【文章內(nèi)容簡介】 器（DMASKTRIG）DMA屏蔽觸發(fā)寄存器（DMASKTRIG）控制DMA0～DMA3觸發(fā)狀態(tài)。第四章 簡述存儲器系統(tǒng)層次結(jié)構(gòu)及特點。 層次結(jié)構(gòu)：組成為6個層次的金字塔形的層次結(jié)構(gòu)，特點：上面一層的存儲器作為下一層存儲器的高速緩存。 簡述cache的分類與功能。 Cache可以分為統(tǒng)一cache和獨立的數(shù)據(jù)／程序cache。在一個存儲系統(tǒng)中，指令預(yù)取時和數(shù)據(jù)讀寫時使用同一個cache，這時稱系統(tǒng)使用統(tǒng)一的cache。如果在一個存儲系統(tǒng)中，指令預(yù)取時使用的一個cache，數(shù)據(jù)讀寫時使用的另一個cache，各自是獨立的，這時稱系統(tǒng)使用了獨立的cache，用于指令預(yù)取的cache稱為指令cache，用于數(shù)據(jù)讀寫的cache稱為數(shù)據(jù)cache。 簡述MMU的功能。 功能： （1）虛擬存儲空間到物理存儲空間的映射。采用了頁式虛擬存儲管理，它把虛擬地址空間分成一個個固定大小的塊，每一塊稱為一頁，把物理內(nèi)存的地址空間也分成同樣大小的頁。MMU實現(xiàn)的就是從虛擬地址到物理地址的轉(zhuǎn)換。（2）存儲器訪問權(quán)限的控制。（3）設(shè)置虛擬存儲空間的緩沖的特性。 簡述內(nèi)存映射概念。 MMU（Memory Manage Unit, 存儲管理單元）在CPU和物理內(nèi)存之間進行地址轉(zhuǎn)換，將地址從邏輯空間映射到物理空間，這個轉(zhuǎn)換過程一般稱為內(nèi)存映射。 簡述嵌入式系統(tǒng)內(nèi)存段、大頁、小頁、極小頁、域的含義。 段（section）大小為1MB的內(nèi)存塊； 大頁（Large Pages）大小為64KB的內(nèi)存塊；小頁（Small Pages）大小為4KB的內(nèi)存塊； 極小頁（Tiny Pages）大小為1KB的內(nèi)存塊。極小頁只能以1KB大小為單位不能再細分，而大頁和小頁有些情況下可以在進一步的劃分，大頁可以分成大小為16KB的子頁，小頁可以分成大小為1KB的子頁。 MMU中的 域 指的是一些段、大頁或者小頁的集合。每個域的訪問控制特性都是由芯片內(nèi)部的寄存器中的相應(yīng)控制位來控制的。例如在ARM嵌入式系統(tǒng)中，每個域的訪問控制特性都是由CP15中的寄存器C3中的兩位來控制的。 簡述在嵌入式系統(tǒng)中I/O操作被映射成存儲器操作的含義。 I/O操作通常被映射成存儲器操作，即輸入／輸出是通過存儲器映射的可尋址外圍寄存器和中斷輸入的組合來實現(xiàn)的。I/O的輸出操作可通過存儲器寫入操作實現(xiàn)；I/O的輸入操作可通過存儲器讀取操作實現(xiàn)。這些存儲器映射的I/O空間不滿足cache所要求的特性，不能使用cache技術(shù)，一些嵌入式系統(tǒng)使用存儲器直接訪問（DMA）實現(xiàn)快速存儲。 簡述嵌入式系統(tǒng)存儲設(shè)備的分類。存儲器：1．按在系統(tǒng)中的地位分類，可分為主存儲器（Main Memory簡稱內(nèi)存或主存）和輔助存儲器（Auxiliary Memory，Secondary Memory，簡稱輔存或外存）。 2．按存儲介質(zhì)分類，可分為磁存儲器（Magnetic Memory），半導(dǎo)體存儲器、光存儲器（Optical Memory）及激光光盤存儲器（Laser Optical Disk）。 3．按信息存取方式分類，分為隨機存取存儲器（Random Access Memory，RAM）和只讀存儲器（Read Only Memory，ROM）。 簡述存儲器的組織和結(jié)構(gòu)。 存儲器的容量是描述存儲器的最基本參數(shù)。存儲器的表示并不唯一，有不同表示方法，每種有不同的數(shù)據(jù)寬度。在存儲器內(nèi)部，數(shù)據(jù)是存放在二維陣列存儲單元中。陣列以二維的形式存儲，給出的n位地址被分成行地址和列地址（n＝r十c）。