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正文內(nèi)容

微波仿真論壇cst激勵(lì)源之波導(dǎo)端口(編輯修改稿)

2025-07-22 06:18 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡介】 larization angle:僅對退化模的首次設(shè)置。只有在為選中Impedance and Calibration時(shí),才能激活該選框。當(dāng)出現(xiàn)退化模,兩個(gè)模式(共用一個(gè)傳播常數(shù))可以線性疊加。通過輸入極化角度(0~360度),你可以確定這些模式中的第一個(gè)模式的電場的主方向。波導(dǎo)端口阻抗、校準(zhǔn)和極化定義波阻抗對所有類型的波導(dǎo)端口,其波阻抗的值都等于對所有端口面上的網(wǎng)格點(diǎn)[j ]的截線電場與截線磁場比值的平均值:然而,為了避免因?yàn)樾?shù)值造成的錯(cuò)誤,在某個(gè)門限(相對最大場值)以下的數(shù)值就不不含在計(jì)算之內(nèi),在solver logfile中的zWaveSigma中可以看到這種平均值的不一致性。傳輸線阻抗line impedance此外,對任意多導(dǎo)體端口(同軸波導(dǎo)端口、微帶線、連接器端口等),都存在靜態(tài)模式場(TEM或QTEM模),line impedance的值都將計(jì)算,它是通過對每個(gè)獨(dú)立模式以考慮注入結(jié)構(gòu)中的導(dǎo)體電流來計(jì)算,按下列表達(dá)式計(jì)算:其中,power為Poynting矢量沿段進(jìn)口區(qū)域積分而來,current是磁場沿導(dǎo)體表面積分計(jì)算而來。注:必須意識(shí)到這和通常的定義Z=U/I是不一樣的,因而會(huì)求得不同的結(jié)果。Impedance lines阻抗線基于四面體網(wǎng)格的模型,在計(jì)算功率電壓阻抗ZPV時(shí),可以使用定義阻抗線,該阻抗為兩個(gè)導(dǎo)體之間的TEM模式的線性阻抗。通過對沿阻抗線上的電壓的平房積分計(jì)算,如下式所示:Power為Poynting矢量在整個(gè)端口區(qū)域的積分校準(zhǔn)線:通常,模式校準(zhǔn)線的定義在整個(gè)端口區(qū)域是自動(dòng)完成的,然而,對于基于四面體網(wǎng)格的模型,校準(zhǔn)線使用模式校準(zhǔn)線代替整個(gè)端口區(qū)域,這對在非校準(zhǔn)線位置引入大量電場的端口區(qū)域非均勻材料構(gòu)成的端口區(qū)域的計(jì)算是很有用的。Polarization極化當(dāng)出現(xiàn)簡并模時(shí),有相同傳播常數(shù)的兩個(gè)模式將線性疊加,根據(jù)使用的網(wǎng)格,有兩種定義簡并模的極化方式。對于六面體網(wǎng)格,在波導(dǎo)端口對話框中定義0~360度的極化角,該角度和第一個(gè)簡并模的主方向有關(guān),下圖給出了第一個(gè)模式的45度和90度極化情況。下圖第一個(gè)圖中,相對于U/V局部坐標(biāo)系的端口平面上的45度極化情況 上圖右面兩個(gè)圖中給出45度和90度極化角圓柱波導(dǎo)的TE11模(端口沿z方向)對于使用四面體網(wǎng)格的模型,使用Mode Impedance and Calibration模式阻抗和校準(zhǔn)對話框定義簡并模的極化,因而,兩條極化線需要沿著彼此垂直的的兩個(gè)簡并模的電場的主方向。下圖第一個(gè)圖給出了以相互垂直的矢量表述極化線的情況 上圖右面兩個(gè)圖中給出端口處極化沿線的兩個(gè)凋落的TE11模的分布情況 CST激勵(lì)源之Multipin port端口含有兩個(gè)以上導(dǎo)體的波導(dǎo)端口,將會(huì)激勵(lì)起TEM模,你可以在Potential Set Definitions 和Define Potential Set Item Dialog中確定和編輯指定的模式。為了定義Multipin port,必須在波導(dǎo)端口對話框中激活multipin 選框,按下Define pins…按鈕,將彈出Potential Set Definitions對話框,在這里你可以定義或編輯Potential設(shè)置。