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正文內(nèi)容

hl-2anbi設(shè)計(jì)、離子束和電子束特性研究(編輯修改稿)

2025-07-20 19:32 本頁(yè)面
 

【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 提出了HL2A 60kKeV,55A,2sS桶式離子源放電室和引出系統(tǒng)的設(shè)計(jì)考慮。在放電室的設(shè)計(jì)考慮中,分析了放電室尺寸、永久磁鐵排列和燈絲形狀尺寸排列對(duì)離子源性能的影響,給出了相關(guān)部分的硬件設(shè)計(jì)。同時(shí),確定和計(jì)算了一些重要的放電參數(shù)和源等離子體參數(shù)。在引出系統(tǒng)設(shè)計(jì)考慮中,從物理機(jī)制和技術(shù)工藝上比較了三電極系統(tǒng)和四電極系統(tǒng)、孔型引出和縫型引出以及不同聚焦方式的優(yōu)缺點(diǎn),給出了引出系統(tǒng)的設(shè)計(jì)參數(shù)。3.1 離子偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)的磁場(chǎng)分布計(jì)算。在300A直流電的驅(qū)動(dòng)下,在束傳輸區(qū)域建立起相當(dāng)均勻的磁場(chǎng)。3.2大功率磁緩沖器研究。通過對(duì)幾種不同軟磁材料的BH曲線的測(cè)量,認(rèn)為非晶材料具有高μ,低磁滯損耗,低Br特性,其特性與薄鍍膜合金材料有類似的特性,是一種具有良好軟磁特性的新型材料,但價(jià)格比是非晶比
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