中喚醒，EXTI信號可以是16個外部I/O口中斷之一、PVD輸出、RTC鬧鐘或USB的喚醒信號。③、 在待機模式下可以達到最低的電能消耗。內(nèi)部的電壓調(diào)壓器被關(guān)閉，因此，；PLL、HIS的RC振蕩器和HSE晶體振蕩器也被關(guān)閉；進入待機模式后，SRAM和寄存器的內(nèi)容將消失，但后備寄存器的內(nèi)容仍將保留，待機電路仍在工作。從待機模式推出的條件是：NRST上的外部復(fù)位信號、IWDG復(fù)位、WKUP引腳上的一個上升邊沿或RTC的鬧鐘到時。 VBAT為RTC和后備寄存器供電內(nèi)嵌電壓調(diào)壓器電壓調(diào)壓器有三個操作模式：主模式、低功耗模式和關(guān)斷模式。主模式用于正常的運行操作低功耗模式用于CPU單獨停機模式關(guān)斷模式用于CPU的待機模式：的，此時，調(diào)壓器的輸出為高阻狀態(tài)，內(nèi)核電路的供電切斷，調(diào)壓器處于零消耗模式（但寄存器和SRAM的內(nèi)容將丟失）。該調(diào)壓器在復(fù)位后始終處于工作狀態(tài)，在待機模式下關(guān)閉處于高阻狀態(tài)。3個12位ＡＤＣ，轉(zhuǎn)換時間僅為１ｕｓ,速度快　　轉(zhuǎn)換范圍：　　具有3倍采樣和保持功能　　自帶溫度傳感器2通道12位D/A轉(zhuǎn)換器DMA：12通道DMA控制器DMA(Direct Memory Access，直接內(nèi)存存取)，靈活的12路通用DMA（DMA1上有7個通道、DMA2上有5個通道）可以管理存儲器到存儲器、設(shè)備到存儲器和存儲器到設(shè)備之間的數(shù)據(jù)傳輸；2個DMA控制器支持環(huán)形緩沖區(qū)的管理，避免了控制器傳輸?shù)竭_緩沖區(qū)結(jié)尾時所產(chǎn)生的中斷。每個通道都有專門的硬件DDMA請求邏輯，同時可以由軟件觸發(fā)每個通道；傳輸?shù)拈L度、傳輸?shù)脑吹刂泛湍繕?biāo)地址都可以用軟件單獨設(shè)置。DMA可以用于主要的外設(shè)：SPI、I178。C、USART，通用、基本和高級控制定時器TIMX，DAC、I178。S、SDIO和ADC。擁有112個快速雙向Ｉ/Ｏ端口，所有I/O口可以映像到16個外部中斷，大部分端口具有容忍5電壓信號的特點多大11個定時器4個16位定時器，每個定時器有4個用于輸入捕獲/輸出比較/PWM或脈沖計數(shù)的通道和增量編碼器輸入。2個帶死區(qū)控制和緊急剎車，用于電機控制的PWM高級控制定時器。2個看門狗定時器（獨立看門狗和窗口看門狗）2個16位的基本定時器用于驅(qū)動DAC多達13個通訊接口2個I178。C 接口5個USART接口（支持ISO7816，LIN，IRDA接口和調(diào)制解調(diào)控制）3個SPI接口、2個可復(fù)用的I178。C接口CAN接口（）SDIO接口： CPUI/O端口輸入驅(qū)動電流：STM32所有I/O口流入的電流總和，加上MCU從VDD上得到的電流，不能超過絕對最大額定值IVDD同理，STM32所有I/O口流出的電流總和，加上MCU從VSS上流出的電流，不能超過絕對最大額定值IVSS。I/符號 參數(shù)條件最小值典型值最大值單位VIL輸入低電平電壓TTL端口.08VVIH標(biāo)準(zhǔn)I/O口，輸入高電平電壓2VDD+.05FTI/O口，輸入高電平電壓2VIL輸入低電平電壓CMOS端口.035VDDVVIH輸入高電平電壓065VDDVDD+Vhys標(biāo)準(zhǔn)I/O口施密特觸發(fā)器電壓遲滯200mv容忍5V的I/O口電壓遲滯5%VDDmvIikg輸入漏電流VSS=VIN=VDD標(biāo)準(zhǔn)I/O口正負1uAVIN=5V3Rpu弱上拉等效電阻VIN=VSS304050千歐Rpd弱下拉等效電阻VIN=VDD304050千歐CioI/O引腳電容5pF①、施密特觸發(fā)器開關(guān)電平的遲滯電壓。②、5%VDD至少為100mv③、M32所有的I/O端口都與CMOS和TTL兼容。：符號參數(shù)條件最小值最大值單位VOL輸出低電平，當(dāng)8個I/O引腳同時吸收電流TTL端口+8mAVDDVVOH輸出高電平，當(dāng)8個I/O引腳同時輸出電流VOL輸出低電平，當(dāng)8個I/O引腳同時吸收電流CMOS端口8mAVDDVVOH輸出高電平，當(dāng)8個I/O引腳同時輸出電流VOL輸出低電平，當(dāng)8個I/O引腳同時吸收電流Iio=+20mAVDDVVOH輸出高電平，當(dāng)8個I/O引腳同時輸出電流VOL輸出低電平，當(dāng)8個I/O引腳同時吸收電流Iio=+6mAVDDVVOH輸出高電平，當(dāng)8個I/O引腳同時輸出電流芯片吸收的電流不得超過絕對最大額定值IVSS；芯片輸出的電流不得超過絕對最大額定值IVDD； 存儲器系統(tǒng)包括：①、512K的閃存程序存儲器閃存是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息）的存儲器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器（EEPROM）的變種，閃存與EEPROM不同的是，它能在字節(jié)水平上進行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷電時仍能保存數(shù)據(jù)，閃存通常被用來保存系統(tǒng)自帶的程序和數(shù)據(jù)。：符號參數(shù)數(shù)值單位最小值典型值最大值FpllinPLL輸入時鐘125MHzPLL輸入時鐘占空比4060%FplloutPLL倍頻輸出時鐘1672MHzTlockPLL鎖相時間200us優(yōu)點： 　　1．閃存的體積小。并不是說閃存的集成度就一定會高。微硬盤做的這么大一塊主要原因就是微硬盤不能做的小過閃存，并不代表微硬盤的集成度就不高。 　　2．相對于硬盤來說閃存結(jié)構(gòu)不怕震，更抗摔。硬盤最怕的就是強烈震動。雖然我們使用的時候可以很小心，但老虎也有打盹的時候，不怕一萬就怕萬一。 　　3．閃存可以提供更快的數(shù)據(jù)讀取速度，硬盤則受到轉(zhuǎn)速的限制。 　　4．質(zhì)量輕。 ②、64K的SRAM（靜態(tài)存儲器）RAM包括SRAM（靜態(tài)存儲