峰值檢測電路分析(編輯修改稿)
2025-07-22 21:46 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 正向電壓，顯然, 加速了電容的充電過程，直至使 Vo 等于 Vi 的峰值為止因為二極管D1導通之后，第一級運放又構(gòu)成了電壓跟隨器。實際工作中, 決定 Vo 與 Vi 有差別的一個重要因素, 將是放大器輸入端的失調(diào)電壓。當然, 放大器也應有足夠的帶寬，以適應要求檢測的交流電壓的頻率范圍。 在 ViVo 0 時, 比較放大器的輸出電壓接近于負電源電壓, 使 D1 上有較大的反向電壓, D1 就會有一定的反向泄漏電流。為抑制 D1 的反向電流, 應使 D1 的正極在反向時的電壓, 只略低于 Vo。為此, 在比較放大器(A2)與 D1 之間增設二極管 D2 和電阻 R2 ()。 峰值檢測器改進電路（三）在 Vi Vo 時, A2 輸出較大的正向電壓, 使 D2 與 D1 導通對電容充電。在 Vi Vo 時, A2 輸出的反向電壓使 D2 關(guān)斷。這時, D2 的負極(D1 的正極)通過 R2 聯(lián)于 A1 的輸出端, 使 R2 一端的電壓(對地)為 Vo。如圖所示, 流過 D2 的反向電流通過 R2, 因而使 D2 的負極(D1 的正極)上和電容上的電壓得以保持。通常 R2 為數(shù)百kW的電阻, R2 為 560kW。若 D2 的反向電流為 , 則 R2 上的電壓為 , 即 D1 上的反向電壓為 。由此可見, D2 和 R2 有效的抑制了D
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