【文章內容簡介】 因素。圖23 電感電阻串聯電路及其電流波形 步進電機的相繞組可以等效為一個電感一電阻串聯電路。圖23表明了一個電感一電阻電路的電氣特性。在 t=0時刻，電壓V施加到該電路上時，電路中的電流變化規(guī)律為: I(t)=V(1eRt/L)/R通電瞬間繞組電流上升速率為:di(0)/dt=V/t經過一段時間，電流達到最大值: Imax=V/RL/R定義為該電路的時間常數，是電路中的電流達到最大電流Imax的63%所需要的時間。在 t=t:時刻，電路斷開與直流電壓源V的連接，并且短路，電路中的電流以初始速率一V/L開始下降，電流變化規(guī)律為:I(t)=VeR(tt1)/L/R不同頻率的矩形波電壓施加到該電路上，電流波形如圖32所示。低頻時電流能夠達到最大值(a)。當矩形波頻率上升達到某一臨界頻率，電流剛達到最大值就開始下降((b):矩形波頻率超過此臨界值后，繞組中的電流不能達到最大值 (c)。因為步進電機轉矩的大小與繞組的電流成正比，所以電機低速運行時，電機能夠達到其額定轉矩，而在某一特定頻率以上運行時，繞組電流隨著頻率的提高逐漸下降，電機轉矩也相應逐漸減小，從而降低了高速運轉時帶負載能力。圖24 不同頻率脈沖作用下電感電阻電路的電流波形要改善電機高速運行時的性能，有兩種辦法:提高電流上升速度 VA 和減小時間常數 L/R?？梢酝ㄟ^加大繞組的電壓從而增加電流上升的速率得時間常數?；蛘咴陔娐分写撾娮?，使L/R減少。 單片機原理單片機（singlechip microputer）是把微型計算機主要部分都集成在一塊芯片上的單芯片微型計算機。圖25中表示單片機的典型結構圖。由于單片機的高度集成化，縮短了系統(tǒng)內的信號傳送距離，優(yōu)化了結構配置，大大地提高了系統(tǒng)的可靠性及運行速度，同時它的指令系統(tǒng)又很適合于工業(yè)控制的要求，所以單片機在工業(yè)過程及設備控制中得到了廣泛的應用。圖25典型單片機結構圖 單片機在進行實時控制和實時數據處理時，需要與外界交換信息。人們需要通過人機對話，了解系統(tǒng)的工作情況和進行控制。單片機芯片與其它CPU比較，功能雖然要強得多，但由于芯片結構、引腳數目的限制，片內ROM、RAM、I/O口等不能很多，在構成實際的應用系統(tǒng)時需要加以擴展，以適應不同的工作情況。單片機應用系統(tǒng)的構成基本上如圖26所示。圖26 單片機的應用系統(tǒng)單片機應用系統(tǒng)根據系統(tǒng)擴展和系統(tǒng)配置的狀況，可以分為最小應用系統(tǒng)、最小功耗系統(tǒng)、典型應用系統(tǒng)。本設計是設計一款最小應用系統(tǒng)，最小應用系統(tǒng)是指能維持單片機運行的最簡單配置的系統(tǒng)。這種系統(tǒng)成本低廉、結構簡單，常用來構成簡單的控制系統(tǒng)，如開關量的輸入/輸出控制、時序控制等。對于片內有ROM/EPROM的芯片來說,最小應用系統(tǒng)即為配有晶體振蕩器、復位電路和電源的單個芯片；對與片內沒有ROM/EPROM芯片來說，其最小應用系統(tǒng)除了應配置上述的晶振、復位電路和電源外，還應配備EPROM或EEPROM作為程序存儲器使用。 AT89C51簡介AT89C51的主要參數如表21所示：表21 AT89C51的主要參數型號存儲器定時器I/0串行口中斷速度（MH）其它特點E178。PROMROMRAM89C514K1282321624低電壓AT89C51含E178。PROM電可編閃速存儲器。有兩級或三級程序存儲器保密系統(tǒng)，防止E178。PROM中的程序被非法復制。不用紫外線擦除，提高了編程效率。程序存儲器E178。PROM容量可達20K字節(jié)。