【文章內(nèi)容簡介】 到設(shè)計(jì)能力的100%時(shí)，年產(chǎn)50噸單晶硅棒，產(chǎn)值1億元。二、項(xiàng)目主要建設(shè)內(nèi)容（一）土建工程主體工程：項(xiàng)目全部廠共兩幢，每幢1500平方米；倉庫一幢，面積1000平方米；食堂、辦公室、生活設(shè)施等用房1000平方米，全部一層。公輔工程：（1）電：（工業(yè)用電）；變壓器1600KV/A一臺(tái)、高壓柜一臺(tái)、低壓柜4臺(tái)。（2）水：100毫米進(jìn)水主水管。（3）道路：12米寬雙向道路，全長200米，景觀、廣場2000平方米左右。（4）綠化：行道樹、綠化帶、花壇等4000平方米左右。（5）亮化：草皮燈、路燈、景觀燈等若干。（6）信息化：局域網(wǎng)、程控交換機(jī)、智能化門鎖等。圍墻：全長400米；15臺(tái)紅外監(jiān)視探頭。（7）門衛(wèi)：全長24米包括門衛(wèi)室及12米電動(dòng)門，設(shè)監(jiān)視探頭2個(gè)。（8）環(huán)保：**市環(huán)境科學(xué)研究所出具的環(huán)評報(bào)告。土地征用面積22畝。（二）設(shè)備購置主要設(shè)備選型的原則和技術(shù)要求（1）主要設(shè)備選型的原則應(yīng)與項(xiàng)目建設(shè)規(guī)模、產(chǎn)品方案和技術(shù)方案相適應(yīng)，滿足項(xiàng)目的要求，可獲得最大出力。（2）適應(yīng)產(chǎn)品品種和質(zhì)量的要求。（3）提高連續(xù)化、大型化、自動(dòng)化程度，降低勞動(dòng)強(qiáng)度，提高勞動(dòng)生產(chǎn)率。（4）降低原材料、水、電、氣年單耗，滿足環(huán)境保護(hù)要求。（5）強(qiáng)調(diào)設(shè)備的可靠性、成熟性，保證生產(chǎn)和質(zhì)量穩(wěn)定。（6）符合政府或?qū)ｉT機(jī)構(gòu)發(fā)布的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)要求。（7）在滿足機(jī)械功能和生產(chǎn)過程的條件下，力求經(jīng)濟(jì)合理，不僅要引進(jìn)先進(jìn)設(shè)備，盡可能立足于國內(nèi)，搞好配套。（8）主要設(shè)備及輔助設(shè)備之間相互配套。項(xiàng)目的設(shè)備購置項(xiàng)目主要購置設(shè)備為單晶硅棒生產(chǎn)用JDR800型晶體生長爐8套及相應(yīng)的監(jiān)測和配套設(shè)施。設(shè)備投入資金1600萬元人民幣。 三、工程產(chǎn)品方案（一）產(chǎn)品方案 （1）產(chǎn)品品種各種規(guī)格化型號的單晶硅棒。（2）生產(chǎn)綱領(lǐng)年產(chǎn)各種規(guī)格型號的單晶硅棒50噸。（二）主要技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)和參數(shù)由于知識產(chǎn)權(quán)法規(guī)的約束，目前機(jī)密性的技術(shù)資料在業(yè)主手中，但產(chǎn)品必須滿足下列技術(shù)要求：表單晶硅棒的主要技術(shù)參數(shù)型號P型或A型晶向111100電阻率電阻率均勻性25%位錯(cuò)密度無位錯(cuò)OISF密度500cm2氧含量根據(jù)客戶要求碳含量1ppma主要考面取向密度根據(jù)客戶要求其中電阻率、OISF密度、以及碳含量是衡量單晶硅棒等級的關(guān)鍵參數(shù)。這些參數(shù)在單晶成型后即定型，無法在此后的加工中進(jìn)行改變。規(guī)格尺寸：本項(xiàng)目生產(chǎn)常用的太陽能級單晶硅棒，按其直徑分為6英寸、8英寸兩種。