led產(chǎn)業(yè)化項目環(huán)評報告(編輯修改稿)
2025-06-25 22:04 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 ，其依托單位是華中科技大學，另有三個組建單位：武漢郵電科學研究院、中國科學院武漢物理與數(shù)學研究所、華中光電技術(shù)研究所。實驗大樓總建筑面積45000平方米，其造型具有時代氣息。已于2005年秋季開始投入使用。武漢光電國家實驗室是國家科技創(chuàng)新體系的重要組成部分，也是“武漢中國光谷”的創(chuàng)新研究基地。本項目擬引進國外生產(chǎn)設備、技術(shù)和國內(nèi)的配套設備，采用先進的生產(chǎn)工藝及加工方式，項目一期擬建立一條瓦級LED生產(chǎn)線，進行研發(fā)和初試，預計年產(chǎn)量為12000只（每只上含LED300—500粒）。項目投資總額為7200萬元人民幣，其中資金投入4200萬元人民幣，同時由國家光電實驗室無償提供折合3000萬元人民幣的設備及廠房，包括2000平方米的超凈實驗室。項目所需的外延片采取外購方式，其后續(xù)制備工藝主要是在基底上通過沉積或生長等方法制備一層掩模層，然后通過光刻等手段將需要在基底上刻蝕出的圖形先加工到掩模上，接著使用刻蝕液進行刻蝕，最后去除掩模層，在基底上得到所需的圖形和結(jié)構(gòu)。經(jīng)薄膜、磨片、劃片、裂片并經(jīng)老化測試后，分揀出合格的芯片包裝入庫，生產(chǎn)出的芯片約為50~1000nm，檢測合格后外銷。該項目符合《外商投資產(chǎn)業(yè)指導目錄》（2004年修訂）鼓勵類第三類制造業(yè)第（二十）條第3款：大屏幕彩色投影顯示器用光學引擎、光源、投影屏、高清晰度投影管和LCOS（硅基液晶，一種數(shù)碼成像技術(shù)）模塊等關(guān)鍵件制造。清 洗薄 膜磨 片測 試分 揀包 裝OClAr、N2等裂 片入 庫劃 片光 刻研磨液酸、堿、丙酮、乙醇等光刻膠顯影液超純水圖1 主要生產(chǎn)工藝流程圖LED項目生產(chǎn)過程中所使用的主要設備詳見下表：表1 LED生產(chǎn)用主要設備一覽表序號設備名稱規(guī)格型號臺數(shù)產(chǎn)地1ICPRIE等離子刻蝕系統(tǒng)Cirie2001臺灣 2ITO電子束蒸發(fā)臺Peva60011臺灣3Metal電子束蒸發(fā)臺Peva600E1臺灣4PECVD氣相輔助沉積系統(tǒng)Cede1001臺灣5研削機S
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