模擬電子線(xiàn)路習(xí)題習(xí)題答案(編輯修改稿)
2025-07-21 23:33 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 R1 2k V1V2V3RB+UoUCC12V(a)+Ui+UoRBR2R3rb’e1ib1ib1ib3rb’e2ib2rb’e3ib3(b)2reib2解：(1) (2)(b)所示。(3)首先求各管的 第三章 。試判別其類(lèi)型，并說(shuō)明各管子在∣UDS∣= 10V時(shí)的飽和漏電流IDSS、夾斷電壓UGSOff（或開(kāi)啟電壓UGSth）各為多少。uGS/ViD/mA12312UDS=10V(a)uGS/ViD/mA12312UDS=10V(b)34uDS/ViD/mA246851015204V3VUGS=2V(c) 解：FET有JFET和MOSFET，JFET有P溝（只能為正）和N溝（只能為負(fù)）之分。MOSFET中有耗盡型P溝和N溝（可為正、零或負(fù)），增強(qiáng)型P溝（只能為負(fù)）和N溝（只能為正）。 圖 (a)：N溝耗盡型MOSFET，=2mA,V。 圖 (b)：P溝結(jié)型FET，=3mA, V。 圖 (c)：N溝增強(qiáng)型MOSFET，無(wú)意義 ，V。，并設(shè)各管的V。試分別判別其工作狀態(tài)（可變電阻區(qū)，恒流區(qū)，截止區(qū)或不能正常工作）。(a)(b)(c)(d)D 3VD 5VD 5VD 9V5VGS 2VS 0VS 0VS 0VG3V 解：圖 (a)中，N溝增強(qiáng)型MOSFET，因?yàn)閂V，VV，所以工作在恒流區(qū)。 圖 (b)中,N溝耗盡型MOSFET，VV，VV，所以工作在可變電阻區(qū)。 圖 (c)中，P溝增強(qiáng)型MOSFET，VV，VV，所以工作在恒流區(qū)。 圖（d）中，為N溝JFET，VV，所以工作在截止區(qū)。 （a）和（b）所示電路中。TRD 1kRG 1MRS 4kUSS(10V)(a)UDD(+10V)TC2RD 30kR21M C1RS 6k+Ui+UoR1 (b)UDD(+12V)（1）已知JFET的mV，V。試求、和的值。（2）已知MOSFET的。試求、和的值。解(1) 解得：(2) 解得： ：在工作點(diǎn)上的管子跨gm=1mS，rds=200kΩ，R1=300 kΩ，R2=100kΩ，R3=1MΩ，R4=10kΩ，R5=2kΩ，R6=2kΩ，試估算放大電路的電壓增益、輸入電阻、輸出電阻。第四章 。(1) 試說(shuō)明該放大器的中頻增益、上限頻率fH和下限頻率fL、通頻帶BW。10102103104105106107102030400f/Hz20lg(Au)dB(2) 當(dāng)和時(shí)，輸出信號(hào)有無(wú)失真？是何種性質(zhì)的失真？分別說(shuō)明之。解：(1)：中頻增益為40dB，即100倍，fH=106Hz, fL=10Hz（在fH和fL處，增益比中頻增益下降30dB）。(2)當(dāng)時(shí)，其中f=104Hz的頻率在中頻段，而的頻率在高頻段，可見(jiàn)輸出信號(hào)要產(chǎn)生失真，即高頻失真。當(dāng)時(shí)，f=5Hz的頻率在低頻段，f=104Hz的頻率在中頻段，所以輸出要產(chǎn)生失真，即低頻失真。 ，試寫(xiě)出β的頻率特性表達(dá)式，分別指出該管的ωβ、ωT各為多少？并畫(huà)出其相頻特性的近似波特圖。 ω /Mrad/s04590(b) (b)所示。 某一放大器的中頻增益為AuI=40dB，上限頻率為fH=2MHz，下限頻率fL=100Hz，輸出不失真的動(dòng)態(tài)范圍為Uopp=10V。輸入下列信號(hào)時(shí)會(huì)產(chǎn)生什么失真？（1）、ui(t)=(2π104t)(V) （2）、ui(t)=10sin(2π3106t)(mV)（3）、ui(t)=10sin(2π400t)+ 10sin(2π106t) (mV)（4）、ui(t)=10sin(2π10t)+ 10sin(2π5104t) (mV)（5）、ui(t)=10sin(2π103t)+ 10sin(2π107t) (mV)解：（1）輸入信號(hào)為單一頻率正弦波，所以不存在頻率失真問(wèn)題。但由于輸入信號(hào)幅度較大（）,2100＝20V，已大大超過(guò)輸出不失真動(dòng)態(tài)范圍（UOPP=10V）,故輸出信號(hào)將產(chǎn)生嚴(yán)重的非線(xiàn)性失真（波形出現(xiàn)限幅狀態(tài)）。（2）輸入信號(hào)為單一頻率正弦波，雖然處于高頻區(qū)，但也不存在頻率失真問(wèn)題。又因?yàn)樾盘?hào)幅度較小，為10m V,經(jīng)放大后峰峰值為100210＝2V，故也不出現(xiàn)非線(xiàn)性失真。(3) 輸入信號(hào)兩個(gè)頻率分量分別為10Hz及1MHz，均處于放大器的中頻區(qū)，不會(huì)產(chǎn)生頻率失真，又因?yàn)樾盘?hào)幅度較小（10m V）,故也不會(huì)出現(xiàn)非線(xiàn)性失真。（4）輸入信號(hào)兩個(gè)頻率分量分別為10Hz及50KHz，一個(gè)處于低頻區(qū)，而另一個(gè)處于中頻區(qū)，故經(jīng)放大后會(huì)出現(xiàn)低頻頻率失真，又因?yàn)樾盘?hào)幅度小，疊加后放大器也未超過(guò)線(xiàn)性動(dòng)態(tài)范圍，所以不會(huì)有非線(xiàn)性失真。（5）輸入信號(hào)兩個(gè)頻率分量分別為1KHz和10MHz，一個(gè)處于中頻區(qū)，而另一個(gè)處于高頻區(qū)，故信號(hào)經(jīng)放大后會(huì)出現(xiàn)高頻頻率失真。同樣，由于輸入幅度小。不會(huì)出現(xiàn)非線(xiàn)性頻率失真。 (a)所示，已知晶體管的。(1) 試畫(huà)出電路的高頻等效電路。(2) 利用密勒近似求上限頻率fH。+VCCUo+RB500k RC2k RERL2k C1 10F RS C210F (a)+RS UsRB rbb’Ub’eCb’eCb’cgmUb’eRC//RL +Uo+rb’e(b)Us10F 解：(1)(b)所示： (3) 利用密勒近似，將Cb’c折算到輸入端，即 第五章，試求各支路電流值。設(shè)各晶體管V。V1V5V2V3V4IRI5I3I4+6V6V1k5k5k10k2k 解：。先求參考電流， （mA）則 （mA）（mA）（mA） 。已知晶體管和的，并設(shè)UBE(on)=,rbb’=0,rce=165。+V1V2+UCCui1ui2RC
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