嵌入式存儲器通常由ROM、RAM、EPROM等組成，一般采用存儲密度較大的存儲器芯片，存儲容量與應(yīng)用的軟件大小相匹配。 簡述NOR Flash與NAND Flash的區(qū)別。區(qū)別： NOR Flash把整個存儲區(qū)分成若干個扇區(qū)（Sector），而NAND Flash把整個存儲區(qū)分成若干個塊（Block），可以對以塊或扇區(qū)為單位的內(nèi)存單元進行擦寫和再編程。 NAND Flash執(zhí)行擦除操作是十分簡單的，而NOR型內(nèi)存則要求在進行擦除前先要將目標塊內(nèi)所有的位都寫為0。 由于擦除NOR Flash時是以64～128KB為單位的塊進行的，執(zhí)行一個寫入／擦除操作的時間為5s，與此相反，擦除NAND Flash是以8～32KB的塊進行的，執(zhí)行相同的操作最多只需要4ms。 NOR Flash的讀速度比NAND Flash稍快一些，NAND Flash的寫入速度比NOR Flash快很多。NAND Flash的隨機讀取能力差，適合大量數(shù)據(jù)的連續(xù)讀取。 除了NOR Flash的讀，F(xiàn)lash Memory的其他操作不能像RAM那樣，直接對目標地址進行總線操作。 NOR Flash帶有SRAM接口，有足夠的地址引腳來尋址，可以很容易地存取其內(nèi)部的每一個字節(jié)。NAND Flash地址、數(shù)據(jù)和命令共用8位總線/16位總線，每次讀寫都要使用復(fù)雜的I/O接口串行地存取數(shù)據(jù)，8位總線/16位總線用來傳送控制、地址和資料信息。 NAND Flash讀和寫操作采用512B的塊，基于NAND的閃存可以取代硬盤或其他塊設(shè)備。 NOR Flash容量通常在1 MB～8MB之間。而NAND Flash用在8MB以上的產(chǎn)品當中。NOR Flash主要應(yīng)用在代碼存儲介質(zhì)中，NAND Flash適用于資料存儲。 所有Flash Memory器件存在位交換現(xiàn)象，使用NAND Flash的時候，同時使用EDC/ECC（錯誤探測／錯誤糾正）算法，以確?？煽啃?。 NAND Flash中的壞塊是隨機分布的，NAND Flash需要對介質(zhì)進行初始化掃描以發(fā)現(xiàn)壞塊，并將壞塊標記為不可用。 1應(yīng)用程序可以直接在NOR Flash內(nèi)運行，NOR Flash的傳輸效率很高，但是很低的寫入和擦除速度大大影響了它的性能。NAND Flash結(jié)構(gòu)可以達到高存儲密度，并且寫入和擦除的速度也很快，應(yīng)用NAND Flash的困難在于需要特殊的系統(tǒng)接口。 1在NOR Flash上運行代碼不需要任何的軟件支持。在NAND Flash上進行同樣操作時，通常需要驅(qū)動程序（MTD），NAND Flash和NOR Flash在進行寫入和擦除操作時都需要MTD。1 簡述Flash存儲器在嵌入式系統(tǒng)中的用途。 Flash memory（閃速存儲器）是嵌入式系統(tǒng)中重要的組成部分，用來存儲程序和數(shù)據(jù)，掉電后數(shù)據(jù)不會丟失。但在使用Flash Memory時，必須根據(jù)其自身特性，對存儲系統(tǒng)進行特殊設(shè)計，以保證系統(tǒng)的性能達到最優(yōu)。1 簡述CF卡的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作模式。CF卡有3種工作模式：PC卡ATA I/O模式、PC卡ATA存儲模式和實IDE模式。 結(jié)構(gòu)：1 簡述S3C2410A NAND Flash控制器的基本特性。特性：● NAND Flash模式：支持讀／擦除／編程NAND Flash存儲器?！? 自動啟動模式：復(fù)位后，啟動代碼被傳送到Steppingstone中。傳送完畢后，啟動代碼在Steppingstone中執(zhí)行?！? 具有硬件ECC產(chǎn)生模塊（硬件生成校驗碼和通過軟件校驗）?！? 