產(chǎn)品符合國家發(fā)布的有關(guān)技術(shù)規(guī)范要求。第六章 項(xiàng)目工程技術(shù)方案　一、土建工程方案選擇（一）工程方案選擇的基本要求滿足生產(chǎn)使用功能要求。確定項(xiàng)目的工程內(nèi)容、建筑面積和建筑結(jié)構(gòu)時(shí)，應(yīng)滿足生產(chǎn)和使用的要求。適應(yīng)已選定的場址。在已選定的場地范圍內(nèi)，合理布置建筑物、構(gòu)筑物，以及地上、地下管網(wǎng)的位置。符合工程標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范要求。建筑物、構(gòu)筑物的基礎(chǔ)，結(jié)構(gòu)和所采用的建筑材料，應(yīng)符合政府部門或者專門機(jī)構(gòu)發(fā)布的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范要求，確保工程質(zhì)量。經(jīng)濟(jì)合理。工程方案在滿足使用功能、確保質(zhì)量的提前下，力求降低造價(jià)，節(jié)約建設(shè)資金。本項(xiàng)目屬技術(shù)改造項(xiàng)目，應(yīng)合理利用現(xiàn)場地、設(shè)施，并力求新增的設(shè)施與原有設(shè)施相協(xié)調(diào)。（二）方案設(shè)計(jì)依據(jù)《建筑結(jié)構(gòu)荷載規(guī)范》（GB50009—2001）《混凝土結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)規(guī)范》（GB500010—2002）《建筑地基基礎(chǔ)設(shè)計(jì)規(guī)范》（GB50007—2002）《建筑結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)》（GBJ68—84）《給水排水工程結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)規(guī)范》（GBJ69—84）《建筑設(shè)計(jì)防火規(guī)范》（GBJ16—2001）《供配電系統(tǒng)設(shè)計(jì)規(guī)范》（GB50052—95）《建筑安裝工程安全技術(shù)規(guī)范》建設(shè)部（1993）《工業(yè)企業(yè)噪聲控制設(shè)計(jì)規(guī)范》（GBJ8785）《通用電設(shè)備配電設(shè)計(jì)規(guī)范》（GB50055—93）（三）土建工程設(shè)計(jì)方案 廠房：項(xiàng)目工程擬建2幢標(biāo)準(zhǔn)化廠房。鋼混全框架結(jié)構(gòu)，鋼構(gòu)屋面。倉庫和生活管理用房兩幢，采用磚混結(jié)構(gòu)，瓦屋面。公輔工程（1）廠區(qū)道路：按二級混凝土路面結(jié)構(gòu)規(guī)范建設(shè)。（2）水、電、氣的管網(wǎng)連接：按技術(shù)規(guī)范要求施工。（3）其他：根據(jù)建設(shè)內(nèi)容和投資情況按規(guī)范要求施工二、設(shè)備安裝工程技術(shù)方案（一）方案設(shè)計(jì)依據(jù)《機(jī)械設(shè)備安裝工程施工及驗(yàn)收規(guī)范》GB5023198《電氣工程安裝及電氣設(shè)備直接檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)》GB5015091化工部《工業(yè)安裝工程檢驗(yàn)評定統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)》（1996）建設(shè)部《建筑安裝工程安全技術(shù)規(guī)范》（1993）《通用電設(shè)備配電設(shè)計(jì)規(guī)范》（GB50055—93）（二）安裝工程設(shè)計(jì)方案的原則和要求按《規(guī)范》要求，組織設(shè)備安裝施工，對安裝工程應(yīng)經(jīng)招投標(biāo)摘優(yōu)錄用施工隊(duì)伍，文明施工，按時(shí)保質(zhì)、保量安裝好機(jī)械設(shè)備。