【總結】模擬電子技術試題1一、選擇填空(30分)1.本征半導體電子濃度()空穴濃度;N型半導體的電子濃度()空穴濃度;P型半導體的電子濃度()空穴濃度。a:大于;b:小于;c:等于。2.場效應管屬于()控制型器件,晶體三極管則屬于()控制器件。a:電壓;b:電流
2025-01-07 21:39
【總結】《模擬電子技術與應用》試題(1)一、填空(16分)1.半導體二極管的主要特性是___________。2.三極管工作在放大區(qū)時,發(fā)射結為____偏置,集電結為_____偏置;工作在飽和區(qū)時發(fā)射結為___偏置,集電結為____偏置。3.當輸入信號頻率為fL和fH時,放大倍數(shù)的幅值約下降為中頻時的__倍,或者是下降了__dB,此時與中頻時相比,放大倍數(shù)的附加相移約為_____。
2025-03-25 04:55
【總結】1《模擬電子技術》模擬試題一一、填空題:(每空1分共40分)1、PN結正偏時(),反偏時(),所以PN結具有()導電性。2、漂移電流是()電流,它由()載流子形成,其大小與()有關,而與外加電壓()。3、所謂理想二極管,就是當其正偏時,結電阻為(
【總結】模擬電子技術模擬試題卷庫試卷一一、單項選擇題:在下列各題中,將唯一正確的答案代碼填入括號內(nèi)(本大題共13小題,總計34分)2、(本小題2分)若用萬用表測二極管的正、反向電阻的方法來判斷二極管的好壞,好的管子應為()。(a)正、反向電阻相等(b)正向電阻大,反向電阻小(c)反向電阻比正向電
2024-10-27 08:12
2024-10-29 08:43
【總結】《模擬電子技術》綜合復習資料第一章常用半導體器件一、選擇1、在晶體管放大電路中,測得晶體管的各個電極的電位如下圖所示,該晶體管的類型是[A]A.NPN型硅管B.PNP型硅管C.NPN型鍺管
2025-06-05 21:32
【總結】電工電子技術試題庫(電路分析部分)一、單項選擇題(選擇正確的答案,將相應的字母填入題內(nèi)的括號中。每題)1、歐姆定律適合于()A、非線性電路B、線性電路、C、任何電路答案:B題型:單選2、基爾霍夫定律包括()個定律。A、1B、2C、3答案:B題型:
2024-11-08 12:44
【總結】電子技術模擬試題卷庫電子技術試卷一一、單項選擇題:在下列各題中,將唯一正確的答案代碼填入括號內(nèi)(本大題共13小題,總計34分)1、(本小題2分)由開關組成的邏輯電路如圖所示,設開關接通為“1”,斷開為“0”,電燈亮為“1”,電燈暗為“0”,則該電路為()。(a)“與”門 (b)“或”門 (c)“非”門2、(本小題2
2025-03-25 06:14
【總結】專業(yè)班號姓名學號題號一二三四五六七總分得分一、選擇填空(每空2分共24分)1.非線性失真與線性失真(頻率失真)的最主要差別是________。(A)非線性失真使信號波形中任一點的幅值沒有得到
【總結】數(shù)字電子技術模擬試題(1)一、填空題(每空1分,共20分)1、邏輯函數(shù)的化簡方法有_________和____________。2、()10=()2=()8421BCD。3、表示邏輯函數(shù)功能的常用方法有_________、_________卡諾圖等。4、組合電路由________________構成,它的輸出只
2025-07-25 22:21
【總結】第1頁共85頁一、填空題1、電路如圖1所示,U=伏。答案:5V2、電路如圖2所示,當開關K打開時,VA=V,VB=V,UAB=V;當開關K閉合時,VA=V,VB=V,UAB=
2024-10-27 03:12
【總結】《汽車電工電子技術》考試題庫一、填空題1、電路的狀態(tài)有開路、通路、短路三種。3、電池的基本接法有兩種:串聯(lián)和并聯(lián)。4、并聯(lián)電容器總電容等于參與并聯(lián)的各電容之和。5、并聯(lián)電路的總電阻的倒數(shù)等于參與并聯(lián)的各電阻阻值倒數(shù)之和。6、三相電源與三相負載的
2024-11-03 15:52
【總結】1《模擬電子技術》綜合復習資料第一章常用半導體器件一、選擇1、在晶體管放大電路中,測得晶體管的各個電極的電位如下圖所示,該晶體管的類型是[A]A.NPN型硅管B.PNP型硅
2024-11-05 05:51
【總結】電力電子技術模擬試卷四(考試時間 150分鐘)一、填空題(每小題1分,共14分)1.1.???三相半波可控整流電路中的三個晶閘管的觸發(fā)脈沖相位按相序依次互差__________。2.2.???功率集成電路PIC分為二大類,一類是高壓集成電路,另一類是________________。3.3.?
2025-03-25 06:07
【總結】填空題1.在常溫下,硅二極管的門檻電壓約為,導通后在較大電流下的正向壓降約為;鍺二極管的門檻電壓約為,。2、二極管的正向電阻??;反向電阻大。3、二極管的最主要特性是單向導電性。PN結外加正向電壓時,擴散電流大于漂移電流,耗盡層變窄。4、二極管最主要的電特性是單向導電性,穩(wěn)壓二極管在使用時,穩(wěn)壓二極管與負載并聯(lián),
2025-03-26 01:56