在NAND Flash啟動后，Steppingstone 4KB內(nèi)部SRAM緩沖器可以作為其他用途使用。● NAND Flash控制器不能通過DMA訪問，可以使用LDM/ STM指令來代替DMA操作。1 分析S3C2410A NAND Flash控制器內(nèi)部結(jié)構(gòu)，并簡述其功能。1 簡述SDRAM的特點。SDRAM可讀／可寫，不具有掉電保持數(shù)據(jù)的特性，但其存取速度大大高于Flash存儲器。在嵌入式系統(tǒng)中，SDRAM主要用做程序的運行空間、數(shù)據(jù)及堆棧區(qū)。當系統(tǒng)啟動時，CPU首先從復(fù)位地址0x0處讀取啟動代碼，在完成系統(tǒng)的初始化后，程序代碼一般應(yīng)調(diào)入SDRAM中運行，以提高系統(tǒng)的運行速度。同時，系統(tǒng)及用戶堆棧、運行數(shù)據(jù)也都放在SDRAM中。微處理器具有刷新控制邏輯，或在系統(tǒng)中另外加入刷新控制邏輯電路，以避免數(shù)據(jù)丟失。但某些ARM芯片則沒有SDRAM刷新控制邏輯，不能直接與SDRAM接口，在進行系統(tǒng)設(shè)計時應(yīng)注意這一點。常用的SDRAM為8位/16位的數(shù)據(jù)寬度。規(guī)范。2 簡述SD卡的接口。SD存儲卡兼容MMC卡接口規(guī)范，采用9芯的接口（CLK為時鐘線，CMD為命令／響應(yīng)線，DAT0～DAT3為雙向數(shù)據(jù)傳輸線，VDD、Vss1和Vss2為電源和地），最大的工作頻率是25MHz，標準SD的外形尺寸是24mm32mm，SD卡系統(tǒng)支持SD和SPI方式兩種通信協(xié)議。SD卡在結(jié)構(gòu)上使用一主多從星型拓撲結(jié)構(gòu)。第五章1. 分析雙向GPIO端口（D0）的功能邏輯圖（），簡述其工作原理。DDR設(shè)置端口的方向。如果DDR的輸出為1，則GPIO端口為輸出形式；如果DDR的輸出為零，則GPIO端口為輸入形式。寫入WR—DDR信號能夠改變DDR的輸出狀態(tài)。DDR在微控制器地址空間中是一個映射單元。這種情況下，如果需要改變DDR，則需要將恰當?shù)闹抵糜跀?shù)據(jù)總線的第0位（即D0），同時激活WR—DDR信號。讀DDR，就能得到DDR的狀態(tài)，同時激活RD—DDR信號。如果設(shè)置PORT引腳端為輸出，則PORT寄存器控制著該引腳端狀態(tài)。如果將PORT引腳端設(shè)置為輸入，則此輸入引腳端的狀態(tài)由引腳端上的邏輯電路層來實現(xiàn)對它的控制。對PORT寄存器的寫操作，需要激活WR—PORT信號。PORT寄存器也映射到微控制器的地址空間。需指出，即使當端口設(shè)置為輸入時，如果對PORT寄存器進行寫操作，并不會對該引腳產(chǎn)生影響。但從PORT寄存器的讀出，不管端口是什么方向，總會影響該引腳端的狀態(tài)。3. 分析計數(shù)式A/D轉(zhuǎn)換器結(jié)構(gòu)圖（），簡述其工作原理。計數(shù)式A/。其中，Vi是模擬輸入電壓，VO是D/A轉(zhuǎn)換器的輸出電壓，C是控制計數(shù)端，當C=1（高電平）時，計數(shù)器開始計數(shù)，C=0（低電平）時，則停止計數(shù)。D7～D0是數(shù)字量輸出，數(shù)字輸出量同時驅(qū)動一個D/A轉(zhuǎn)換器。4. 分析雙積分式A/D轉(zhuǎn)換器工作原理雙積分式A/D轉(zhuǎn)換器對輸入模擬電壓和參考電壓進行兩次積分，將電壓變換成與其成正比的時間間隔，利用時鐘脈沖和計數(shù)器測出其時間間隔，完成A/D轉(zhuǎn)換。雙積分式A/D轉(zhuǎn)換器主要包括積分器、比較器、計數(shù)器和標準電壓源等部件，（a）所示。5. 分析逐次逼近式A/D轉(zhuǎn)換器結(jié)構(gòu)圖（），簡述其工作原理。其工作過程可與天平稱重物類比，電壓比較器相當于天平，被測電壓Ux相當于重物，基準電壓Ur相當于電壓法碼。該方案具有各種規(guī)格的按8421編碼的二進制電壓法碼Ur，根據(jù)UxUr和UxUr，比較器有不同的輸出以打開或關(guān)閉逐次逼近寄存器的各位。