設(shè)備安裝就位，應(yīng)符合設(shè)備安裝工程施工及驗(yàn)收規(guī)范要求，然后組織試運(yùn)行生產(chǎn)，把安全第一，保證質(zhì)量放在重要地位。安裝注意事項(xiàng)及檢測手段：A、嚴(yán)格按照操作規(guī)程施工，正確穿戴好勞保用品。B、檢測手段包括試車前、運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)檢測及運(yùn)轉(zhuǎn)一段時(shí)間后再進(jìn)行復(fù)查等手段。三、項(xiàng)目主要技術(shù)工序和工藝路線工藝技術(shù)來源單晶硅棒依托**研究所的最新研究成果，引進(jìn)整套成熟技術(shù)。工藝技術(shù)的先進(jìn)性單晶硅制備（拉單晶）是在專用設(shè)備——單晶爐內(nèi)進(jìn)行，單晶爐內(nèi)配備適合晶體生長的高純石墨熱系統(tǒng)。將硅原材料放在石英堝內(nèi)用石墨制成的加熱器通入低電壓大電流而產(chǎn)生的高溫將熔點(diǎn)在1420℃的硅材料熔化后，由計(jì)算機(jī)等設(shè)備控制熔融狀態(tài)的硅液面溫充在1420℃臨界點(diǎn)上，由一個(gè)單晶體的籽晶與液面接觸、熔融后而緩慢的提升，使硅液體在籽晶的引領(lǐng)下按預(yù)先設(shè)定的晶格、晶向和外形緩慢結(jié)晶出單晶體的硅單晶，完成單晶制備。整個(gè)工藝流程：工藝流程說明：①硅料。單晶硅生產(chǎn)過程中使用的硅料，均為成品（無需再進(jìn)行腐蝕、酸洗等處理；其中部分硅料由企業(yè)自身腐蝕、酸洗得到，其余均由外單位進(jìn)行腐蝕加工）即可投爐加工。②配比裝爐、拉晶、冷爐拆爐。即將成品硅料根據(jù)要求與相應(yīng)的母合金（主要是P、Be等元素含量多一點(diǎn)的硅片，加入量約為硅料加入量的百萬分之一）進(jìn)行混合裝入單晶爐內(nèi)拉晶（控制溫度約為1420℃，時(shí)間約為30～40h/批，每批生產(chǎn)量約為20kg/爐；拉晶過程中單晶爐內(nèi)采用液氬作為保護(hù)氣體；該過程主要是利用高溫使高純硅在單晶爐內(nèi)熔融并使原子進(jìn)行有序排列，待有序排列完畢后由單晶爐上方拉晶成柱狀硅棒）；硅棒生長完畢后對單晶爐進(jìn)行冷卻，之后將硅棒從單晶爐內(nèi)卸下，以便后道加工處理。③測試、分段。利用各類檢測設(shè)備對成規(guī)則柱狀硅棒進(jìn)行電阻率、氧、碳等成分進(jìn)行測試，經(jīng)測試合格后（測試不合格的硅棒則送單晶爐或結(jié)晶爐作回爐重新拉晶處理）送入切斷機(jī)內(nèi)進(jìn)行分段處理（一般直徑為125mm，長度以30～40cm不等）便得到成品硅棒，分段的目的主要是使硅棒能夠順利進(jìn)入切片機(jī)內(nèi)進(jìn)行切片處理；分段過程采用自來水對設(shè)備進(jìn)行冷卻，經(jīng)冷卻后排入廠區(qū)內(nèi)污水處理設(shè)施。原料消耗本項(xiàng)目原輔材料消耗按年產(chǎn)50t單晶硅計(jì)算，本項(xiàng)目的主要原材料是硅料及輔助材料。為了節(jié)省成本，可部份摻用廢硅料（頭尾料和鍋底料等不可直接利用的原料），經(jīng)過酸洗腐蝕工藝后使用。原輔材料供應(yīng)見表4－1。