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正文內(nèi)容

模塊一—常用電子元器(編輯修改稿)

2025-05-26 12:05 本頁(yè)面
 

【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 – + + – a Tr D uo u b RL io u ?t O uo O t ?U2U2模塊一 常用電子元器件 3.檢波應(yīng)用 從高頻載波信號(hào)中將低頻信號(hào)取出來(lái),稱(chēng)為解調(diào)或檢波。(如右圖所示) 2.限幅應(yīng)用 將輸出電壓限制在某一電壓值以?xún)?nèi)的電路稱(chēng)為限幅電路。 4.保護(hù)應(yīng)用 保護(hù)其他元件免受過(guò)高電壓的損害。 模塊一 常用電子元器件 半導(dǎo)體三極管 結(jié)構(gòu)與符號(hào) B E C N N P 基極 發(fā)射極 集電極 NPN型 P N P 集電極 基極 發(fā)射極 B C E PNP型 B E C IB IE IC NPN型三極管 B E C IB IE IC PNP型三極管 模塊一 常用電子元器件 B E C N N P 基極 發(fā)射極 集電極 基區(qū):較薄,摻雜濃度低 集電區(qū): 面積較大 發(fā)射區(qū):摻雜濃度較高 三極管制造工藝特點(diǎn)是: 發(fā)射區(qū)摻雜濃度高,基區(qū)摻雜濃度低且很薄,集電區(qū)面積大。 模塊一 常用電子元器件 電流分配與電流放大作用 外部工作條件 :即給三極管的發(fā)射結(jié)加正向電壓(習(xí)慣稱(chēng)正向偏置或正偏),集電結(jié)加反向電壓(習(xí)慣稱(chēng)反向偏置或反偏)。 IC mA ?A V V UCE UBE Rb IB UCC UBB VT RP 先做一個(gè)實(shí)驗(yàn) . 結(jié)論 : ,即 IE=IC+IB IB大得多。由表可知 : 模塊一 常用電子元器件 3. IB的小變化引起 IC的大變化。 ??????BCII ,發(fā)射結(jié)必須正偏 ,集電結(jié)必須反偏 。 三極管的特性曲線 1. 輸入特性 當(dāng) UCE一定時(shí), IB與 UBE之間的關(guān)系曲線稱(chēng)為三極管的輸入特性,即 常數(shù)?? CEUBEB UfI )(三極管的特性曲線是指各電極電壓與電流之間的關(guān)系曲線,它是三極管內(nèi)部載流子運(yùn)動(dòng)的外部表現(xiàn)。 74 ??BCII 76 ??BCII模塊一 常用電子元器件 一 .輸入特性 UCE ?1V 工作壓降: 硅管 UBE?,鍺管 UBE?。 UCE=0V IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 UCE = 死區(qū)電壓,硅管 ,鍺管 。 共射極接法硅 NPN型三極管的輸入特性曲線 模塊一 常用電子元器件 2. 輸出特性 當(dāng) IB一定時(shí), IC與 UCE之間的關(guān)系曲線稱(chēng)為三極管的輸出特性,即 常數(shù)?? BICEC UfI )(IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此區(qū)域滿足IC=?IB稱(chēng)為線性區(qū)( 放大區(qū) ) 當(dāng) UCE大于一定的數(shù)值時(shí), IC只與 IB有關(guān), IC=?IB。 此區(qū)域中 UCE?UBE,集電結(jié)正偏,?IBIC, UCE?稱(chēng)為 飽和區(qū) 。 此區(qū)域中 : IB=0,IC=ICEO,UBE 死區(qū)電壓,稱(chēng)為 截止區(qū) 。 模塊一 常用電子元器件 輸出特性三個(gè)區(qū)域的特點(diǎn) (1) 放大區(qū): 發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏。 即: IC=?IB , 且 ?IC = ? ? IB (2) 飽和區(qū): 發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)正偏。 即: UCE?UBE , ?IBIC, UCE? 三極管的主要參數(shù)及溫度影響 1. 三極管的主要參數(shù) 前面的電路中,三極管的發(fā)射極是輸入輸出的公共點(diǎn),稱(chēng)為共射接法,相應(yīng)地還有共基、共集接法。 共射直流電流放大倍數(shù): BCII?_ _ _?(1) 電流放大倍數(shù) 和 ? ___?模塊一 常用電子元器件 工作于動(dòng)態(tài)的三極管,真正的信號(hào)是疊加在直流上的交流信號(hào)?;鶚O電流的變化量為 ?IB, 相應(yīng)的集
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