最新基于avr的錄音筆設(shè)計(jì)(編輯修改稿)
2025-07-16 13:32 本頁面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 通的 CISC 微控制器最高至 10 倍的數(shù)據(jù)吞吐率。ATmega16 有如下特點(diǎn):16K字節(jié)的系統(tǒng)內(nèi)可編程Flash(具有同時(shí)讀寫的能力，即RWW) ，512 字節(jié) EEPROM ，1K 字節(jié) SRAM ，32 個(gè)通用 I/O 口線，32 個(gè)通用工作寄存器，用于邊界掃描的 JTAG 接口，支持片內(nèi)調(diào)試與編程，三個(gè)具有比較模式的靈活的定時(shí)器 / 計(jì)數(shù)器(T/C),片內(nèi)/外中斷，可編程串行USART ，有起始條件檢測(cè)器的通用串行接口，8路 10位具有可選差分輸入級(jí)可編程增益 (TQFP 封裝 ) 的 ADC ，具有片內(nèi)振蕩器的可編程看門狗定時(shí)器，一個(gè) SPI 串行端口，以及六個(gè)可以通過軟件進(jìn)行選擇的省電模式。工作于空閑模式時(shí) CPU 停止工作，而 USART、兩線接口、 A/D 轉(zhuǎn)換器、 SRAM、 T/C、 SPI 端口以及中斷系統(tǒng)繼續(xù)工作；掉電模式時(shí)晶體振蕩器停止振蕩，所有功能除了中斷和硬件復(fù)位之外都停止工作；在省電模式下，異步定時(shí)器繼續(xù)運(yùn)行，允許用戶保持一個(gè)時(shí)間基準(zhǔn)，而其余功能模塊處于休眠狀態(tài)； ADC 噪聲抑制模式時(shí)終止 CPU 和除了異步定時(shí)器與 ADC 以外所有 I/O 模塊的工作，以降低 ADC 轉(zhuǎn)換時(shí)的開關(guān)噪聲； Standby 模式下只有晶體或諧振振蕩器運(yùn)行，其余功能模塊處于休眠狀態(tài)，使得器件只消耗極少的電流，同時(shí)具有快速啟動(dòng)能力；擴(kuò)展 Standby 模式下則允許振蕩器和異步定時(shí)器繼續(xù)工作本芯片是以 Atmel 高密度非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)生產(chǎn)的。片內(nèi) ISP Flash 允許程序存儲(chǔ)器通過 ISP 串行接口，或者通用編程器進(jìn)行編程，也可以通過運(yùn)行于AVR 內(nèi)核之中的引導(dǎo)程序進(jìn)行編程。引導(dǎo)程序可以使用任意接口將應(yīng)用程序下載到應(yīng)用Flash存儲(chǔ)區(qū)(Application Flash Memory)。在更新應(yīng)用Flash存儲(chǔ)區(qū)時(shí)引導(dǎo)Flash區(qū)(Boot Flash Memory)的程序繼續(xù)運(yùn)行，實(shí)現(xiàn)了 RWW 操作。 通過將 8 位 RISC CPU 與系統(tǒng)內(nèi)可編程的 Flash 集成在一個(gè)片內(nèi)， ATmega16 成為一個(gè)功能強(qiáng)大的單片機(jī)，為許多嵌入式控制應(yīng)用提供了靈活而成本的解決方案。ATmega16 具有一整套的編程與系統(tǒng)開發(fā)工具，包括：C 語言 編譯器、宏匯編、程序調(diào)試器 / 軟件仿真器、仿真器及評(píng)估板。 第二節(jié)AT45DB041B芯片簡(jiǎn)介AT45DB041B的封裝如圖32所示。圖32 AT45DB041B的引腳圖AT45DB041B的引腳說明：連續(xù)輸入（SI）：SI 腳僅作為輸入腳且用于將數(shù)據(jù)寫入至器件中。所有的數(shù)據(jù)輸入包括操作碼，地址序列都用此引腳。 連續(xù)輸出（SO）：SO 腳僅作為輸出腳且用于將器件內(nèi)的數(shù)據(jù)移出。 連續(xù)時(shí)鐘（SCK）：SCK 僅作為輸入腳且用于控制流進(jìn)和流出器件的數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)總是隨著SCK 腳上的上升沿進(jìn)入而隨著SCK 腳上的下降沿流出。 片選（CS）：當(dāng)CS 腳為低電平時(shí)選通數(shù)字閃存。