【文章內(nèi)容簡介】 溫試驗箱內(nèi)壁的距離不小于 150mm。低溫箱以不超過1℃/min變化率降溫，待降溫至表3規(guī)定的最低溫度并穩(wěn)定后，保溫2h，然后通電2h后，測試狀態(tài)輸入量、遙控、直流輸入模擬量、交流輸入模擬量和事件記錄站內(nèi)分辨率應符合Q/GDW 5142010 的相關(guān)規(guī)定。低溫時引起的交流輸入模擬量的改變量應不大于100%。表3 氣候環(huán)境條件分類級別空氣溫度濕度范圍℃最大變化率a℃/min相對極度b%最大絕對溫度g/m3C15～+455～9520C225～+5510～10029C340～+70135CXca 溫度變化率取5min 時間內(nèi)平均值。b 相對濕度包括凝露。c CX級別根據(jù)需要由用戶確定。 高溫試驗按GB/，將配電終端在非通電狀態(tài)下放入高溫試驗箱中央。高溫箱以不超過1℃/min變化率升溫，待升溫至表 3 規(guī)定的最高溫度并穩(wěn)定后，保溫2h，然后通電2h后，測試狀態(tài)輸入量、遙控、直流輸入模擬量、交流輸入模擬量和事件記錄站內(nèi)分辨率應符合 Q/GDW 5142010的相關(guān)規(guī)定。高溫時引起的交流輸入模擬量的改變量應不大于 100%。 濕熱試驗按GB/T 。配電終端各表面與濕熱試驗箱內(nèi)壁的距離不小于150mm，凝結(jié)水不得跌落到試驗樣品上。試驗箱以不超過1℃/min變化率升溫，待試驗箱內(nèi)達到并保持溫度40℃177。2℃、相對濕度93%177。3%，試驗周期為48h。試驗過程最后1h～2h，按表4的規(guī)定用相應電壓的絕緣電阻表測量濕熱條件下的絕緣電阻應不低于2MΩ，測量時間不小于5s。表4 各電氣回路對地和各電氣回路之間的絕緣電阻要求額定絕緣電壓V絕緣電阻MΩ測試電壓V正常條件濕熱條件U≤60≥5≥225060＜U≤250≥5≥2500試驗結(jié)束后，先把試驗箱內(nèi)的相對濕度降到75%177。3%， 后將試驗箱內(nèi)溫度恢復到正常溫度并穩(wěn)定后，將配電終端取出，在大氣條件下恢復1h～2h，檢查配電終端金屬部分，應無腐蝕和生銹情況，測試狀態(tài)輸入量、遙控、直流輸入模擬量、交流輸入模擬量和事件記錄站內(nèi)分辨率應符合Q/GDW 5142010的相關(guān)規(guī)定。 絕緣性能試驗 絕緣電阻試驗試驗時配電終端應蓋好外殼和端子蓋板。如外殼和端子蓋板由絕緣材料制成，應在其外覆蓋以導電箔并與接地端子相連，導電箔應距接線端子及其穿線孔2cm。試驗時，不進行試驗的電氣回路應短路并接地。在正常試驗條件和濕熱試驗條件下，按表4的測試電壓，在配電終端的端子處測量各電氣回路對地和各電氣回路間的絕緣電阻，其值應符合表4的規(guī)定。 絕緣強度試驗試驗時配電終端應蓋好外殼和端子蓋板。如外殼和端子蓋板由絕緣材料制成，應在其外覆蓋以導電箔并與接地端子相連，導電箔應距離接線端子及其穿線孔2cm。試驗時，不進行試驗的電氣回路應短路并接地。用50Hz正弦波電壓對以下回路進行試驗，時間1min，施加 Q/GDW 。被試回路為:a)電源回路對地；b)輸出回路對地；c)狀態(tài)輸入回路對地；d)工頻交流電量輸入回路對地(試驗時，應將被試回路的接地線斷開)。e)以上無電氣聯(lián)系的各回路之間；f)輸出繼電器常開觸點之問；g)交流電源和直流電源間。試驗時不得出現(xiàn)擊穿、閃絡現(xiàn)象，泄漏電流應不大于5mA。試驗后測試狀態(tài)輸入量、遙控、直流輸入模擬量、交流輸入模擬量和事件記錄站內(nèi)分辨率應符合Q/GDW 5142010中的相關(guān)規(guī)定。工頻交流電量測量的基本誤差滿足其等級指數(shù)要求。 沖擊電壓試驗試驗時配電終端應蓋好外殼和端子蓋板。如外殼和端子蓋板由絕緣材料制成，應在其外覆蓋導電箔并與接地端子相連，導電箔應距離接線端子及其穿線孔2cm。試驗時，不進行試驗的電氣回路應短路并接地。a)沖擊電壓要求:1)脈沖波形:；2)電源阻抗:500Ω177。50Ω。3)電源能量:177。每次試驗分別在正、負極性下施加5次，兩個脈沖之間最少間隔5s，試驗電壓按表5規(guī)定。表5 沖擊試驗電壓 V額定絕緣電壓試驗電壓有效值額定絕緣電壓試驗電壓有效值U≤602000125＜U≤250500060＜U≤1255000250＜U≤4006000注：RS485接口與電源回路間試驗電壓不低于4000V。