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正文內(nèi)容

電工電子技術(shù)課程設(shè)計---聲光控延時電路的設(shè)計(編輯修改稿)

2024-11-30 18:50 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡介】 約為 5 分鐘,即燈亮后若不再有聲音 5分鐘后燈自動熄滅。 二極管 VD2VD5 將交流 220V 進(jìn)行橋式整流.變成脈動直流電。又經(jīng) R6 降壓, C4 濾波后即為 電路的直流電源,為 BM 、 IC 等供電。 控制部分電路就是通過控制可控硅的導(dǎo)通與截止進(jìn)而連接和切斷供電電路,而達(dá)到目的。 5.總體電路原理相關(guān)說明 本電路是采用分離元件的聲控延時電路,其電路原理圖如 圖 1所示,原理圖說明: 220V 的燈充電直接整流。 在 輸 出 端串聯(lián) 25W 燈泡,輸出端接可控硅(負(fù)載)供電電路穩(wěn)壓電路,穩(wěn)壓電路是給話筒放大,音頻放大等提供 直流電,話筒放大,可以把聲音信號轉(zhuǎn)換為電信號并放大,然后,經(jīng)過音頻放大器使信號達(dá)到足夠大;檢波音頻信號的正半周,即把音頻信號轉(zhuǎn)換為直流信號。經(jīng)過延時電路以 后送到控制電路,由控制電路去控制可控硅,若可控硅斷開,則整流電路負(fù)載斷開,若導(dǎo)通,則整流電路負(fù)載導(dǎo)通。光敏控制電路把光照變成電信號,從而去控制音頻信號往后邊輸送情況??梢姡罕倦娐窡襞菀芸煽毓璧目刂?,可控硅受話筒取得的音頻信號和光敏電阻的控制,從而可以實(shí)現(xiàn)聲控和光控;燈亮的時間由延時電路的時間長度決定。 (一) 、 可控硅是可控硅整流元件的簡稱 ,是一種具有三個 PN 結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件 ,一般由 當(dāng)夜晚.同時又有外界聲音信號時,控制門 ( 與非門 )D2 的 兩個 輸入端 均為高電平,輸出為低電平, VD1 導(dǎo)通, 在 VD1 導(dǎo)通的瞬間, C3 被迅速充電,在聲音信號過后, VD1 雖然恢復(fù)了截止,但由于 C3 儲存電荷需要通過高值電阻慢慢放電,從而使與非門 D3 的輸入端仍然保持低電平“ 0”,所以電燈 EL 不會馬上熄滅。隨后則 C3 的放電,與非門 D3 的輸入端得電平不斷升高,當(dāng)升至與非門閾值電壓時,與非門 D3 發(fā)生翻轉(zhuǎn),輸出端就變成低電平“ 0”,晶閘管 SCR 當(dāng)交流電過零時即關(guān)斷,電燈 EL 才熄滅。 電路的延遲時間主要有 R5,C3 等放電時間常數(shù)決定。 T=2πR 5C3, 增減 R5 或 C3 的數(shù)值可以調(diào)整電路的延遲時間。本設(shè)計的延時時間約為 5 分鐘,即燈亮 后若不再有聲音 5分鐘后燈自動熄滅。 二極管 VD2VD5 將交流 220V 進(jìn)行橋式整流.變成脈動直流電。又經(jīng) R6 降壓, C4 濾波后即為電路的直流電源,為 BM 、 IC 等供電。 控制部分電路就是通過控制可控硅的導(dǎo)通與截止進(jìn)而連接和切斷供電電路,而達(dá)到目的。 兩晶閘管反向連接而成 .它的功用不僅是整流,還可以用作無觸點(diǎn)開關(guān)以快速接通或切斷電 路,實(shí)現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變,將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等。可控硅和其它半導(dǎo)體器件一樣,其有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點(diǎn)。它的出現(xiàn),使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進(jìn)入了強(qiáng)電領(lǐng)域,成為工業(yè)、農(nóng)業(yè)、交通運(yùn)輸、 軍事科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭相采用的元件。(如 附 圖 一 所示)。 附圖一: 單向可控硅的外形 晶閘管 T在工作過程中,它的陽極 A 和陰極 K與電源和負(fù)載連接,組成晶閘管的主電路,晶閘管的門極 G 和陰極 K與控制晶閘管的裝置連接,組成晶閘管的控制電路。 (二)、 從晶閘管的內(nèi)部分析工作過 程: 晶閘管是四層三端器件,它有 J J J3 三個 PN 結(jié) 附錄 圖 四 ,可以把它中間的 NP 分成兩部分,構(gòu)成一個 PNP 型三極管和一個 NPN 型三極管的復(fù)合管 (附圖 二)。 當(dāng)晶閘管承受正向陽極電壓時,為使晶閘管導(dǎo)銅,必須使承受反向電壓的PN結(jié) J2 失去阻擋作用。圖 2中每個晶體管的集電極電流同時就是另一個晶體管的基極電流。因此,兩個互相復(fù)合的晶體管電路,當(dāng)有足夠的門極電流 Ig 流入時,就會形成強(qiáng)烈的正反饋,造成兩晶體管飽和導(dǎo)通,晶體管飽和導(dǎo)通。 設(shè) PNP 管和 NPN 管的集電極電流相應(yīng)為 Ic1 和 Ic2;發(fā)射極電流相應(yīng)為 Ia 和 Ik;電流放大系數(shù)相應(yīng)為 a1=Ic1/Ia 和 a2=Ic2/Ik,設(shè)流過 J2 結(jié)的反相漏電電流為Ic0, 晶閘管的陽極電流等于兩管的集電極電流和漏電流的總和: Ia=Ic1+Ic2+Ic0 或 Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0 若門極電流為 Ig,則晶閘管陰極電流為 Ik=Ia+Ig 從而可以得出晶閘管陽極電流為: I=(Ic0+Iga2)/( 1( a1+a2)) ( 1— 1) 硅 PNP管和硅 NPN管相應(yīng)的電流放大系數(shù) a1和 a2隨其發(fā)射極電流的改變而急劇變化。 當(dāng)晶閘管承受正向陽極電壓,而門極未受電壓的情況下,式( 1— 1)中,Ig=0,(a1+a2)很小,故晶
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