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正文內(nèi)容

安捷倫直流分析儀n6705b在電壓瞬變測(cè)試和低功耗分析中的應(yīng)用(編輯修改稿)

2025-05-30 18:39 本頁(yè)面
 

【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 gilentexclusive feature – never been done before 過(guò)去沒(méi)有自動(dòng)量程切換功能時(shí),由于量化誤差導(dǎo)致大量程下無(wú)法準(zhǔn)確測(cè)量小信號(hào),待測(cè)信號(hào)完全被噪聲淹沒(méi) 無(wú)縫量程切換功能打開(kāi)后,小電流部分的細(xì)節(jié)可以清晰觀(guān)察并準(zhǔn)確測(cè)量 285uA 85uA Range Measurement Accuracy 3 A 177。 (% + 200 ?A) TRANSMIT MODE 100 mA 177。 (% + 7 ?A) STANDBY MODE 1 mA 177。 (% + 80 nA) SLEEP MODE 10 181。A 177。 (% + 8 nA) FIXED RANGE Seamless Range Changes Amperes = Seamless range change 無(wú)縫隙的電流量程切換 200 kHz, 18bit 數(shù)字化儀,達(dá)到 28bit 的測(cè)量范圍 多種輸出電壓補(bǔ)償模式,幫助穩(wěn)定輸出電壓 0150uF補(bǔ)償 01uF補(bǔ)償 7150uF補(bǔ)償,電壓穩(wěn)定效果最好 對(duì)同一負(fù)載,不同補(bǔ)償模式下的輸出效果: 低至 nA級(jí)的電流測(cè)試精度,配合無(wú)縫量程切換功能,完成從芯片到整機(jī)的耗電測(cè)試 PA耗電分析測(cè)試 手機(jī)整機(jī)耗電分析測(cè)試 瞬間電流脈沖捕捉和長(zhǎng)時(shí)間電流記錄分析功能: 1. 瞬間電流脈沖捕捉,采樣率最高 200KHz, 256K點(diǎn)存儲(chǔ)深度 2. 長(zhǎng)時(shí)間數(shù)據(jù)記錄模式下,采樣率最高 50KHz,主機(jī)提供 256M點(diǎn)存儲(chǔ)深度, U盤(pán)可擴(kuò)展至 512M 低至 nA級(jí)的電流測(cè)試精度,配合無(wú)縫量程切換功能,完成從芯片到整機(jī)的耗電測(cè)試 瞬間電流捕捉模式,可以調(diào)用 marker直接進(jìn)行電流測(cè)量,操作如同示波器一樣簡(jiǎn)單直觀(guān) 長(zhǎng)時(shí)間數(shù)據(jù)記錄模式,原始數(shù)據(jù)可以導(dǎo)出成 CSV文件,回傳到電腦端進(jìn)行后續(xù)分析 議程 1. N6705B在電壓瞬變測(cè)試中的應(yīng)用 2. N6781/82A源表模塊在低功耗分析中的應(yīng)用 3. N6781/82A作為電子負(fù)載在電源芯片測(cè)試中的應(yīng)用 4. 安捷倫太陽(yáng)能測(cè)試方案 Page 26 +20V +1A +3A 3A +6V +6V 1A 作為電子負(fù)載使用: 測(cè)試您電源芯片 (PMU, PMIC, LDO等 ) 的各項(xiàng)指標(biāo): ? 完整的兩象限工作狀態(tài),可以作為電子負(fù)載使用 ? 100 kHz任意波形帶寬,可以生成所需要的任意波形電壓、電流波形、脈沖、噪聲等信號(hào) ? 200KHz采樣率,作為電子負(fù)載,直接觀(guān)察輸入電壓、電流波形 ? 低電壓狀態(tài)下工作正常,無(wú)導(dǎo)通電壓要求 第二象限:完整的電子負(fù)載工作區(qū) 作為電子負(fù)載使用: 測(cè)試您電源芯片 (PMU, PMIC, LDO等 ) 的各項(xiàng)指標(biāo): ? 產(chǎn)生脈寬、幅度可控的電流脈沖測(cè)試輸出穩(wěn)定度 (Transient Response) N6781/82A可以產(chǎn)生微秒級(jí)變化的電流脈沖,用以仿真實(shí)際負(fù)載的動(dòng)態(tài)變化,來(lái)測(cè)試您的電源芯片輸出穩(wěn)定程度 定義您所需要的電流脈沖波形,加載在被測(cè)試的電源芯片上 作為電子負(fù)載使用: 測(cè)試您電源芯片 (PMU, PMIC, LDO等 ) 的各項(xiàng)指標(biāo): ? 負(fù)載穩(wěn)定時(shí),可以通過(guò)內(nèi)部數(shù)采(最高 200KHz采樣率)測(cè)量芯片輸出的電壓紋波噪聲指標(biāo): 圖中可以看到,在 ,采集到的電壓紋波峰峰值為 設(shè)置 N6781A工作在恒流電子負(fù)載模式下 作為電子負(fù)載使用: 測(cè)試您電源芯片 (PMU, PMIC, LDO等 ) 的各項(xiàng)指標(biāo): ? 內(nèi)置側(cè)量功能,同時(shí)對(duì)輸入的電壓電流信號(hào)進(jìn)行測(cè)量觀(guān)察 ? 內(nèi)置 200KHz數(shù)采直接采集輸入端電壓電流波形,并測(cè)量電壓電流峰峰值,最大最小值,測(cè)量精度最高可到 uV或 nA級(jí)別 放大或展寬波形可以得到更多細(xì)節(jié),并對(duì)波形進(jìn)行測(cè)量 由于負(fù)載模塊生成的電流脈沖造成的電源芯片輸出電壓波動(dòng) 作為電子負(fù)載使用: 測(cè)試您電源芯片 (PMU, PMIC, LDO等 ) 的各項(xiàng)指標(biāo): ? N6781/82A作為電子負(fù)載,不存在低電壓工作限制 ? 常見(jiàn)電子負(fù)載通常有工作電壓要求,低于 3V時(shí),吸收電流能力下降,導(dǎo)致低電壓測(cè)試時(shí),非常不便, 普通電子負(fù)載在低電壓條件下,吸收電流能力下降,作為低電壓芯片測(cè)試非常不便,有時(shí)需要串聯(lián)額外電源用以臺(tái)高輸入電壓電壓 作為電子負(fù)載使用: 測(cè)試您電源芯片 (PMU, PMIC, LDO等 ) 的各項(xiàng)指標(biāo): 可以直接工作在低電壓下 (3V以下 ),吸收電流并測(cè)試低電壓供電芯片的輸出能力 Impo
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