【總結】第三章集成運算放大器集成運算放大器在科學領域獲得了極為廣泛應用。按其功能可分為信號運算電路、信號處理電路、信號發(fā)生電路等。本章重點討論信號運算、信號處理和信號產(chǎn)生電路。學習本章內容,要求理解運算放大器在深度負反饋下的特點,在此基礎上掌握運放外接反饋網(wǎng)絡所構成的電路的分析和應用。本章基本要求1.正確理解集成運算放大器在深度負反饋條件下“虛短”和“虛斷”的特點以及集成運放的主要
2025-06-23 22:37
【總結】目錄第1章電力電子器件2222222221第2章整流電路222222222224第3章直流斬波電
2024-11-17 10:06
【總結】第10章電力電子技術的應用晶閘管直流電動機系統(tǒng)變頻器和交流調速系統(tǒng)不間斷電源開關電源功率因數(shù)校正技術電力電子技術在電力系統(tǒng)中的應用電力電子技術的其他應用
2025-04-30 02:29
【總結】模擬電子技術集成電路運算放大器的線性應用第六章小結一般問題基本運算電路對數(shù)和指數(shù)運算電路 集成模擬乘法器有源濾波電路模擬電子技術運算放大器的兩個工作區(qū)域(狀態(tài))1.運放的電壓傳輸特性:設:電源電壓±VCC=±10V。
2025-02-26 08:11
【總結】第六章幅度調制與解調電路?6.1概述?6.1.1振幅調制電路?幅度調制電路是通信電路,特別是無線電發(fā)射機的重要組成部分,按輸出功率的高低,可分為高電平調幅電路和低電平調幅電路。高電平調幅電路一般置于發(fā)射機的最后一級,是在功率電平較高的情況下進行調制。電路除了實現(xiàn)幅度調制,還具有功率放大的功能,以提供有一定功率要求的調幅波。一般是使
2025-08-05 18:27
【總結】第2章習題答案1.概念題:(1)常溫下,N型半導體在導電時有空穴載流子參與嗎?(有)P型半導體在導電時有電子載流子參與嗎?(有)(2)在不加外電壓時,PN結內部有沒有電子的運動?(有)將P極和N極相連并串接電流表會有電流指示嗎?(無)(3)PN結加正向電壓時空間電荷區(qū)將變寬嗎(不是)P+N結加反向電壓哪邊將變得更寬(N邊)(4)作漂移運動的
2025-06-24 23:32
【總結】第6章時序邏輯電路概述時序邏輯電路的分析方法計數(shù)器寄存器和移位寄存器同步時序邏輯電路的設計退出返回主目錄概述1、時序電路的特點時序電路在任何時刻的穩(wěn)定輸出,不僅與該時刻的輸入信號有關,而且還與電路原來的狀態(tài)有關。數(shù)字邏輯電路組合邏輯電路——
2025-01-01 15:48
【總結】電子技術基礎試題(六)一.填空題:(每題3分,共30分)1、半導體是一種電能力介于_______與_______之間的物體。2、2CP系列晶體二極管是_____半導體材料制成的。3、表征放大器中晶體三極管靜態(tài)工作點的參數(shù)有______、______和______。4、對于一個晶體管放大器來說,一般希望其輸入電阻要_____些,以減輕信號源的負擔,輸出電阻要______些,以增
2025-08-05 10:39
【總結】第一章習題答案一、填空題1.增大、增大、下2.濃度差異、電場3.五、三4.自由電子、空穴、空穴、自由電子5.N、自由電子、空穴6.本征半導體、雜質半導體7.高于8.正偏、反偏、單向導電性9.電擊穿、熱擊穿10.高、低、單向導電11.限流電阻12.點接觸、面接觸13.減小、增大14.大、小1
【總結】電工電子技術試題答案及評分標準第1頁(共2頁)試卷編號:9016浙江廣播電視大學2022年秋季學期開放教育本科補修課程考試《電工電子技術》試題答案及評分標準2022年1月一、填空題(每空2分,共40分)1.2A。2.010
2025-01-09 03:52
【總結】好文檔盡在阿燈免費目錄第1章電力電子器件 1第2章整流電路 4第3章直流斬波電路 20第4章交流電力控制電路和交交變頻電路 26第5章逆變電路 31第6章PWM控制技術 35第7章軟開關技術 40第8章組合變流電路 42第1章電力電子器件
2025-06-18 13:42
【總結】第三部分習題與解答習題1客觀檢測題一、填空題1、在雜質半導體中,多數(shù)載流子的濃度主要取決于摻入的雜質濃度,而少數(shù)載流子的濃度則與溫度有很大關系。2、當PN結外加正向電壓時,擴散電流大于漂移電流,耗盡層變窄。當外加反向電壓時,擴散電流小于漂移電流,耗盡層變寬。3、在N型半導體中,電子為多數(shù)載流子,空穴為少數(shù)載流子。二.
2025-08-05 07:58
【總結】第一章半導體基礎知識自測題一、(1)√(2)×(3)√(4)×(5)√(6)×二、(1)A(2)C(3)C(4)B(5)AC三、UO1≈UO2=0UO3≈-UO4≈2VUO5≈UO6≈-2V四、UO1=6VUO2=5V五、根據(jù)PCM=200mW可得:UCE=40
2025-06-24 23:33
【總結】....第1章檢測題(共100分,120分鐘)一、填空題:(,共25分)1、N型半導體是在本征半導體中摻入極微量的五價元素組成的。這種半導體內的多數(shù)載流子為自由電子,少數(shù)載流子為空穴,不能移動的雜質離子帶正電。P型半導體是在本征半導體中摻入極微量的三價元素組
2025-06-23 15:22
【總結】第1章檢測題()一、填空題:()1、N型半導體是在本征半導體中摻入極微量的五價元素組成的。這種半導體內的多數(shù)載流子為自由電子.少數(shù)載流子為空穴.不能移動的雜質離子帶正電。P型半導體是在本征半導體中摻入極微量的三價元素組成的。這種半導體內的多數(shù)載流子為空穴.少數(shù)載流子為自由電子.不能移動的雜質離子帶負電。2、三極管的內部結構是由發(fā)射區(qū)、基區(qū)
2025-08-05 09:36