高電壓技術(shù)第五章ppt課件(編輯修改稿)
2025-05-31 18:06 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 開(kāi)路 → Ｕ A＝Ｕ B 即 IA（ Z1 ＋ Z3）＝ IB（ Z2 ＋ Z4 ） 又 IAZ1 ＝ IBZ2 原理 Z1 Z4 ＝ Z2 Z3 30 44433213241+11==1=+11==CωjRZRZCωjZCωjRZZZZZNxx34223444=1+11==1=RRCCδtgδtgRRCCRCωRCωδtgNxNxxx)(=)(10=10502==Ω3 1 8 4=10=446444444FμCFCCππCRωδtgπR取介質(zhì)損耗角正切的測(cè)量 請(qǐng)證明之 31 調(diào)節(jié) R C4，使電橋平衡，即檢流計(jì)中的電流為零 tgδ=C4(μF) 32 QSI電橋使用 CN=50PF,升壓變 PT 10KV/ 表盤如下圖所示 CX E CN 檢流計(jì)調(diào)零旋鈕 頻率調(diào)零旋鈕 R3的分流旋鈕 10％ 1％ ％ C4 R3 x1000 x100 x10 x1 靈敏度旋鈕，保護(hù)檢流計(jì) 1～ 10 ＋ － 0 tgδ 頻帶，調(diào)到中間一根線 33 ? 接好線 ? 將試驗(yàn)電壓升到 10KV ? 將 tgδ 置于＋調(diào)節(jié)光帶頻率使光帶擴(kuò)展為 2/3范圍（靈敏度 4～ 5） ? 調(diào)節(jié) R3進(jìn)行幅值平衡，調(diào)節(jié) C4進(jìn)行相角平衡（從大到小，從右到左），使光帶變窄，將靈敏度升高到 10，使光帶寬帶： 1－ 2mm，電橋平衡 ? 先將靈敏度降到 0，保護(hù)檢流計(jì)，再降電壓，然后記錄 R C4 西林電橋操作步驟 34 ? 正接線： C點(diǎn)接到電源的高壓端， D點(diǎn)接地。 ? 反接線： D點(diǎn)接到電源的高壓端， C點(diǎn)接地。 西林電橋測(cè)量時(shí)的兩種接線 35 ? 正接線： C點(diǎn)接到電源的高壓端， D點(diǎn)接地。 4 西林電橋測(cè)量時(shí)的兩種接線 由于臂 I、 2的阻抗比 4大得多，電壓大部分將降落在上橋臂。在凋節(jié)部分R3和 C4上的電壓降通常只有幾伏，對(duì)操作人員沒(méi)有危險(xiǎn)。為了防止試品或標(biāo)準(zhǔn)電容一旦發(fā)生擊穿時(shí)在低壓臂上出現(xiàn)高電壓，在電橋的 A， B點(diǎn)和接地的屏蔽間接有放電管；以保證人身和設(shè)備的安 全。這種接線法測(cè)量準(zhǔn)確度較高，但要求被試品兩端部對(duì)地絕緣。 適用：體積小，重量輕 36 ? 反接線： D點(diǎn)接到電源的高壓端， C點(diǎn)接地。 4 西林電橋測(cè)量時(shí)的兩種接線 這種接線適于在現(xiàn)場(chǎng)試驗(yàn)一端固定接地的設(shè)備。但此時(shí)操作部分 R3及 C4處在高電位，為保證操作的安全應(yīng)采取一定的措施。一個(gè)辦法是把電橋本體和操作者一起放在絕緣臺(tái)上或放在一個(gè)叫法拉第籠的金屬籠里對(duì)地絕緣起來(lái)，使操作者與 R C4處于等電位。另一個(gè)辦法是人手通過(guò)絕緣桿去調(diào)節(jié) R C4。 適用：體積大，重量大，外殼接地 37 5防止外界電磁場(chǎng)對(duì)電橋的干擾 方法：加設(shè)屏蔽 (消除電容的影響 ) ? 電橋本體 ? 被試品和標(biāo)準(zhǔn)電容器連到電橋的引線 ? 