電力電子技術課程設計--升壓斬波電路的實現(編輯修改稿)
2024-12-09 11:02 本頁面
【文章內容簡介】 關斷會產生很高的尖峰電壓 dic/dt，極有可能造成 IGBT 自身或其他元件擊穿。 （ 3） IGBT 開通后，驅動電路應提供足夠的電壓、電流幅值，使 IGBT 在正常工作及過載情況下不致退出飽和而損壞。 （ 4） IGBT 驅動電路中的電阻 RG 對工作性能有較大影響。 RG 較大，有利于抑制 IGBT 的電流上升率 dtdic 及電壓上升率 du/dt，但會增加 IGBT 的開關時間和開關損耗； RG 較小，會引起 dtdic 增大，使 IGBT 誤導通或損壞。 RG 的選擇原則是應在開關損耗不太大的情況下，選擇略大的 RG 。 RG 的具體數值還與驅動電路的結構及 IGBT 的容量有關，一般在幾歐至幾十歐，小容量的 IGBT其值較大。 （ 5） 驅動電路應具有較強的抗干擾能力及對 IGBT 的保護功能。 IGBT 為壓控型元件，當集射極加高壓時很容易受外界干擾，使柵射電壓超過 UGE (th)引起器件誤導通。為了提高抗干擾能力，除驅動 IGBT 的觸發(fā)引線應盡量短且應采用雙絞線，在柵射極間務必并聯柵射電阻 RGE ,一般取 RGE =（ 1000— 5000） RG ,RGE 應并在柵射極最近處。 V1， V2 是為防止驅動電路出現高壓尖峰而并聯的兩只穩(wěn)壓管，穩(wěn)壓值應與正偏柵壓與負偏柵壓大小相同而方向相反。信號控制電路與驅動電路之間應采用抗干擾能力強，傳輸時間短的高速光耦合器件加以隔離。 （ 6） IGBT 在使用時除了采取靜電防護措施外，還必須注意以下事項： IGBT 的控制、驅動及保護電路等應與其高速開關特性相匹配。 2 、當 GE 端在開路的情況下，不要給 CE 端家電壓。 在未采取適當的防靜電措施情況下， GE 端不能開路。 圖 3 柵射電阻與反串穩(wěn)壓管的并聯電路 4 最有參數選擇 當 IGBT 處于導通時，得 1 1 MdiL R i Edt ?? 設 1i 的初值為 10I ，解上式得 1 1 0 1ttMEi I e eR??????? ? ????? 當 IGBT 處于關斷時，設電動機電樞電流 為 2i ，得 2 2 MdiL R i E Edt ? ? ? 設 2i 的初值為 20I ，解上式得 2 2 0 1o n o nt t t tMEEi I e eR???? ???? ? ????? 當電流連續(xù)時，從圖 32 的電流波形可看出， t = ont 時刻 1i = 20I ，t =T 時刻 2i = 10I ，由此可得 2 0 1 0 1o n o nttMEI I e eR??????? ? ????? oft xt 1t 2t O O i ou t t T oft ont 2i 1i E 10I 20I 10I O O i ou t t T ont 2i 1i E 20I 圖 31 電流連續(xù) 圖 32 電流斷續(xù) f f o f f1 0 2 0 1ott MEEI I e eR???????? ? ????? 故由上兩式求得： o f f101111tMTE e E e EImR R e Re?????? ????? ??????? ? ? ??????????? on20 11t TMTE e e E e e EImR R e Re?? ??????? ?????? ??????? ? ? ????????? 把上面兩式用泰勒級數線性近似，得 10 20 () EI I m R?? ? ? 該式表示了 L為無窮大時電樞電流的平均值 oI ，即 () Mo EEEIm RR ?? ?? ? ? 當電流斷續(xù)時的 波形如圖 32 所示。當 t =0 時刻 1i =10I =0，令式 （ 110）中 10I =0 即可求出 20I ，進而可寫出 2i 的表達式。另外，當 t = 2t 時， 2i =0，可求得 2i
畢業(yè)設計相關推薦
鄂ICP備17016276號-1