bicmos器件介紹(編輯修改稿)
2025-07-22 06:05 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 等，這些都將不可避免的影響到的電路的性能，下面做簡要介紹，以便將來在版圖設計過程中適當減小這些寄生效應。作為VNPN管存在三種寄生電阻：發(fā)射極串聯(lián)電阻，集電極串聯(lián)電阻，基區(qū)電阻。首先，發(fā)射區(qū)電阻由發(fā)射區(qū)體電阻和發(fā)射區(qū)接觸電阻組成，一般發(fā)射區(qū)做成方形其長寬比相當小，所以電阻可忽略。接觸電阻由發(fā)射區(qū)接觸孔面積和硅與發(fā)射極金屬的歐姆接觸系數(shù)決定，所以小電流情況下，發(fā)射極的串聯(lián)電阻是很小的可以忽略。第二是集電極串聯(lián)電阻，相對來說比較大，在工藝上可以通過加埋層和深N＋集電極接觸擴散方法來減??；在版圖設計時，可以采用雙集電極或馬蹄型集電極圖形來減小，但此方法會增大寄生電容。第三，基區(qū)電阻主要由外基區(qū)（發(fā)射區(qū)擴散邊緣到基極接觸孔邊緣）、內(nèi)基區(qū)（發(fā)射區(qū)擴散層下面的那部分基區(qū)）電阻和基極接觸電阻。在版圖設計上用雙基極條或梳狀電極以減小基區(qū)電阻。NPN管中的寄生電容主要有PN結(jié)的勢壘電容和擴散電容。（2） LPNP管集成電路的模擬電路中常用到PNP管，如運放的輸入極、輸出極的有源負載等。一般情況下由于要與NPN管的制造工藝兼容，所以作出的PNP管的β小，fT低，臨界電流小。如圖（3）是雙極雙阱工藝下的橫向PNP管 ，此三極管也存
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