AT89C51是一種帶4K字節(jié)閃爍可編程可擦除只讀存儲器（FPEROM—Falsh Programmable and Erasable Read Only Memory）的低電壓，高性能CMOS8位微處理器，俗稱單片機。該器件采用ATMEL高密度非易失存儲器制造技術制造，與工業(yè)標準的MCS51指令集和輸出管腳相兼容。由于將多功能8位CPU和閃爍存儲器組合在單個芯片中，ATMEL的AT89C51是一種高效微控制器，為很多嵌入式控制系統(tǒng)提供了一種靈活性高且價廉的方案。其引腳如圖27所示。主要特性：與MCS51 兼容4K字節(jié)可編程閃爍存儲器壽命：1000寫/擦循環(huán) 圖27 單片機的引腳排列全靜態(tài)工作：0Hz24Hz三級程序存儲器鎖定128*8位內部RAM32可編程I/O線兩個16位定時器/計數器5個中斷源可編程串行通道低功耗的閑置和掉電模式片內振蕩器和時鐘電路管腳說明： VCC：供電電壓。 GND：接地。P0口：P0口為一個8位漏級開路雙向I/O口，每腳可吸收8TTL門電流。當P1口的管腳第一次寫1時，被定義為高阻輸入。P0能夠用于外部程序數據存儲器，它可以被定義為數據/地址的第八位。在FIASH編程時，P0 口作為原碼輸入口，當FIASH進行校驗時，P0輸出原碼，此時P0外部必須被拉高。P1口：P1口是一個內部提供上拉電阻的8位雙向I/O口，P1口緩沖器能接收輸出4TTL門電流。P1口管腳寫入1后，被內部上拉為高，可用作輸入，P1口被外部下拉為低電平時，將輸出電流，這是由于內部上拉的緣故。在FLASH編程和校驗時，P1口作為第八位地址接收。P2口：P2口為一個內部上拉電阻的8位雙向I/O口，P2口緩沖器可接收，輸出4個TTL門電流，當P2口被寫“1”時，其管腳被內部上拉電阻拉高，且作為輸入。并因此作為輸入時，P2口的管腳被外部拉低，將輸出電流。這是由于內部上拉的緣故。P2口當用于外部程序存儲器或16位地址外部數據存儲器進行存取時，P2口輸出地址的高八位。在給出地址“1”時，它利用內部上拉優(yōu)勢，當對外部八位地址數據存儲器進行讀寫時，P2口輸出其特殊功能寄存器的內容。P2口在FLASH編程和校驗時接收高八位地址信號和控制信號。P3口：P3口管腳是8個帶內部上拉電阻的雙向I/O口，可接收輸出4個TTL門電流。當P3口寫入“1”后，它們被內部上拉為高電平，并用作輸入。作為輸入，由于外部下拉為低電平，P3口將輸出電流（ILL）這是由于上拉的緣故。 P3口也可作為AT89C51的一些特殊功能口，如下所示： P3口管腳備選功能 RXD（串行輸入口） TXD（串行輸出口） /INT0（外部中斷0） /INT1（外部中斷1） T0（記時器0外部輸入） T1（記時器1外部輸入） /WR（外部數據存儲器寫選通） /RD（外部數據存儲器讀選通） P3口同時為閃爍編程和編程校驗接收一些控制信號。RST：復位輸入。當振蕩器復位器件時，要保持RST腳兩個機器周期的高電平時間。 ALE/PROG：當訪問外部存儲器時，地址鎖存允許的輸出電平用于鎖存地址的地位字節(jié)。在FLASH編程期間，此引腳用于輸入編程脈沖。在平時，ALE端以不變的頻率周期輸出正脈沖信號，此頻率為振蕩器頻率的1/6。因此它可用作對外部輸出的脈沖或用于定時目的。然而要注意的是：每當用作外部數據存儲器時，將跳過一個ALE脈沖。如想禁止ALE的輸出可在SFR8EH地址上置0。此時， ALE只有在執(zhí)行MOVX，MOVC指令是ALE才起作用。另外，該引腳被略微拉高。如果微處理器在外部執(zhí)行狀態(tài)ALE禁止，置位無效。 /PSEN：外部程序存儲器的選通信號。在由外部程序存儲器取指期間，每個機器周期兩次/PSEN有效。但在訪問外部