電工電子第十三章ppt課件(編輯修改稿)
2025-05-28 18:12 本頁面
【文章內容簡介】 整流電路相比較，區(qū)別只是用二只晶閘管代替了其中的兩個二極管。 返回 上一頁 13. 2可控整流電路 下一頁 ? 當輸人電壓 μ １ 為正半周時，正向陽極電壓加在晶閘管 VS１ ，和二極管 D２ 上。如果在 ωt=α 時，觸發(fā) VS１ 使其導通，電流通路為 1→ VS１ → RL→ D2→ 2→ 1，如 圖 13. 5 (a)中實線箭頭所示。這時 VS２ 和 D１ 均因承受反向電壓而截止。當輸人電壓 μ i，為負半周時， VS２ 和 D１ 承受正向電壓，也在負半周的相應時刻 ( )時，觸發(fā) VS２ ，使其導通，電流通路為2→ VS２ → RＬ → D１ → 1→ 2，如圖 ( a)中虛線箭頭所示此時 VS１ 和 D２ 截止負載Ｒ L上的電壓和電流的波形及晶閘管 VS１ 、VS２ 上的電壓波形如圖 (ｂ )所示。 ? 從圖 (ｂ )中可見，ｕ ｌ 和ｉ L的波形相似，這是負載為電阻的緣故。 返回 上一頁 圖 13. 5單相半控橋式整流 返回 13. 2可控整流電路 ? 為保證電路安全可靠地運行，要考慮足夠的安全系數(shù)，通常選取晶閘管的 UＤＲＭ 與 PRF分別等于Ｕ ＦＭ 和 UＦＭ 的 1. 5一 2倍。因此，晶閘管可選用 3 CT156(15 A , 600 V)，二極管 ? 選用 10 A , 300 V，如 2CZ10/300。因為二極管的最高反向工作電壓一般是取反向擊穿電壓的一半，故選 300 V足夠了。 返回 上一頁 13. 3晶閘管的保護 下一頁 ? ? 晶閘管發(fā)生過電流的主要原因有 :負載端過載或短路、元器件被擊穿短路、誤導通等由于晶閘管結層的熱容量很小，一旦發(fā)生過電流，溫度就會急劇上升而可能把 PN結燒壞，造成元器件損壞。為避免過電流的襲擊，需采用能迅速切斷電路的快速動作的保護器，如快速熔斷器、快速過電流繼電器等。 ? 快速熔斷器是保護過電流的最簡便的電器。它接入電路有三種方式 :接在交流輸入端 。接在直流輸出端 。與晶閘管串聯(lián)，如圖 13. 6電路中的 FU。 ? 熔斷器的電流定額應該盡量接近實際工作電流的有效值，而不是按所保護的元器件的電流定額 (平均值 )選取。 返回 圖 13. 6快速熔斷器在 可控整流電路中的位省 返回 13. 3晶閘管的保護 ? ? 引起晶閘管過電壓的主要原因，一般是由于感性負載電路的通斷、電源電壓的波動、熔斷器的燒斷、雷擊時的浪涌電壓等。這種過電壓的作用時間極短。所謂過電壓保護，實質上就是設法消除這種短時間的過電壓。阻容保護是元件過電壓保護的最基本方法，因電容元件兩端的電壓是不能突變的，利用它來吸收過電壓，可將造成過電壓的能量變成電場能量儲存到電容器中，然后釋放到電阻中去消耗掉。這種 RC串聯(lián)電路作為過電壓保護，稱為阻容吸收回路。阻容吸收元件可以并聯(lián)在整流裝置的交流側 (輸入端 )、直流側 (輸出端 )或元件側，如 圖 13. 7所示。 返回 上一頁 圖 整流電路中的價置 返回 13. 4晶閘管的觸發(fā)電路 下一頁 13. ? 單結晶體管亦稱雙基極二極管，其外形與普通三極管相似。圖 13. 8 (a)所示為單結晶體管的結構示意。由圖可見，它只有一個 PN結，但有三個電極，分別稱為發(fā)射極、第一基極 B１和第二基極 B２ 。 ? 單結晶體管的伏安特性曲線如圖 13. 8 ( c)所示。由圖可見，曲線上有兩個突變點 :峰點 P和谷點 V，對應的電壓和電流分別稱為峰點電壓 UＰ 、谷點電壓 UＶ ,峰點電流 IＰ 和谷點電流 IＶ 。這兩點將曲線分為三個工作區(qū)域，即截止區(qū)、負阻區(qū)和飽和區(qū)。 返回 圖 13. 8單結晶體管 返回 13. 4晶閘管的觸發(fā)電路 下一頁 ? 截止區(qū)是指曲線上 P點以左， IE數(shù)值很小，單結晶體管尚未導通的一段區(qū)域。這時，外加電壓 UE很小，發(fā)射極 E與第一基極B１ 之間的 PN結不能導通，故發(fā)射極僅有很小的反向漏電流。 ? ? 負阻區(qū)是指曲線上 P點至 V點之間的一段曲域。這時，外加電壓達到 UＰ ,，單結晶體管內的 PN結導通， IE突然增大， UE反而減小，即 ?UE／ ?IE為負值，所以稱為負阻區(qū)。 返回 上一頁 13. 4晶閘管的觸發(fā)電路 下一頁 ? ? 飽和區(qū)是指谷點右邊的那部分區(qū)域。當 IE增大到一定值時，曲線出現(xiàn)最低點，即谷點 U。過谷點以后， UE又隨著 IE的增加而略有升高，但變化不大，故這部分稱為飽和區(qū)。 返回 上一頁 13. 4晶閘管的觸發(fā)電路 下一頁 ? 13. 4. 2單結晶體管觸發(fā)電路 ? 利用單結晶體管的負阻特性和Ｒ C電路的充放電特性，可以構成單結晶體管觸
教學課件相關推薦
鄂ICP備17016276號-1