電工電子第十三章ppt課件(編輯修改稿)
2025-05-28 18:12 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 整流電路相比較，區(qū)別只是用二只晶閘管代替了其中的兩個(gè)二極管。 返回 上一頁(yè) 13. 2可控整流電路 下一頁(yè) ? 當(dāng)輸人電壓 μ １ 為正半周時(shí)，正向陽(yáng)極電壓加在晶閘管 VS１ ，和二極管 D２ 上。如果在 ωt=α 時(shí)，觸發(fā) VS１ 使其導(dǎo)通，電流通路為 1→ VS１ → RL→ D2→ 2→ 1，如 圖 13. 5 (a)中實(shí)線(xiàn)箭頭所示。這時(shí) VS２ 和 D１ 均因承受反向電壓而截止。當(dāng)輸人電壓 μ i，為負(fù)半周時(shí)， VS２ 和 D１ 承受正向電壓，也在負(fù)半周的相應(yīng)時(shí)刻 ( )時(shí)，觸發(fā) VS２ ，使其導(dǎo)通，電流通路為2→ VS２ → RＬ → D１ → 1→ 2，如圖 ( a)中虛線(xiàn)箭頭所示此時(shí) VS１ 和 D２ 截止負(fù)載Ｒ L上的電壓和電流的波形及晶閘管 VS１ 、VS２ 上的電壓波形如圖 (ｂ )所示。 ? 從圖 (ｂ )中可見(jiàn)，ｕ ｌ 和ｉ L的波形相似，這是負(fù)載為電阻的緣故。 返回 上一頁(yè) 圖 13. 5單相半控橋式整流 返回 13. 2可控整流電路 ? 為保證電路安全可靠地運(yùn)行，要考慮足夠的安全系數(shù)，通常選取晶閘管的 UＤＲＭ 與 PRF分別等于Ｕ ＦＭ 和 UＦＭ 的 1. 5一 2倍。因此，晶閘管可選用 3 CT156(15 A , 600 V)，二極管 ? 選用 10 A , 300 V，如 2CZ10/300。因?yàn)槎O管的最高反向工作電壓一般是取反向擊穿電壓的一半，故選 300 V足夠了。 返回 上一頁(yè) 13. 3晶閘管的保護(hù) 下一頁(yè) ? ? 晶閘管發(fā)生過(guò)電流的主要原因有 :負(fù)載端過(guò)載或短路、元器件被擊穿短路、誤導(dǎo)通等由于晶閘管結(jié)層的熱容量很小，一旦發(fā)生過(guò)電流，溫度就會(huì)急劇上升而可能把 PN結(jié)燒壞，造成元器件損壞。為避免過(guò)電流的襲擊，需采用能迅速切斷電路的快速動(dòng)作的保護(hù)器，如快速熔斷器、快速過(guò)電流繼電器等。 ? 快速熔斷器是保護(hù)過(guò)電流的最簡(jiǎn)便的電器。它接入電路有三種方式 :接在交流輸入端 。接在直流輸出端 。與晶閘管串聯(lián)，如圖 13. 6電路中的 FU。 ? 熔斷器的電流定額應(yīng)該盡量接近實(shí)際工作電流的有效值，而不是按所保護(hù)的元器件的電流定額 (平均值 )選取。 返回 圖 13. 6快速熔斷器在 可控整流電路中的位省 返回 13. 3晶閘管的保護(hù) ? ? 引起晶閘管過(guò)電壓的主要原因，一般是由于感性負(fù)載電路的通斷、電源電壓的波動(dòng)、熔斷器的燒斷、雷擊時(shí)的浪涌電壓等。這種過(guò)電壓的作用時(shí)間極短。所謂過(guò)電壓保護(hù)，實(shí)質(zhì)上就是設(shè)法消除這種短時(shí)間的過(guò)電壓。阻容保護(hù)是元件過(guò)電壓保護(hù)的最基本方法，因電容元件兩端的電壓是不能突變的，利用它來(lái)吸收過(guò)電壓，可將造成過(guò)電壓的能量變成電場(chǎng)能量?jī)?chǔ)存到電容器中，然后釋放到電阻中去消耗掉。這種 RC串聯(lián)電路作為過(guò)電壓保護(hù)，稱(chēng)為阻容吸收回路。阻容吸收元件可以并聯(lián)在整流裝置的交流側(cè) (輸入端 )、直流側(cè) (輸出端 )或元件側(cè)，如 圖 13. 7所示。 返回 上一頁(yè) 圖 整流電路中的價(jià)置 返回 13. 4晶閘管的觸發(fā)電路 下一頁(yè) 13. ? 單結(jié)晶體管亦稱(chēng)雙基極二極管，其外形與普通三極管相似。圖 13. 8 (a)所示為單結(jié)晶體管的結(jié)構(gòu)示意。由圖可見(jiàn)，它只有一個(gè) PN結(jié)，但有三個(gè)電極，分別稱(chēng)為發(fā)射極、第一基極 B１和第二基極 B２ 。 ? 單結(jié)晶體管的伏安特性曲線(xiàn)如圖 13. 8 ( c)所示。由圖可見(jiàn)，曲線(xiàn)上有兩個(gè)突變點(diǎn) :峰點(diǎn) P和谷點(diǎn) V，對(duì)應(yīng)的電壓和電流分別稱(chēng)為峰點(diǎn)電壓 UＰ 、谷點(diǎn)電壓 UＶ ,峰點(diǎn)電流 IＰ 和谷點(diǎn)電流 IＶ 。這兩點(diǎn)將曲線(xiàn)分為三個(gè)工作區(qū)域，即截止區(qū)、負(fù)阻區(qū)和飽和區(qū)。 返回 圖 13. 8單結(jié)晶體管 返回 13. 4晶閘管的觸發(fā)電路 下一頁(yè) ? 截止區(qū)是指曲線(xiàn)上 P點(diǎn)以左， IE數(shù)值很小，單結(jié)晶體管尚未導(dǎo)通的一段區(qū)域。這時(shí)，外加電壓 UE很小，發(fā)射極 E與第一基極B１ 之間的 PN結(jié)不能導(dǎo)通，故發(fā)射極僅有很小的反向漏電流。 ? ? 負(fù)阻區(qū)是指曲線(xiàn)上 P點(diǎn)至 V點(diǎn)之間的一段曲域。這時(shí)，外加電壓達(dá)到 UＰ ,，單結(jié)晶體管內(nèi)的 PN結(jié)導(dǎo)通， IE突然增大， UE反而減小，即 ?UE／ ?IE為負(fù)值，所以稱(chēng)為負(fù)阻區(qū)。 返回 上一頁(yè) 13. 4晶閘管的觸發(fā)電路 下一頁(yè) ? ? 飽和區(qū)是指谷點(diǎn)右邊的那部分區(qū)域。當(dāng) IE增大到一定值時(shí)，曲線(xiàn)出現(xiàn)最低點(diǎn)，即谷點(diǎn) U。過(guò)谷點(diǎn)以后， UE又隨著 IE的增加而略有升高，但變化不大，故這部分稱(chēng)為飽和區(qū)。 返回 上一頁(yè) 13. 4晶閘管的觸發(fā)電路 下一頁(yè) ? 13. 4. 2單結(jié)晶體管觸發(fā)電路 ? 利用單結(jié)晶體管的負(fù)阻特性和Ｒ C電路的充放電特性，可以構(gòu)成單結(jié)晶體管觸
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1