6. 簡述A/D轉(zhuǎn)換器的主要指標。（1）分辨率（Resolution）分辨率用來反映A/D轉(zhuǎn)換器對輸入電壓微小變化的響應(yīng)能力，通常用數(shù)字輸出最低位（LSB）所對應(yīng)的模擬輸入的電平值表示。（2）精度（Accuracy）精度有絕對精度（Absolute Accuracy）和相對精度（Relative Accuracy）兩種表示方法。①絕對精度：在一個轉(zhuǎn)換器中，對應(yīng)于一個數(shù)字量的實際模擬輸入電壓和理想的模擬輸入電壓之差并非是一個常數(shù)。②相對精度是指整個轉(zhuǎn)換范圍內(nèi)，任一數(shù)字量所對應(yīng)的模擬輸入量的實際值與理論值之差，用模擬電壓滿量程的百分比表示。（3）轉(zhuǎn)換時間（Conversion Time）轉(zhuǎn)換時間是指完成一次A/D轉(zhuǎn)換所需的時間，即由發(fā)出啟動轉(zhuǎn)換命令信號到轉(zhuǎn)換結(jié)束信號開始有效的時間間隔。（4）量程，量程是指所能轉(zhuǎn)換的模擬輸入電壓范圍，分單極性、雙極性兩種類型。7. 分析S3C2410A的A/D轉(zhuǎn)換器和觸摸屏接口電路，簡述其工作原理。S3C2410A包含一個8通道的A/D轉(zhuǎn)換器，該電路可以將模擬輸入信號轉(zhuǎn)換成10位數(shù)字編碼（10位分辨率），差分線性誤差為177。 LSB，積分線性誤差為177。 LSB。在A/ MHz時，其最大轉(zhuǎn)換率為500 KSPS（Kilo Samples Per Second，千采樣點每秒），輸入電壓范圍是0～。A/D轉(zhuǎn)換器支持片上操作、采樣保持功能和掉電模式。S3C2410A的A/8. 與S3C2410A的A/D轉(zhuǎn)換器相關(guān)的寄存器有哪些？各自的功能？（1）ADC控制寄存器（ADCCON）ADC控制寄存器（ADCCON）是一個16位的可讀／寫的寄存器，地址為0x5800 0000，復(fù)位值為0x3FC4。（2）ADC觸摸屏控制寄存器（ADCTSC）ADC觸摸屏控制寄存器（ADCTSC）是一個可讀／寫的寄存器，地址為0x5800 0004，復(fù)位值為0x058。在正常A/D轉(zhuǎn)換時，AUTO_PST和XY_PST都置成0即可，其他各位與觸摸屏有關(guān)，不需要進行設(shè)置。（3）ADC啟動延時寄存器（ADCDLY ） ADC啟動延時寄存器（ADCDLY）是一個可讀／寫的寄存器，地址為0x5800 0008，復(fù)位值為0x00FF。（4）ADC轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)寄存器（ADCDAT0和ADCDAT1）S3C2410A有ADCDAT0和ADCDAT1兩個ADC轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)寄存器。ADCDAT0和ADCDAT1為只讀寄存器，地址分別為0x5800 000C和0x5800 0010。在觸摸屏應(yīng)用中，分別使用ADCDAT0和ADCDAT1保存X位置和Y位置的轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)。對于正常的A/D轉(zhuǎn)換，使用ADCDAT0來保存轉(zhuǎn)換后的數(shù)據(jù)。9. 簡述ADC控制寄存器（ADCCON）的位功能。ECFLG，15位：A/D轉(zhuǎn)換狀態(tài)標志（只讀）。0：A/D轉(zhuǎn)換中；1：A/D轉(zhuǎn)換結(jié)束 PRSCEN ，14位：A/D轉(zhuǎn)換器前置分頻器使能控制。0：禁止；1：使能 PRSCVL ，136位：A/D轉(zhuǎn)換器前置分頻器數(shù)值設(shè)置，數(shù)值取值范圍：1～255。注意：當前置分頻器數(shù)值為N時，分頻數(shù)值為N＋1。SEL_MUX ，53位：模擬輸入通道選擇。000：AIN0；001：AIN1；010：AIN2；0