pwm控制的直流電動機調速系統(tǒng)設計說明(編輯修改稿)
2025-05-09 00:27 本頁面
【文章內容簡介】 (MOSFET)的輸入電容比雙極型的輸入電容小得多，所以它的交流輸入阻抗極高；噪聲也小，最合適制作HiFi音響； 5．功率場效應管(MOSFET)可以多個并聯(lián)使用，增加輸出電流而無需均流電阻。、 89S52單片機52單片機價格便宜，使用簡單、方便，功能較齊全，能夠達到控制本電路的要求。所本本課程設計采用89S52單片機。、 光耦隔離開關光耦隔離開關是一種把發(fā)光元件和光敏元件封裝在同一殼體內，中間通過電→光→電的轉換來傳輸電信號的半導體光電子器件。光耦以光信號為媒介來實現(xiàn)電信號的耦合與傳遞，輸入與輸出在電氣上完全隔離，具有抗干擾性能強的特點。采用光耦隔離可以很好地實現(xiàn)弱電和強電的隔離，達到抗干擾目的。、 7805穩(wěn)壓管7805能使輸入電壓（正常條件725伏）轉化為5伏左右輸出，供光耦隔離開關發(fā)光部分及單片機等供電。價格便宜，使用方便。 IRF740 MOSFET功率管1管腳（G）接輸入信號，2管腳（s）接地，3管腳（D）接電壓源。 圖4 IRF740示意圖 圖5 IRF740主要參數(shù)、 直流電機參數(shù)額定轉速1600r/min，額定電壓220V。系統(tǒng)電路總設計圖6 總體電路原理圖 本次課程設計采用定頻調寬法：T1+T2保持一定，使T1在0～T范圍內變化來改變a的值從而達到調壓的目的。以89S51單片機系統(tǒng)和7805穩(wěn)壓電源系統(tǒng)以及光電耦合MOSFET部分組成。由鍵盤K1和K2發(fā)出指令，單片機處理后經P26口發(fā)出矩形波，通過占空比的調節(jié)達到電機調速的目的。當按下key1按鍵時，IRF740MOSFET功率管1腳的高電平占空比增大，電樞電壓增大，電機轉速增大；當按下key2按鍵時，IRF740MOSFET功率管1腳的高電平占空比減小，電樞電壓減小，電機轉速減小。從而通過單片機達到簡單調速的目的。、單片機最小系統(tǒng)部分 圖7 最小單片機系統(tǒng)本次設計中主要應用了89S51單片機，由最小單片機系統(tǒng)組成，并將單片機的P26口作為輸出口，輸出占空比不同的矩形波，供給后續(xù)驅動電路部分，在單片機的外圍擴展了兩個按鍵，K1作為加速按鍵，K2作為減速按鍵，進行調速控制。、驅動電路部分圖8驅動電路驅動部分主要由用的光電耦合器和MOSFET組成，由單片機的P26口提供的信號，P26當為高電平時，發(fā)光管導通，光電耦合器輸出低電平，MOSFET關閉，回路關閉。當P26口為低電平時，發(fā)光管關閉，光電耦合器輸出為高電平，MOSFET打開，回路導通。、電源部分 圖9電源電路 電源部分采用的是三端穩(wěn)壓器7805，輸入由ACDC變壓器提供+9V直流電，經7805穩(wěn)壓，由電容濾波，輸出+5V電壓，為單片機提供工作電源。實驗數(shù)據(jù)記錄 答辯時得知數(shù)據(jù)有偏差，但確實為實驗實測數(shù)據(jù)。附錄有圖。轉速和電壓的關系序號1234轉速（VPM）11931073906717電壓（V）169 硬件調試過程 由于我在實習的緣故，調試過程主要由葉秋平完成，調試的過程中得到了楊成安同學的大力幫助，調試工程中出現(xiàn)了一個問題：電機轉速快，不能調速。經過大家商量，大致的調試步驟如下：用示波器檢測檢查電路，示波器檢測MOSFET功率管1腳，發(fā)現(xiàn)其占空比能改變。，光耦隔離開關發(fā)射端A腳，接受端C腳，波形正常。然后檢測MOSFET功率管1腳的波形，發(fā)現(xiàn)其低電平為1v左右,高電平為13v左右。，于是減小MOSFET功率管3腳的電壓，把其改為5V。用示波器測量1腳電壓，,高電平5v左右。最后按下按鍵能控制電機轉速。原因分析：MOSFET功率管3腳的輸入電壓過高時,在前面電路的影響下其低電平電壓會偏高，
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