cvd法制備石墨烯ppt課件(編輯修改稿)
2025-05-25 22:17 本頁面
【文章內容簡介】 實驗條件 ： 常壓，高溫。 基體 ：銅， 20um， C源 ：固態(tài)有機廢物。 預處理 ：（ Cu基板） ，酸清洗。 目的：使生長基板平整，趨于各向同性，干凈，降低粗糙度。 Annealed 。 目的：減少 Cu基板上的晶格缺陷 （ sharp wrinkles, step edges,defects） 基板上的污點，缺陷都可能成為碳原子的 形核據(jù)點 Low nucleation density is critical for continuous growth of larger graphene crystals. ? 生長速度和邊緣之間的作用可以影響其形貌。當碳源供給量大時將由六邊形過渡到圓形的生長狀態(tài)。繼續(xù)增加供應量時，會產生多層
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