表7　 主要原輔材料供應(yīng)一覽表序號原輔材料名稱包裝規(guī)格單位消耗量1多晶硅料/t/a502氫氟酸（55%）5kg/桶，塑料桶t/a243硝酸（65%）15kg/桶，塑料桶t/a204片 堿50kg/袋，蛇皮袋t/a85冰醋酸（99%）15kg/桶，塑料桶t/a106雙氧水（30%）15kg/桶，塑料桶t/a7氨 水（30%）15kg/桶，塑料桶t/a8無水乙醇1kg/瓶，玻璃瓶t/a10液氬/m3/a300主要設(shè)備選型(1)單晶爐建議采用上虞晶盛的TDR95AZJS全自動(dòng)單晶爐。TDR95AZJS單晶爐屬軟軸提拉式全自動(dòng)單晶爐，它是在惰性氣體環(huán)境中，通過石墨電阻加熱器將半導(dǎo)體材料加熱并熔化，然后用直拉法生長無位錯(cuò)的單晶設(shè)備。該設(shè)備可以大規(guī)模生產(chǎn)集成電路、太陽能等行業(yè)所需的高質(zhì)量的單晶硅。該設(shè)備可使用20〞或22〞的熱系統(tǒng)，投料100120kg，拉制6〞〞的單晶，此設(shè)備提供兩對（四個(gè)）電極，可滿足用戶采用兩溫區(qū)加熱的工藝要求。 主要技術(shù)參數(shù)：拉制晶體最大直徑:　　　　　″(Ф215mm)最大熔料量　　　　　　　　　120Kg (22″坩堝)主爐室內(nèi)徑　　　　　　　　　950mm加熱方式　　　　　　　　　　石墨電阻加熱籽晶拉速　　　　　　　　　　08mm/min籽晶轉(zhuǎn)速　　　　　　　　　　048rpm坩堝升速　　　　　　　　　　04mm/min冷爐極限真空度　　　　　　　3pa主變壓器容量　　　　　　　　220KW外形尺寸(長寬高)　　　　550035007340mm質(zhì)量　　　　　　　　　　　　7600Kg四、總圖布置方案（一）總平面布置總圖布置原則和技術(shù)要求：（1）新廠區(qū)內(nèi)交通運(yùn)輸便捷。合理設(shè)置廠內(nèi)停車場，避免人流物流交叉，使廠內(nèi)外運(yùn)輸配合協(xié)調(diào)。（2）各種動(dòng)力設(shè)施盡量靠近負(fù)荷中心，以縮短管線，節(jié)約能源。（3）結(jié)合場地地形、地質(zhì)、地貌等條件，因地制宜并盡可能做到緊湊合理布置，節(jié)約用地。（4）建（構(gòu)）筑物的布置符合防火、衛(wèi)生規(guī)范及各種安全規(guī)定和要求，滿足地上、地下工程管線的敷設(shè)、綠化布置以及施工的要求?？偲矫娌贾茫簭S部辦公樓和職工食堂布置在廠區(qū)北部；兩幢廠房布置在廠區(qū)南面。（詳見附圖）（二）豎向布置：保證土方工程量最小，并盡量使填挖量達(dá)到或接近平衡。確保建筑物和場地不受洪水淹沒，應(yīng)使項(xiàng)目區(qū)建（構(gòu)）。保證廠區(qū)內(nèi)交通方便，防火間距要滿足最小防火間距要求。（三）管線綜合布置：綜合管線要做到“七通一平”，同時(shí)設(shè)計(jì)、同時(shí)施工，避免亂挖亂砌。主要任務(wù)是使廠區(qū)管線之間以及管線與建筑物、道路及環(huán)衛(wèi)、綠化設(shè)施之間在平面和豎向上相互協(xié)調(diào)，既滿足施工、檢修、安全等要求，又貫徹節(jié)約用地原則。因此，綜合管線的輔設(shè)，原則上與新增廠區(qū)道路同時(shí)進(jìn)行建設(shè)。給水管、排水管、煤氣管、電力電纜、電訊電纜采用地下埋設(shè)，埋設(shè)深度應(yīng)大于各種管線的最小覆土深度。地下管線之間及地下管線與建筑物、綠帶之間應(yīng)保持最小的水平凈距（見下表）。表8 地下管線最小水平凈距表單位：米序號管線名稱1234567建筑物給水管排水管煤氣管電力電纜電信電纜道路邊石1建筑物基礎(chǔ)邊緣2給水管3排水管4煤氣管5電力電纜6電信電纜7道路邊牙石（四）廠區(qū)用電：(1)配電系統(tǒng)。