arm嵌入式系統(tǒng)設計初步上(編輯修改稿)
2025-05-10 22:49 本頁面
【文章內容簡介】 024 0x50000034 寄存器 GPEDAT GPFDAT GPGDAT GPHDAT 地址 0x56000044 0x56000054 0x56000064 0x56000074 通用 I/O口相關寄存器續(xù) 端口上拉寄存器 端口上拉寄存器用于設置各端口線位上拉電阻的功能。 端口上拉寄存的符號為 GPnUP， n=B~H。 各端口上拉寄存的地址： 寄存器 GPBUP GPCUP GPDUP 地址 0x56000018 0x50000028 0x50000038 寄存器 GPEUP GPFUP GPGUP GPHUP 地址 0x56000048 0x56000058 0x56000068 0x56000078 通用 I/O口應用舉例 GPF端口有 8根線，每一根線的工作模式都可以通過對GPFCON的編程來配置。 GPF端口有 8根線的工作模式： 輸入（ INPUT）、輸出（ OUTPUT）、功能引腳（中斷信號輸入）。 GPF端口控制寄存器中控制位的配置： D1D0控制 GPF0線、 D3D2控制 GPF1線、以此類推， D15D14控制GPF7。具體控制編碼是： 00為輸入、 01為輸出、 10為功能引腳（中斷信號輸入）、 11為保留。 GPF端口連接 LED及其控制編程 GPF端口連接 LED及其控制編程續(xù) GPF端口與 LED連接電路： ARM處理器 GPF4 GPF4采用灌電流驅動 LED， GPF4=0， LED亮； GPF4=1， LED暗。 R0 R0是限流電阻，防止電流太大，損壞接口。 GPF端口連接 LED及其控制編程續(xù) 控制編程如下： define rGPFCON (*(volatile unsigned *)0x56000050)//Port F control define rGPFDAT (*(volatile unsigned *)0x56000054)//Port F data define rGPFUP (*(volatile unsigned *)0x56000058)//Pullup control F rGPFCON=rGPFCON|0x00000100。 //GPF4為輸出模式 rGPFUP=rGPFUP|0x10。 //GPF4線禁止接上拉電阻 rGPFDAT=rGPF4DAT| 0x10。 //GPF4輸出 1 rGPFDAT=rGPFDATamp。0xEF。 //GPF4輸出 0 GPC端口連接鍵鈕及其控制編程 GPC端口與鍵鈕的連接電路： ARM處理器 GPC1 R1 R1是外接的上拉電阻，其功能是當鍵鈕未按下時， GPC1線輸入是高電平。 GPC端口連接鍵鈕及其控制編程續(xù) 控制編程如下： define rGPCCON (*(volatile unsigned *)0x56000020)//Port F control define rGPCDAT (*(volatile unsigned *)0x56000024)//Port F data define rGPCUP (*(volatile unsigned *)0x56000028)//Pullup control F rGPCCON=rGPCCONamp。0xFFFFFFF3。 //GPC1為輸入模式 rGPCUP=rGPCUPamp。0xFFFD。 //GPC1線允許接上拉電阻 rGPCDAT=rGPCDATamp。0x0002。 //GPC1輸入 1，則 rGPCDAT=0x0002 rGPCDAT=rGPCDATamp。0x0000。 //GPC1輸入 0，則 rGPCDAT=0x0000 ARM系統(tǒng)中的存儲器結構 多層次的存儲器結構 在 PC中，存儲器系統(tǒng)是由硬盤、內存條和 CPU中的Cache組成。構成了多層次的存儲器結構。與此類似， ARM微機中的存儲器也是多層次的存儲器結構。由 NAND FLASH、 NOR FLASH、主存儲器和 CPU中的 Cache組成。 為什么計算機中采用不同類型的存儲器來構造存儲器系統(tǒng)呢？ 主要是鑒于速度和成本的考慮。 NAND FLASH存儲器 NAND FLASH是一種非易失性的半導體存儲器，具有以下特點： 1）
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