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正文內(nèi)容

太陽能測試原理ppt課件(編輯修改稿)

2025-05-25 23:39 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡介】 分離,光生電子被送進 N區(qū),光生空穴被送到 P區(qū)。根據(jù)耗盡近似條件,耗盡區(qū)邊界處的載流子濃度近似為 0,即 p=n=0。在 N區(qū)中,光生電子-空穴對產(chǎn)生以后,光生空穴便向 PN結(jié)邊界擴散,一旦到達 PN結(jié)邊界,便立即受到內(nèi)建電場作用,被電場力牽引做漂移運動,越過耗盡區(qū)進入 P區(qū),光生電子(多子)則被留在 N區(qū)。 P區(qū)中的光生電子同樣的先因為擴散,后因為漂移而進入 N區(qū),光生空穴留在 P區(qū)。如此便在 PN結(jié)兩側(cè)形成了正、負電荷的積累。產(chǎn)生了光生電壓,這就是“光生伏打效應”。當電池接上一負載后,光電流就從 P區(qū)經(jīng)負載流至 N區(qū),負載中即得到功率輸出。 圖 2 等效電路 Rs ID IL Ish U Cj I RL Uj Rsh 當受光照射的太陽能接上負載時,光生電流經(jīng)負載,并在負載兩端建立起端電壓。這時太陽能電池的工作情況可由左圖所示等效電路來描述。圖3中把太陽能電池看成穩(wěn)定的產(chǎn)生光電流 IL的電流源(只要光源穩(wěn)定)。 由圖中可以看出,流經(jīng)負載的電流為 I=IL- IDIsh 。 UOC: RL=∞時( I=0,相當于開路)的電壓 U為開路電壓 UOC。 ISC : RL=0 時( U=0,相當于短路)的電流 I為短路電流 ISC。 Rsh :周邊刻蝕沒有完全刻掉,存在漏電,上下導通的電阻為并聯(lián)電阻。 RS :由材料體電阻、接觸電阻、探針及導線電阻幾部分組成。 Irev=ID (PN結(jié)漏電 ) + Ish (邊緣漏電,等離子刻蝕) 圖 3 從上述參量關系中我們可以判斷數(shù)據(jù)異常的原因: ( 1)串聯(lián)電阻大 可能原因為:漿料與硅接觸不好或探針壓力不夠等。 ( 2)并聯(lián)電阻小 周邊刻蝕沒有做好。相應還會導致
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