b)被試回路為：1）電源回路對地；2）輸出回路對地；3）狀態(tài)輸入回路對地；4）工頻交流電量輸入回路對地（試驗時，應將被試回路的接地線斷開）；5）以上無電氣聯(lián)系的各回路之間；6）RS485接口與電源端子之間。試驗后，配電終端應能正常工作，測試狀態(tài)輸入量、遙控、直流輸入模擬量、交流輸入模擬量和事件記錄站內(nèi)分辨率應符合Q/GDW 5142010中的相關(guān)規(guī)定。工頻交流電量測量的基本誤差滿足其等級指數(shù)要求。 電磁兼容性試驗 電壓暫降和短時中斷試驗配電終端在通電狀態(tài)下，按GB/T ，并在下述條件進行試驗：a)電壓試驗等級0%UT；b)從額定電壓暫降100%；c)，25個周期；d)中斷次數(shù)：3次，各次中斷之間的恢復時間10s。以上電源電壓的突變發(fā)生在電壓過零處。電磁兼容試驗基本要求見附錄C。試驗時配電終端應能正常工作，測試狀態(tài)輸入量、遙控、直流輸入模擬量、交流輸入模擬量和SOE站內(nèi)分辨率應符合Q/GDW 5142010中的相關(guān)規(guī)定。電壓暫降和智短時中斷的影響引起的改變量應不大于200%。 工頻磁場抗擾度試驗按GB/T 。將配電終端置于與系統(tǒng)電源電壓相同頻率的隨時間正弦變化的、強度為100A/m （5級）的穩(wěn)定持續(xù)磁場的線圈中心，配電終端應能正常工作，測試狀態(tài)輸入量、遙控、直流輸入模擬量、交流輸入模擬量和SOE站內(nèi)分辨率應符合Q/GDW 5142010中的相關(guān)規(guī)定。工頻磁場引起的改變量應不大于100%。 射頻電磁場輻射抗擾度試驗配電終端在正常工作狀態(tài)下，按 GB/T ：a) 一般試驗等級。1) 頻率范圍:80MHz～1000MHz。2) 嚴酷等級:3。3) 試驗場強:10V/m(非調(diào)制)；4) 正弦波1kHz，80%幅度調(diào)制。b) 抵抗數(shù)字無線電話射頻輻射的試驗等級。1) 頻率范圍:～2GHz；2) 嚴酷等級:4；3) 試驗場強:30V/m （非調(diào)制）；4) 正弦波1kHz，80%幅度調(diào)制。采用無線通信信道的配電終端，試驗時配電終端天線應引出，配電終端在使用頻帶內(nèi)不應發(fā)生錯誤動作；在使用頻帶外應能正常工作和通信，測試狀態(tài)輸入量、遙控、直流輸入模擬量、交流輸入模擬量和SOE站內(nèi)分辨率應符合 Q/GDW5142010 中的相關(guān)規(guī)定。一般等級試驗時，射頻磁場引起的改變量應不大于準確等級指數(shù)的 100%。采用其他信道的配電終端，試驗時應能正常工作，測試狀態(tài)輸入量、遙控、直流輸入模擬量、交流輸入模擬量和SOE站內(nèi)分辨率應符合Q/GDW 5142010中的相關(guān)規(guī)定，一般等級試驗時，射頻磁場引 起的改變量應不大于準確等級指數(shù)的100%。 靜電放電抗擾度試驗配電終端在正常工作狀態(tài)下，按 GB/T 的規(guī)定在下述條件下進行試驗:a) 嚴酷等級:4；b) 試驗電壓:8kV；c) 直接放電:施加在操作人員正常使用時可能觸及的外殼和操作部分，包括RS485接口；d) 每個敏感試驗點放電次數(shù)：正負極性各10次，每次放電間隔至少為1s。如配電終端的外殼為金屬材料，則直接放電采用接觸放電；如配電終端的外殼為絕緣材料，則直接放電采用空氣放電。試驗量時配電終端允許出現(xiàn)短時通信中斷和液晶顯示瞬時閃屏，測試狀態(tài)輸入量、遙控、直流輸入模擬量、交流輸入模擬量和 SOE站內(nèi)分辨率應符合Q/GDW 5142010中的相關(guān)規(guī)定。靜電放電引起的改變量應不大于準確等級指數(shù)的200%。 電快速瞬變脈沖抗擾度試驗按 GB/T ，并在下述條件下進行試驗：a) 配電終端在工作狀態(tài)下，試驗電壓分別施加于配電終端的狀態(tài)量輸入回路、交流輸入模擬量回路、控制輸出回路的每一個端口和保護接地端之間。1) 嚴酷等級:3/4。2) 試驗電壓：177。lkV/177。2kV。3) 重復頻率：5kHz或100kHz。4) 試驗時間: lmin/次:5) 試驗電壓施加次數(shù):正負極性各3次。b) 配電終端在工作狀態(tài)下，試驗電壓施加于配電終端的供電電源端和保護接地端。1) 嚴酷等級:3/4。2) 試驗電壓：177。2kV/177。4kV。3) 重復頻率：、5kHz或100kHz。4) 試驗時間: lmin/次:5) 施加試驗電