金屬局部腐蝕重要ppt課件(編輯修改稿)
2025-05-26 03:40 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 封 、 涂覆 、 妥善排流 ， 清除沉積物 。 （ 2） 電化學(xué)保護(hù) （ 3） 緩蝕劑 （ 4） 改善介質(zhì)環(huán)境 （ 5） 選擇耐縫蝕合金 167。 晶間腐蝕 晶間腐蝕 — 晶粒邊界比晶粒本體腐蝕快得多，危害性大。晶間腐蝕在宏觀上不易察覺，金屬甚至保持光澤，但強(qiáng)度可完全消失。不銹鋼， Al， Ni， Cu合金等易發(fā)生晶間腐蝕。 1．晶間腐蝕條件 金屬學(xué)因素 ： （ 1） 晶界異相析出，元素貧乏區(qū)形成，如：不銹鋼因形成 (Cr,Fe)23C6而導(dǎo)致貧 Cr區(qū)；銅合金 CuAl2，導(dǎo)致貧 Cu； (2) 晶界析出易溶相，如 Al3Mg2， Mg2Si等溶解，產(chǎn)生晶間腐蝕； （ 3）位錯(cuò)或空位在晶界積累，導(dǎo)致雜質(zhì)或缺陷集中； （ 4）晶界應(yīng)力較大； （ 5）多晶金屬材料晶界活性較大，易于發(fā)生晶界吸附、晶界沉積等反應(yīng)； （ 6）熱加工處理過程在晶界新相生成。 2． 晶間腐蝕理論 （ 1） 貧化理論 在敏化溫度 ， 過飽和 C化合物 Cr23C6 在晶界析出 ， 其周圍形成貧 Cr 區(qū) ， 因 Cr在晶界擴(kuò)散比在晶粒擴(kuò)散速快 ， 使晶界 Cr很快耗盡 (陽極 )， 與晶粒形成活化 / 鈍化電偶電池 ， 發(fā)生陽極選擇性腐蝕 ， 促使晶間腐蝕的發(fā)生 。 電化學(xué)因素： ? 晶界與晶粒平衡電位差異 ， 造成電化學(xué)腐蝕速度不一； ? 晶界與晶粒陽極極化率不一 ， 或腐蝕阻力不一； ? 介質(zhì)中氧化劑在晶界和晶粒位置還原行為差異或腐蝕阻力不一。 （ 2） 晶界雜質(zhì)或第二相選擇性溶解理論 貧化理論不能解析全部現(xiàn)象 ， 如：溫度 、 超低碳不銹鋼等 。 又提出： FeCr 金屬間化合物 ? 相 ， 在一定條件下在晶界沉淀 ， ? 相在過鈍化電位可發(fā)生嚴(yán)重選擇性腐蝕 。 如 Al－Zn－ Mg合金 ， 晶界析出 MgZn2， Mg5Al3而發(fā)生選擇溶解 。 兩種理論相互補(bǔ)充 ， 能解釋較多晶間腐蝕形象 。 奧氏體不銹鋼在氧化性介質(zhì) （ 充氣海水 ） 、 MgCl2(普遍 ， 嚴(yán)重 )、強(qiáng)氧化性介質(zhì)－ HNO3(濃 )， Na2Cr2O7等容易發(fā)生晶間腐蝕 。 4． .晶間腐蝕控制 （ 1） 降低合金含碳量 ， 如發(fā)展超低碳不銹鋼 （ 成本高 ） ； （ 2） 加入穩(wěn)定元素 ， 如 Ti， Nb， 對(duì)碳親合力大 ， 優(yōu)先形成碳化物； （ 3） 固溶處理 ， 使碳化物溶解 (1050－ 1100℃ )， 然后快速冷卻 ， 特別是對(duì)焊件處理 (快焊快冷 )； （ 4） 采用雙相鋼
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