試品本身 雜散電容、外界電場(chǎng)和磁場(chǎng) 干擾產(chǎn)生的原因 38 高壓引線與低壓臂之間有電場(chǎng)的影響 ， 可看作其間有雜散電容 C′。 由于低壓臂的電位很低 ， Cx和 C0的電容量很小 ， 如 C0一般只有50?100pF， 雜散電容 C ′的引入 ， 會(huì)產(chǎn)生測(cè)量誤差 。 若附近另有高壓源 ， 其間的雜散電容 C會(huì)引入干擾電流 iS， 也會(huì)造成測(cè)量誤差 需要屏蔽 ， 消除雜散電容的影響 雜散電容： 39 誤差分析 電場(chǎng)干擾 40 電場(chǎng)干擾時(shí)向量圖 41 6影響準(zhǔn)確度的因素 溫度 一般隨溫度的升高而增大。故應(yīng)換算到同一溫度值（ 20℃ ） 電壓 試驗(yàn)電壓所加電壓能引起氣泡電離或局放時(shí)， tgδ增大。 試品電容量 對(duì)小容量試品，能有效發(fā)現(xiàn)局部集中性缺陷和整體分布性 缺陷。 對(duì)大容量試品，則只能發(fā)現(xiàn)整體分布式缺陷。 試品表面泄漏 應(yīng)進(jìn)行相應(yīng)處理。將試品表面擦干凈，必要時(shí)加以屏蔽 )(12 12 TTetgtg ?? ???42 7可以檢測(cè)的故障種類 ? 可檢測(cè) （ 1）受潮 （ 2）穿透性導(dǎo)電通道 （ 3）絕緣內(nèi)含氣泡的游離，絕緣分層、脫殼 （ 4）老化劣化，繞組上附積油泥 （ 5）絕緣油臟污，劣化等 ? 不可檢測(cè) （ 1）非穿透性的局部損壞 （ 2）很小部分絕緣的老化劣化 （ 3）個(gè)別的絕緣弱點(diǎn) 43 (3)電橋本體接地良好 (4)反接法時(shí) ,三根引線處于高壓 ,必須懸空 (5)能分開(kāi)測(cè)的試品盡量分開(kāi)測(cè) (6)應(yīng)保持試品表面干燥 (7)試品設(shè)備有繞阻時(shí) ,應(yīng)首尾短接起來(lái) (2)被試品和標(biāo)準(zhǔn)無(wú)損電容器連到電橋本體的引線也要使用屏蔽導(dǎo)線 (1)電橋本體必須加以屏蔽 44 局部放電時(shí)出現(xiàn)的現(xiàn)象 ? 電的現(xiàn)象 ? 非電的現(xiàn)象 檢測(cè)方法 ? 電的方法：定性、定量 ? 非電的方法：定性的，不夠靈活 局部放電測(cè)試設(shè)備的工作原理 —— 把微伏級(jí)的電壓脈沖檢測(cè)出來(lái)。 45 1. 局部放電的概念： Partial Discharge,簡(jiǎn)稱為 PD: 由于電氣設(shè)備內(nèi)部絕緣存在弱點(diǎn) ， 在一定外施電壓下發(fā)生的局部的重復(fù)擊穿和熄滅現(xiàn)象 。 2. 局部放電的危害： 局部放電發(fā)生在一個(gè)或幾個(gè)絕緣內(nèi)部的氣隙或氣泡之中 。 由于放電能量很小 ， 不影響電氣設(shè)備的短時(shí)絕緣強(qiáng)度 。 局部放電產(chǎn)生的一些不良效應(yīng) ，如不良化合物的產(chǎn)生 ， 就可以慢慢地?fù)p壞絕緣 ，最后可導(dǎo)致整個(gè)絕緣被擊穿 ， 發(fā)生突發(fā)性故障 。 46 ： 當(dāng)介質(zhì)內(nèi)部發(fā)生局部放電時(shí) ， 伴隨著發(fā)生許多現(xiàn)象 。 有些屬于電的：如電脈沖的產(chǎn)生 ， 介質(zhì)損耗的增大和電磁波放射；有些屬于非電的：如光 、 熱 、噪音 、 氣體壓力的變化和化學(xué)變化 ： 這些現(xiàn)象都可以用來(lái)判斷局部放電是否存在 ，因此檢測(cè)的方法也可以分為電的和非電的兩類 。 47 5 局部放電測(cè)量的基本回路 —
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