計算機(jī)知識點整合(編輯修改稿)
2025-07-19 15:17 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 單元個數(shù)存儲字長（單位為b）或 存儲容量（主存能存放二進(jìn)制代碼的總位數(shù)）=存數(shù)單元個數(shù)存儲字長/8（單位為B）存儲速度：由存取時間和存取周期來表示的 存取時間：（存儲器的訪問時間）指啟動一次存儲器操作到完成該操作所需的全部時間 寫入時間：從存儲器接收到有效地址開始，到數(shù)據(jù)寫入被選中單元為止 讀出時間：從存儲器接收到有效地址開始，到產(chǎn)生有效輸出所需的時間 存取周期：存儲器進(jìn)行連續(xù)兩次獨立的存儲器操作所需的最小間隔時間，通常大于存取時間。 存儲器帶寬：與存儲周期密切相關(guān)，表示單位時間內(nèi)存儲器存取的信息量，單位字/秒或字節(jié)/秒或位/秒。 帶寬是衡量數(shù)據(jù)傳輸率的重要技術(shù)指標(biāo)。提高帶寬可采取的措施： 縮短存取周期 增加存儲字長，使每個存取周期可讀/寫更多的二進(jìn)制位數(shù) 增加存儲體半導(dǎo)體存儲芯片的譯碼驅(qū)動方式：線選法、重合法動態(tài)RAM的刷新方式：集中刷新、分散刷新、異步刷新動態(tài)RAM比靜態(tài)RAM應(yīng)用要廣泛得多，原因是： 動態(tài)RAM集成度遠(yuǎn)高于靜態(tài)RAM 動態(tài)RAM行、列地址按先后順序輸送，減少了芯片引腳，封裝尺寸也減少 動態(tài)RAM功耗比靜態(tài)的小 價格便宜，容量大，靜態(tài)RAM的存儲周期比動態(tài)的快4~8倍，但價格也貴8~16倍動態(tài)RAM的缺點：速度慢，需要再生，也需要配置再生電路，也需要消耗一部分功率，通常容量不大的高速緩沖存儲器大多用靜態(tài)RAM對于半導(dǎo)體ROM而言，基本器件為：MOS和TTL只讀存儲器：掩膜ROM（MROM）：容量為11位。無法改變原始狀態(tài) PROM：可實現(xiàn)一次性編程的只讀存儲器 EPROM：是可擦除可編程的只讀存儲器EPROM的改寫方法：一是用紫外線照射，但擦除時間長且不能對個別需要改寫的單元進(jìn)行單獨擦除或重寫。二是用電氣方法將存儲內(nèi)容擦除，再重寫FLASH MEMORY（閃速存儲器、快擦型存儲器）的優(yōu)點：它是在EPROM、EEPROM工藝基礎(chǔ)上產(chǎn)生的一種新型的、具有性能價格比更好、可靠性更高的可擦寫非易失性存儲器，價格便宜、集成度高、電可擦除重寫、可整片擦除、重寫速度快、存儲器訪問周期短、功耗低、計算機(jī)接口簡單、大容量閃存可代替磁盤等。提高訪存速度的措施：單體多字系統(tǒng) 多體并行系統(tǒng)：高位地址可表示體號，地位地址為體內(nèi)地址 高性能存儲芯片：也是提高主存速度的措施之一 ①SDROM（同步DROM） ②RDROM ③帶CACHE的DRAM(CDRAM) 高速緩沖存儲器（cache）存儲器控制部件：具有合理安排各部件請求訪問的順序以及控制主存讀/寫操作的功能。 組成：排隊器、存控標(biāo)記觸發(fā)器、節(jié)拍發(fā)生器、控制線路輔助存儲器：特點：容量大、速度慢、價格低、可脫機(jī)保存信息等，屬“非易失性”存儲器主存儲器：特點：容量小、成本高、速度快，且大多由半導(dǎo)體芯片構(gòu)成，所存信息無法永久保存。輔助存儲器：硬磁盤、軟磁盤、磁帶、光盤等，前三種為磁表面存儲器磁表面存儲器的主要技術(shù)指標(biāo)：記錄密度：單位長度內(nèi)所存儲的二進(jìn)制信息量，磁盤存儲器用道密度和位密度表示，磁帶則用位密度表示。 道密度： 位密度（線密度）： 在磁盤中，各磁道所記錄的信息量是相同的，位密度則不同，一般指磁盤的位密度時，指的是最內(nèi)圈磁道上的位密度（最大位密度）。存儲容量：所能存的二進(jìn)制信息總數(shù)量，一般以位或字節(jié)為單位。 磁盤的存儲容量計算公式： 磁盤有非格式化容量（可利用的磁化單元總數(shù)）和格式化容量（按某種特定的記錄格式所能存儲信息的總量）兩個指標(biāo)。平均尋址時間：分兩部分：一、磁頭尋找目標(biāo)磁道的找道時間 二、磁頭等待欲讀/寫的磁道區(qū)段旋轉(zhuǎn)到磁頭下方所需要的等待時間數(shù)據(jù)傳輸速率：單位時間內(nèi)磁表面存儲器向主機(jī)傳送數(shù)據(jù)的位數(shù)或字節(jié)數(shù)，它與記錄密度、記錄介質(zhì)的運動
環(huán)評公示相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1