當(dāng)器件沒有被選通時(shí)，數(shù)據(jù)無法被 SI 腳所接收，而SO 腳將會(huì)保持為高阻態(tài)。要進(jìn)行某個(gè)操作，CS 腳上必須有一個(gè)由高到低電平的躍變，要結(jié)束某個(gè)操作，CS 腳上必須有一個(gè)由低到高電平的躍變。寫保護(hù)：如果WP 腳置為低電平，主存中的前256 頁就無法被重寫。要重寫前256頁的唯一方法就是將該引腳拉為高電平，然后用前面所提到的編寫命令。WP 腳是內(nèi)部拉高的；因此若非需要，WP 腳上不需連接其他引腳。然而，我們建議盡量通過外部拉高WP 引腳。 復(fù)位：復(fù)位腳（RESET）上的低電平將終止正在運(yùn)行中的操作并將內(nèi)部狀態(tài)置為空閑狀態(tài)。只要RESET 腳上一直為低電平，那么器件就一直處于復(fù)位狀態(tài)。一旦RESET 腳上返回至高電平，器件就可以正常運(yùn)行了。本器件內(nèi)部整合了電源開啟重接電路，所以在開啟電源期間在RESET 腳上并無何限制。RESET 腳也是內(nèi)部拉高的；因此若非需要，RESET 腳上不需連接其他引腳。然而，我建議盡量通過外部拉高RESET 引腳。 準(zhǔn)備/忙：當(dāng)器件進(jìn)行某個(gè)內(nèi)部自同步操作而處于忙狀態(tài)時(shí)，該漏極輸出引腳將被拉低。該引腳通常處于高電平狀態(tài)（通過1 個(gè)1 千歐外部上拉電阻），而在編寫，較和頁至緩存的傳送操作器件，將會(huì)被拉低。狀態(tài)表示著閃存陣列和其中一個(gè)緩存不能被訪問；但對(duì)于另一個(gè)緩存的讀寫操作仍可進(jìn)行。AT45DB041B的功能說明：,兼容串行外設(shè)接口最高20MHZ時(shí)鐘頻率頁編寫操作 —單周期程序重調(diào)（擦除和編寫） l —2048頁（264字節(jié)/頁）主內(nèi)存，支持頁和塊擦除操作,雙264字節(jié)SRAM數(shù)據(jù)緩存—在非易失性存儲(chǔ)器中進(jìn)行程序重調(diào)時(shí)可接收數(shù)據(jù),能過連續(xù)地讀取整個(gè)存儲(chǔ)陣列,低功耗 —有效讀取工作電流僅為4毫安 —CMOS待機(jī)電流僅為2微安,數(shù)據(jù)保護(hù)功能l 100%與AT45DB041及AT45DB041A兼容,5V輸入容限電壓：SI,SCK,CS,RESET和WP引腳,，采用串行接口閃存，能夠廣泛的適用于各種數(shù)字語音，圖像，編碼以及數(shù)據(jù)存儲(chǔ)應(yīng)用。其4,325,376位的內(nèi)存是由2048個(gè)頁構(gòu)成，每頁為264個(gè)字節(jié)。除了主存以外,AT45DB041B還有兩個(gè)容量為264字節(jié)的SRAM數(shù)據(jù)緩存。 當(dāng)在主內(nèi)存的某頁上進(jìn)行程序重調(diào)或者連續(xù)讀 寫數(shù)據(jù)流時(shí)，數(shù)據(jù)緩存都可以接收數(shù)據(jù)。EEPROM仿真（位或字節(jié)可變更）能夠容易地處理獨(dú)立的三步讀修改寫操作。不同于傳統(tǒng)的以多路地址線和并行接口隨機(jī)訪問的閃存芯片，本數(shù)字閃存是利用SPI串行接口來順序存取其數(shù)據(jù)。該數(shù)字閃存支持SPI模式0和模式3。其簡(jiǎn)單的串行接口使得外圍硬件設(shè)計(jì)變得容易，增強(qiáng)了系統(tǒng)的可靠性，最大化減小了開關(guān)噪聲，降低了封裝尺寸和有效引腳數(shù)量。該器件能夠最優(yōu)化的運(yùn)用于以高密度，少引腳數(shù)量，低電壓和低功耗為基本要求的各類商業(yè)和工業(yè)場(chǎng)合。該器件的有效工作電流為4毫安，能運(yùn)行達(dá)到20MHZ的時(shí)鐘頻率。 AT45DB041B不需要高輸入電壓就可以進(jìn)行簡(jiǎn)單在系統(tǒng)編寫。在進(jìn)行編寫和讀操作時(shí)，本器件需要單獨(dú)的電源供電。片選引腳CS和一個(gè)由連續(xù)輸入SI，連續(xù)輸出SO和連續(xù)時(shí)鐘SCK組成的三線訪問接口使得AT45DB041B正常工作。 所有的編寫周期都是自同步的，因而在編寫之前都無需分開的擦除周期。 當(dāng)器件從At
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