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正文內(nèi)容

電路原理圖設計規(guī)范(編輯修改稿)

2025-05-04 21:56 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡介】 0nF;,,。注意:在同一個電路圖中必須使用一種標識規(guī)范。 ≥1uF 整數(shù)表示為 XXu,例如100u,470u,1000u;,.,以與容值隔開。如“100uF25V” 貼片電容(鉭電容除外),容值后耐壓值為可選項,. 集成電路類 集成電路可摘取廠家型號的部分或全部,但標注內(nèi)容必須是能保證電路功能的充分條件。 對于同一型號存在多種封裝形式的IC,需要標注使用封裝類型。 電感類 電感以毫亨、微亨、納亨為單位標注,亨利的符號H不可省略,毫亨用mH表示,微亨uH表示、納亨用nH表示,如10mH、標注單位的使用原則是使標注數(shù)字的位數(shù)不多于三個; 磁珠標注磁珠型號,特征電阻,以及額定電流,如“2012B601600Ohm@100Mhz1A” 晶振類晶體、晶振以kHz或MHz標注,穩(wěn)定度有特殊要求的需表明,標注示例如12MHz25ppm。注意:Hz不能省略。 保險絲類必須標注額定工作電流,統(tǒng)一以A為單位標注。規(guī)范中不可能羅列出所有元器件的圖形符號,僅列出一般性、通用的的符號,供實際工作參考。 電阻類圖形符號說明電阻,一般符號可調(diào)變阻器帶滑動觸點的電阻器 電阻排 電容類圖形符號說明電容器,一般符號極性電容器 電感、磁珠類圖形符號說明 一般電感器帶磁芯的電感器、磁珠 二極管類半導體二極管一般符號發(fā)光二極管穩(wěn)壓二極管肖特基二極管 三極管、MOS類PNP型半導體管NPN型半導體管MOSFETPMOSFETN 晶振類圖形符號說明一般晶振 開關(guān)控制類圖形符號說明開關(guān)一般符號復位開關(guān)撥碼開關(guān) 保險絲類圖形符號說明保險絲一般符號自恢復保險絲在原理圖的繪制過程中,為了圖紙的標準化和可視性、易讀性,在整個原理圖的布局上需遵循一定的規(guī)范,做到信號流向順暢,布局勻稱,功能單元電路布局清晰。 功能布局法在布局時,應優(yōu)先考慮功能布局法,功能相關(guān)聯(lián)的項目類,或功能單元電路應靠近繪制,以使電路關(guān)系表達的清晰明了。并且各個功能組之間應保留有一定的分隔區(qū)間,以
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