nmr原理本科ppt課件(編輯修改稿)
2025-06-01 18:18 本頁面
【文章內容簡介】 100MBz ?21產生 NMR共振的條件 （ 1） I ? 0的自旋核 （ 2） 外磁場 B0 （ 3） 與 B0相互垂直的射頻場 B1， 且 ?1 = ?0 二、化學位移 —頻率 ?電子屏蔽效應 ? 核磁共振氫譜圖示 ? 化學位移 電子屏蔽效應 ? = B0 磁場強度 B0的單位： 1高斯（ GS） =104 T（特拉斯） ??2感 生 磁 場電 子 環(huán) 流B 0原 子 核帶正電原子核的核外電子在與外磁場垂直的平面上繞核旋轉的同時 ， 會產生與外磁場方向相反的感生磁場 。 感生磁場的大小用 σ B0表示。 σ 為屏蔽常數(shù) ，與核外 電子云 的密度有關。 B核在分子中 是被 價電子 所包圍的 。 因此 ， 在 外加磁場的同時 ， 還有核外電子 繞核旋轉產生 感應磁場 B’。如果感應磁場與外加磁場方向相反 ， 則 B核的實際感受到的磁場強度為： 有效磁場 Beff 核外電子對 B核產生的這種作用，稱為屏蔽效應 (如果產生磁場與外加磁場同向 ,稱之為 去屏蔽效應 )。 Beff = B0 σ B0 Beff = B0(1σ) 核的共振頻率為： ? = B0(1σ) ??2?化學位移 ： 不同的質子（或其他種類的核），由于在分子中所處的化學環(huán)境不同，因而在不同的磁場下共振的現(xiàn)象不同。 ?出現(xiàn)不同的化學位移的原因： 是各種氫核所所處的 化學環(huán)境不同 ，所受的 屏蔽作用不同造成的。 ?化學環(huán)境： 氫原子核的 核外電子云 以及該氫原子 鄰近的其他原子 對該核的影響 顯然，核外電子云密度越大，屏蔽效應越強，要發(fā) 生共振吸收就勢必增加外加磁場強度，共振信號將移向高場區(qū)；反之，共振信號將移向低場區(qū)。 H 0低 場 高 場屏 蔽 效 應 ， 共 振 信 號 移 向 高 場屏 蔽 效 應 ， 共 振 信 號 移 向 低 場去 化學位移表示 ? = B0(1σ) ??2CB3CB2OB B0 = , △ ν=ν （ CB2） – ν （ CB3） （ 60MBZ） = 148 – = B0 = , △ ν=ν(CB 2)– ν(CB 3） （ 100MBZ） = 247 – 122 = 125Bz 化學位移的表示方法 —相對值 化學位移的差別約為 百萬分之十 ，精確測量十分困難，現(xiàn)采用相對數(shù)值。以 四甲基硅（ TMS） 為標準物質，規(guī)定：它的化學位移為零，然后，根據(jù)其它吸收峰與零點的相對距離來確定它們的化學位移值。 6010??????? TM S試樣化 學 位 移試 樣 的 共 振 頻 率 標 準 物 質 T M S 的 共 振 頻 率感 生 磁 場 H 39。非 常 小 ， 只 有外 加 磁 場 的 百 萬 分 之 幾 ，為 方 便 起 見 ， 故 1 0 6儀器頻率 δ= 10 6 標???δ= 10 6(ppm) 標BB? ??6010??????? TM S試樣S iC H 3C H 3H 3 C C H 3為什么選用 TMS(四甲基硅烷 )作為 標準物質 ? (1)屏蔽效應強，共振信號在高場區(qū) (δ 值規(guī)定為 0)，絕大
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