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正文內(nèi)容

安捷倫直流分析儀n6705b在電壓瞬變測試和低功耗分析中的應用(編輯修改稿)

2025-05-30 18:39 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡介】 gilentexclusive feature – never been done before 過去沒有自動量程切換功能時,由于量化誤差導致大量程下無法準確測量小信號,待測信號完全被噪聲淹沒 無縫量程切換功能打開后,小電流部分的細節(jié)可以清晰觀察并準確測量 285uA 85uA Range Measurement Accuracy 3 A 177。 (% + 200 ?A) TRANSMIT MODE 100 mA 177。 (% + 7 ?A) STANDBY MODE 1 mA 177。 (% + 80 nA) SLEEP MODE 10 181。A 177。 (% + 8 nA) FIXED RANGE Seamless Range Changes Amperes = Seamless range change 無縫隙的電流量程切換 200 kHz, 18bit 數(shù)字化儀,達到 28bit 的測量范圍 多種輸出電壓補償模式,幫助穩(wěn)定輸出電壓 0150uF補償 01uF補償 7150uF補償,電壓穩(wěn)定效果最好 對同一負載,不同補償模式下的輸出效果: 低至 nA級的電流測試精度,配合無縫量程切換功能,完成從芯片到整機的耗電測試 PA耗電分析測試 手機整機耗電分析測試 瞬間電流脈沖捕捉和長時間電流記錄分析功能: 1. 瞬間電流脈沖捕捉,采樣率最高 200KHz, 256K點存儲深度 2. 長時間數(shù)據(jù)記錄模式下,采樣率最高 50KHz,主機提供 256M點存儲深度, U盤可擴展至 512M 低至 nA級的電流測試精度,配合無縫量程切換功能,完成從芯片到整機的耗電測試 瞬間電流捕捉模式,可以調(diào)用 marker直接進行電流測量,操作如同示波器一樣簡單直觀 長時間數(shù)據(jù)記錄模式,原始數(shù)據(jù)可以導出成 CSV文件,回傳到電腦端進行后續(xù)分析 議程 1. N6705B在電壓瞬變測試中的應用 2. N6781/82A源表模塊在低功耗分析中的應用 3. N6781/82A作為電子負載在電源芯片測試中的應用 4. 安捷倫太陽能測試方案 Page 26 +20V +1A +3A 3A +6V +6V 1A 作為電子負載使用: 測試您電源芯片 (PMU, PMIC, LDO等 ) 的各項指標: ? 完整的兩象限工作狀態(tài),可以作為電子負載使用 ? 100 kHz任意波形帶寬,可以生成所需要的任意波形電壓、電流波形、脈沖、噪聲等信號 ? 200KHz采樣率,作為電子負載,直接觀察輸入電壓、電流波形 ? 低電壓狀態(tài)下工作正常,無導通電壓要求 第二象限:完整的電子負載工作區(qū) 作為電子負載使用: 測試您電源芯片 (PMU, PMIC, LDO等 ) 的各項指標: ? 產(chǎn)生脈寬、幅度可控的電流脈沖測試輸出穩(wěn)定度 (Transient Response) N6781/82A可以產(chǎn)生微秒級變化的電流脈沖,用以仿真實際負載的動態(tài)變化,來測試您的電源芯片輸出穩(wěn)定程度 定義您所需要的電流脈沖波形,加載在被測試的電源芯片上 作為電子負載使用: 測試您電源芯片 (PMU, PMIC, LDO等 ) 的各項指標: ? 負載穩(wěn)定時,可以通過內(nèi)部數(shù)采(最高 200KHz采樣率)測量芯片輸出的電壓紋波噪聲指標: 圖中可以看到,在 ,采集到的電壓紋波峰峰值為 設(shè)置 N6781A工作在恒流電子負載模式下 作為電子負載使用: 測試您電源芯片 (PMU, PMIC, LDO等 ) 的各項指標: ? 內(nèi)置側(cè)量功能,同時對輸入的電壓電流信號進行測量觀察 ? 內(nèi)置 200KHz數(shù)采直接采集輸入端電壓電流波形,并測量電壓電流峰峰值,最大最小值,測量精度最高可到 uV或 nA級別 放大或展寬波形可以得到更多細節(jié),并對波形進行測量 由于負載模塊生成的電流脈沖造成的電源芯片輸出電壓波動 作為電子負載使用: 測試您電源芯片 (PMU, PMIC, LDO等 ) 的各項指標: ? N6781/82A作為電子負載,不存在低電壓工作限制 ? 常見電子負載通常有工作電壓要求,低于 3V時,吸收電流能力下降,導致低電壓測試時,非常不便, 普通電子負載在低電壓條件下,吸收電流能力下降,作為低電壓芯片測試非常不便,有時需要串聯(lián)額外電源用以臺高輸入電壓電壓 作為電子負載使用: 測試您電源芯片 (PMU, PMIC, LDO等 ) 的各項指標: 可以直接工作在低電壓下 (3V以下 ),吸收電流并測試低電壓供電芯片的輸出能力 Impo
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