基于proteus的電子體溫計(jì)的設(shè)計(jì)與仿真(編輯修改稿)
2025-07-20 13:57 本頁面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 TL0=(6553650000)%256。EA=1。 //開總允許中斷ET0=1。 //開定時(shí)器T0中斷TR0=1。 //啟動(dòng)定時(shí)器T0}/******1us的延時(shí)(12M)延時(shí)子程序*******/void delay_us(uchar x) //when crystal is 12M ,a*2+5 us ,{ // 子程序調(diào)用要5us,while 就等于DJNZ指令while (x)。 //x取值1～255；}/******1ms的延時(shí)(12M)延時(shí)子程序*******/void delay_ms(uchar x){uchar i,j。for (i=0。 ix。 i++)for (j=0。 j200。 j++){_nop_()。 //一個(gè)nop約1us_nop_()。}}/*********dds18b20初始化*******/void init1820(void){DQ = 1。 //復(fù)位_nop_()。 //稍做延時(shí)DQ = 0。 //拉低數(shù)據(jù)線，準(zhǔn)備Reset OneWire Bus；delay_us(125)。 //延時(shí)要大于480us小于960us,延時(shí)510us，釋放總線delay_us(125)。DQ = 1。 //提升數(shù)據(jù)線；delay_us(15)。 //延時(shí)35us；ds18b20要等待1516us15while(DQ) //等待器件信號(hào),檢測(cè)應(yīng)答脈沖信號(hào){_nop_()。}delay_us(60)。 //延時(shí)125us；DQ = 1。 //提升數(shù)據(jù)線，準(zhǔn)備數(shù)據(jù)傳輸；}/****寫數(shù)據(jù)的一個(gè)字節(jié)，滿足寫1和些0的時(shí)隙要求****/void write1820(uchar a){uchar i。for(i=0。i8。i++){if(a amp。 0x01) // 寫1,低位在前；{DQ = 0。 //拉低電平，結(jié)束Recovery time；_nop_()。 //延時(shí)，使得15us以內(nèi)拉高電平_nop_()。_nop_()。DQ = 1。 //發(fā)送數(shù)據(jù)。}else //寫0DQ = 0。_nop_()。_nop_()。_nop_()。delay_us(30)。 //等待Slave Device采樣；DQ = 1。 //復(fù)位。_nop_()。 //短延時(shí)。a = 1。 //右移一位}}uchar read1820(void){uchar i。uchar temp=0。DQ = 1。_nop_()。 //準(zhǔn)備讀；for(i=0。i8。i++){temp = 1。 //低位先發(fā)；DQ = 0。 //讀開始脈沖；_nop_()。 //延時(shí)；16DQ = 1。 //必須寫1，否則讀出來的將是不預(yù)期的數(shù)據(jù)；delay_us(2)。 //延時(shí)9us；_nop_()。if(DQ) //在12us處讀取數(shù)據(jù)；temp |= 0x80。delay_us(30)。 //延時(shí)65us；DQ = 1。 //拉高電平_nop_()。 //恢復(fù)總線；}return temp。}void Rdtemp(void){uchar k,tmp_int。uint tp。float m=, tmp_float。init1820()。 //初始化DS1820display()。write1820(0xcc)。 //跳過ROM//delay_ms(2)。write1820(0x44)。 //溫度轉(zhuǎn)換命令// _nop_()。// DQ=1。// delay_ms(250)。 //多個(gè)1820時(shí)要延時(shí)，單個(gè)就不用// delay_ms(250)。// delay_ms(250)。init1820()。 //初始化DS1820display()。write1820(0xcc)。 //跳過ROMwrite1820(0xbe)。 //讀占存器命令display()。Temp_L=read1820()。 //溫度值低位字
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