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正文內(nèi)容

全國20xx年4月高電壓技術(shù)試題(編輯修改稿)

2024-12-03 03:48 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡介】 ,每小題 1 分,共 10 分) 請在每小題的空格中填上正確答案。錯填、不填均無分。 ______. ,其一為改善電場,其二為 ________. ,加裝屏障可以改善電場分布和 _______. tgδ時,只能采用反接線方式,此時調(diào)節(jié)元件 R C4處于 ________電位。 ,繞組中的起始電壓分布極不均勻,造成這種現(xiàn)象的主要原因是 _______。 __________決定的。 _______作用。 ,消弧線圈通常處于 _______運(yùn)行方式。 ,產(chǎn)生
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