變電所至各建筑物采用放射式配電系統(tǒng)，線路敷設(shè)方式主要采用電纜橋架。(2)變配電設(shè)備。廠區(qū)供電系統(tǒng)變壓器采用節(jié)能的SCB9型系列變壓器，高壓配電柜采用HXGN系列，低壓配電柜采用GCK型，動(dòng)力配電采用QGBD安全型配電柜，照明配電采用安全型PZ30配電箱。廠區(qū)照明的設(shè)計(jì)原則是保證照明供電安全可靠，照明的照度、均勻度達(dá)到國家標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定，經(jīng)濟(jì)合理，節(jié)省能源，維修方便，美觀適用。平均照度不低于15Lx。路燈供電采用10kv高壓進(jìn)線的箱式變電站形式進(jìn)行全夜制控制。廠區(qū)路燈采用的型式在道路上主要以功能性為主，燈具采用截光型或半截光型，車間內(nèi)照明采用新光源和節(jié)能燈具。（五）綠化布置：廠區(qū)車間保持一定面積的綠化隔離帶。廠區(qū)的綠化率最低不小于20%。以植物造景為主，以人為本，設(shè)計(jì)力求體現(xiàn)時(shí)代氣息的區(qū)域環(huán)境特色。綠化設(shè)計(jì)遵循安全性、美觀性、生態(tài)防護(hù)性、經(jīng)濟(jì)實(shí)用性的原則。廠區(qū)道路綠化應(yīng)以喬木為主，喬木、灌木、地被植物相結(jié)合，不得裸露土壤。道路綠化應(yīng)符合行車視線和行車凈空要求。綠化樹木與市政公用設(shè)施的相互位置應(yīng)統(tǒng)籌安排，并應(yīng)保證樹木有需要的立地條件與生長空間。綠化不應(yīng)遮擋路燈照明，當(dāng)樹木枝葉遮擋路燈照明時(shí)，應(yīng)合理修剪。在距交通信號燈及交通標(biāo)志牌等交通安全設(shè)施的停車視距范圍內(nèi)，不應(yīng)有樹木枝葉遮擋。綠化設(shè)計(jì)采用道路兩側(cè)布置行道樹和分隔帶種植灌木和草坪，行道樹樹種建議采用香樟、金合歡或廣玉蘭，干徑大于8cm，間距68米，雙側(cè)對稱布置，交叉口影響行車視線的地段不栽植。五、公用工程和輔助工程供、配電。新設(shè)1臺(tái)1600kVA變壓器；高壓柜一臺(tái)；低壓柜4臺(tái)。給、排水。（1）給水水源：車間生產(chǎn)、生活、用水均接自工業(yè)園區(qū)水源。DN 100㎜進(jìn)水主水管，連接DN50㎜配水管。（2）排水系統(tǒng)：生產(chǎn)、生活用水經(jīng)污水處理后，排入地下排水管網(wǎng)，進(jìn)入工業(yè)園區(qū)排水渠道，廠區(qū)排水管網(wǎng)采用Φ500㎝。廠內(nèi)外運(yùn)輸。（1）廠內(nèi)運(yùn)輸：廠內(nèi)運(yùn)輸主要靠企業(yè)自備的叉車等搬運(yùn)工具。（2）廠外運(yùn)輸：本項(xiàng)目不新增廠外運(yùn)輸設(shè)備，廠外運(yùn)輸利用工廠現(xiàn)有運(yùn)輸設(shè)備，不足部分由社會(huì)運(yùn)輸協(xié)作解決。 第七章 環(huán)境保護(hù)、職業(yè)安全衛(wèi)生及消防一、 環(huán)境保護(hù)1 、設(shè)計(jì)原則(1)嚴(yán)格執(zhí)行國家環(huán)境保護(hù)法，認(rèn)真執(zhí)行“三同時(shí)”原則。(2)對生產(chǎn)過程中產(chǎn)生的廢氣、廢水、噪聲采取綜合治理。2 、設(shè)計(jì)采用的環(huán)境保護(hù)標(biāo)準(zhǔn)及規(guī)定(1)《環(huán)境空氣質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)》(GB30951996 )。(2)《大氣污染物綜合排放標(biāo)準(zhǔn)》(GB162971996 )。(3