納米薄膜ppt課件(編輯修改稿)
2025-05-30 03:30 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 離子束與離子助的幾種類(lèi)型 （ 1）離子鍍（三級(jí)離子鍍、空陰極放電離子鍍） （ 2）陰極電弧等離子體沉積 （ 3）熱空陰極槍蒸發(fā) （ 4）共離子轟擊沉積 （ 5）非平衡磁控離子助沉積 （ 6）離子束沉積 外延是指沉積膜與基片之間存在結(jié)晶學(xué)關(guān)系時(shí)，在基片上取向或單晶生長(zhǎng)同一物質(zhì)的方法。 包括： （ 1）分子束外延（ MBE） （ 2）液相外延生長(zhǎng)（ LPE） （ 3）熱壁外延生長(zhǎng)（ HWE） 分子束外延 在超高真空條件下，由裝有各種所需組分的爐子加熱而產(chǎn)生的蒸氣，經(jīng)小孔準(zhǔn)直后形成的分子束或原子束，直接噴射到適當(dāng)溫度的單晶基片上，同時(shí)控制分子束對(duì)襯底掃描，就可使分子或原子按晶體排列一層層地 “ 長(zhǎng) ” 在基片上形成薄膜。 分子束外延的特點(diǎn) 優(yōu)點(diǎn)： （ 1）由于系統(tǒng)是超高真空，因此雜質(zhì)氣體（如殘余氣體）不易進(jìn)入薄膜，薄膜的純度高。 （ 2）外延生長(zhǎng)一般可在低溫下進(jìn)行。 （ 3）可嚴(yán)格控制薄膜成分以及摻雜濃度。 （ 4）對(duì)薄膜進(jìn)行原位檢測(cè)分析，從而可以嚴(yán)格控制薄膜的 生長(zhǎng)級(jí)性質(zhì)。 缺點(diǎn)： 設(shè)備昂貴，維護(hù)費(fèi)用高，生長(zhǎng)時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，不宜大規(guī)模生產(chǎn) 分子束外延裝置 二、薄膜制備的化學(xué)方法 熱生長(zhǎng) 化學(xué)氣相沉積 電鍍 化學(xué)鍍 陽(yáng)極反應(yīng)沉積法 LB技術(shù) 熱生長(zhǎng) 在充氣條件下，大量的氧化物、氮化物和碳化物薄膜可以通過(guò)加熱基片的方式獲得。 舉例：
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