注:在簡并模中,很容易出現(xiàn)不同模式的疊加情況,因此,Multipin port operator(多引腳端口解算器)主要應(yīng)用在均勻的多個(gè)同軸或連接器端口中,當(dāng)然,在不同模式之間的傳播常數(shù)只有細(xì)微差別的時(shí)候,Multipin port也可以用在非均勻端口中。請注意兩個(gè)或更多非簡并模的疊加是會(huì)產(chǎn)生不準(zhǔn)確的瞬態(tài)求解。在易于受非正交模式影響的非均勻多導(dǎo)體端口或引腳定義時(shí)multipin port應(yīng)該定義為singleended port(單端端口)Potential definitions為了定義描述電場的特殊散度分布的模式,必須在相應(yīng)的引腳pin定義正負(fù)電勢potential,該引腳中,設(shè)置電位將作為繼端口數(shù)和模式數(shù)之后的第二個(gè)值,(如39。 2(1,+) 39。則表示端口2,模式1,正電勢)。屬于另一個(gè)電勢設(shè)置的引腳處的電勢將被設(shè)置為0,沒有定義電勢的導(dǎo)體將作為接地導(dǎo)體,因而具有相等電勢的多引腳之間的電壓將被設(shè)置為0。因?yàn)榭梢赃x擇指定引腳數(shù)次并定義不同模式(見下面的第二個(gè)例子),所以,你應(yīng)該檢查一下你定義的電勢是否彼此正交,如果沒有檢查,求解器將自動(dòng)使模式彼此正交以獲取穩(wěn)定的仿真。Line Impedance definition多引腳端口的線性阻抗等于多個(gè)導(dǎo)體端口定義(見上面波導(dǎo)端口的相關(guān)介紹),考慮一個(gè)多引腳模式,注入結(jié)構(gòu)的所有電流按下面的計(jì)算準(zhǔn)則考慮 注:該表達(dá)式不同于一般的定義Z=U/I,因而會(huì)得出不同結(jié)果。詳細(xì)內(nèi)容見下面的介紹Symmetries在多引腳端口中使用對稱是很容易的,如果對稱面兩側(cè)電勢相同,根據(jù)電場分布,必須定義一個(gè)磁對稱面,反之,則必須定義一個(gè)電對稱面。Examples:下面的兩個(gè)例子中使用一般的同軸端口來分析多引腳端口解算器(multipin port operator)應(yīng)用范圍、定義、使用。本征模求解右圖中是一個(gè)由四個(gè)內(nèi)導(dǎo)體和一個(gè)屏蔽導(dǎo)體構(gòu)成的多引腳波導(dǎo),本征模求解器求解通過四個(gè)不同的2D模式給出,如下圖圖中電場矢量所示。然而,因?yàn)檫@些模式是凋落模,只要模式是正交的,求解器的求解就是任意的,因而,任何經(jīng)線性疊加產(chǎn)生的模式都會(huì)在波導(dǎo)中傳播,multipin operator多引腳解算器就是用來定義這些模式的。Multipin definition多引腳定義指定模式的定義是通過確定相應(yīng)導(dǎo)體上的電勢分布來實(shí)現(xiàn)的,右圖中就是兩個(gè)電勢設(shè)置,第一個(gè)是設(shè)置一個(gè)正電勢并在其對角的引腳pin處定義為負(fù)電勢即[ 1(1,+) 和1(1,) ],第二個(gè)也有兩個(gè)電勢設(shè)置,但是這次兩個(gè)都設(shè)置為正電勢[ 1(2,+) ],兩種情況下,其他模式都被定義為0。 在這下面的兩個(gè)圖中,你可以看到多引腳模式分布情況,電場的散度分布和導(dǎo)體引腳上的電勢定義是一致的。Modeset No. 1第一個(gè)引腳模式的電場分布,modeset ,其線性阻抗為Z=2 * U / I第二個(gè)引腳模式的電場分布,兩個(gè)定義的電流引腳的電壓設(shè)置為0,線性阻抗為Z=U/I/2Multiple pin selection第二個(gè)例子中,我們給出了對兩個(gè)導(dǎo)體引腳使用多重選擇的雙同軸波導(dǎo)端口的微分激勵(lì),在右圖中給出了導(dǎo)體引腳的多重定義。第一個(gè)多引腳multipin設(shè)置為彼此相反的電勢[ 1(1,+) 和1(1,) ],而第二個(gè)modeset設(shè)置為兩個(gè)正電勢[ 1(2,+) ],請注意導(dǎo)體引腳的多重選擇不能用于定義singleended端口。 下圖是多引腳模式設(shè)置并給出了相應(yīng)的電場分布,因?yàn)槭褂昧硕嘁_定義,兩個(gè)模式是彼此正交的。Singleended waveguide ports單端波導(dǎo)端口如上所述,對于非均勻多導(dǎo)體端口,QTEM模將部在凋落,這意味著會(huì)因現(xiàn)有模式的線
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