ecvd工作工藝原理ppt課件(編輯修改稿)
2025-05-25 22:03 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 周期（相差 12ms） 調(diào)整 Ppeak可改變等離子源的擴散長度，沉積率隨著 Pmean輕微增加（通過 Ton， Toff控制），如果不均勻通過左 /右微波功率調(diào)節(jié)左 /右沉積率。 Ppeak=2500… 3200… 3600W Ton=3… 8… 12ms Toff=12… 18… 25ms Mean power=750… 1000… 1500W 微波功率 （對一個微波源） 隨著溫度增加輕微減少沉積率 250… 325… 400℃ 反應溫度 最佳值為80cm/min 速度的調(diào)整用作對膜厚的最終調(diào)整 15… 20… 30cm/min/PS 承載框傳輸速度 高的硅含量（低于 ）開始在 SiN膜中產(chǎn)生光吸收 較多的 SiH4會導致較多的 Si含量、更高的折射率 … … 4 工作氣體比 （ QNH3/QSiH4) 沉積率隨著總氣體流量增加（在1000sccm/PS時飽和），但在高流量時等離子體分裂態(tài)少 150… 300… 500 sccm/PS 總氣體流量 超過 ；低壓增加 H鈍化效果 … … 沉積腔壓力 備注 對 SiN膜的作用 范圍 參數(shù) SiN膜對太陽電池參數(shù)的影響 參數(shù) 范圍 SiN膜的作用 備注 膜的厚度 70… 75… 80 nm 對最大的光吸收為最佳的減反膜參數(shù) 在燒結后膜的光學特性有一些改變 折射率 … … … 對最大的光吸收為最佳的減
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