【文章內(nèi)容簡介】 點斷開，電動機(jī)斷電停車。當(dāng)電源電壓自動恢復(fù)時，若不操作起動按鈕，電動機(jī)將不會自行起動，以免造成事故。用閘刀開關(guān)控制電動機(jī)起、停時，電源失電，電動機(jī)停車；電源電壓自動恢復(fù)，電動機(jī)自動起動，可以造成事故，不能起失壓保護(hù)作用。7．3解：即使兩個繼電器型號相同，每一線圈的電壓均為電源電壓的一半，也不準(zhǔn)將兩個線圈串聯(lián)使用，因為兩個繼電器線圈鐵芯氣隙總會略有差異，兩個電器通電后就不會同時動作。先吸合的繼電器，因為磁路閉合，阻抗增加，該線圈兩端電壓增加，使另一線圈電壓達(dá)不到電器動作胡電壓值。故兩個交流電器需要同時動作時，兩個電器的線圈必須用并聯(lián)接法。7．4解：熔斷器是電路中最常用的一種簡便而有效的短路保護(hù)電器。欲使熔斷器在電路中真正起到短路保護(hù)作用，必須合理選擇熔體額定電流。其具體方法如下：1. 照明線路中，電燈支線上的熔絲額定電流≥支線上所有電燈的工作電流≥當(dāng)電動機(jī)起動頻繁時，～2，當(dāng)電動機(jī)起動不太頻繁時，K≈?！郑ā┤萘孔畲箅妱訖C(jī)的額定電流+其余電動機(jī)額定電流之和。7．5解：（1）復(fù)合按鈕 （2）刀開關(guān) 符號：SB 符號：S(3) 組合開關(guān) (4) 熔斷器 符號：SCB 符號：FU(5) 中間繼電器 （6）熱繼電器 符號：KA 符號：FR7．6解：行程開關(guān)主要用于將機(jī)械位移轉(zhuǎn)變?yōu)殡娦盘枺愿淖冸妱訖C(jī)的運行狀態(tài)，實現(xiàn)自動控制和限制機(jī)械的運動（應(yīng)用于改變運動方向、順序控制等自動控制系統(tǒng)中）。7．7解：如圖所示 題7．7圖注：SB1，SB2 作用相同，SB3 ，SB4 作用相同，于是可以實現(xiàn)二地控制。7．8解：控制線路圖所示，其中自保觸點KM可以放在甲、乙兩地之中的任一地或兩地各用一個。 題7．8圖7．9 控制線路如題7．9圖所示，圖中FU實現(xiàn)短路保護(hù)，F(xiàn)R實現(xiàn)過載保護(hù)。因接觸器的線圈和指示燈的額定電壓均為220V，故引入中線圈取得相電壓。 題7．9圖 習(xí)題八8．1 解釋名詞：空穴，本征半導(dǎo)體，P型半導(dǎo)體，N型半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體：純凈的、不含任何雜質(zhì)、沒有缺陷的半導(dǎo)體。因而也成稱為純凈半導(dǎo)體。空穴：空穴又稱電洞（Electron hole），在固體物理學(xué)中指共價鍵上流失一個電子，最后在共價鍵上留下空位的現(xiàn)像。P型半導(dǎo)體：在硅單晶體中摻入少量三價硼元素（或銦等），使三價元素與硅原子形成共價鍵時，缺少一個電子，形成不穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)，空穴是多數(shù)載流子，自由電子是少數(shù)載流子。這種半導(dǎo)體稱為空穴型半導(dǎo)體或P型半導(dǎo)體。N型半導(dǎo)體：在硅單晶中摻入少量五價元素如磷（或砷、銻等）。使五價元素與硅原子構(gòu)成共價鍵，還有一個電子多余，半導(dǎo)體中的電子的數(shù)量遠(yuǎn)遠(yuǎn)多于空穴的數(shù)量，這種半導(dǎo)體稱為電子型半導(dǎo)體或N型半導(dǎo)體。8．2 簡述結(jié)的形成過程及單向?qū)щ娫碓谝粔K本征半導(dǎo)體的兩邊摻入不同的雜質(zhì)形成不同類型的雜質(zhì)半導(dǎo)體，在P型半導(dǎo)體中有大量的空穴和很少的電子，而N型半導(dǎo)體中有大量的自由電子和少數(shù)的空穴。由于電子和空穴的密度差的存在，在它們的交界的地方，便發(fā)生電子和空穴的擴(kuò)散運動。其結(jié)果是在PN結(jié)邊界附近形成一個空間電荷區(qū)，在PN結(jié)中產(chǎn)生一個內(nèi)電場，內(nèi)電場的方向由N區(qū)指向P區(qū)，內(nèi)電場的存在對空穴和電子的擴(kuò)散運動起到了阻礙作用，所以有時把空間電荷區(qū)稱為阻擋層。載流子在電場力的作用下的運動形成漂移運動。漂移運動與擴(kuò)散運動達(dá)到平衡時PN結(jié)就形成了。PN結(jié)外加反向電壓時，外電場EF與內(nèi)電場Ei的方向一致，加強了空間電荷區(qū)的電場強度。耗盡層的厚度比平衡時加寬，使多數(shù)載流子的擴(kuò)散運動更難進(jìn)行。PN結(jié)外加正向電壓時，在PN結(jié)的耗盡層中建立了外電場E F與耗盡層中的內(nèi)電場E i方向相反。從而削弱了空間電荷所產(chǎn)生的內(nèi)電場，使空間電荷區(qū)變窄，有利于多數(shù)載流子的擴(kuò)散運動，于是P區(qū)的多數(shù)載流子—空穴能順利通過PN結(jié)耗盡層擴(kuò)散到N區(qū)，N區(qū)的多數(shù)載流子—電子能順利通過PN結(jié)耗盡層擴(kuò)散到P區(qū)。P區(qū)和N區(qū)中因復(fù)合而損失的多數(shù)載流子必須由電源來補充，這就是在外加正向電壓作用下，空穴擴(kuò)散電流和電子擴(kuò)散電流流通的過程。8．3在測量二極管的正向電阻時，常發(fā)現(xiàn)不同歐姆檔測出的阻值并不相同。用檔測出的阻值小，用檔測得的阻值大，這是為什么？因為對于萬用表不同的歐姆檔，提供給被測二極管的電流不同，而二極管的非線特性，電流不同測出的阻值也就不一樣。8．4 晶體管有哪兩種類型？分別畫出它們的器件符號有NPN型和PNP型兩種類型。晶體管具有電流放大作用的外部條件：發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。8．5 二極管的伏安特性如圖所示：（1），問會出現(xiàn)什么問題？(2)若把一個電壓為300V的電池以反向接法接至它兩端，問會出現(xiàn)什么問題？圖8．23 題8．6圖 (1):，通過它的電流從伏安特性曲線看出，通過它的電流將很大，超過二極管的最大整流電流IOM，二極管將發(fā)熱甚至燒壞。（2）若把一個電壓為300V的電池以反向接法接至它兩端，從伏安特性曲線看出，加在它兩端的反向電壓將超過擊穿電壓（250V），反向電流突然劇增，二極管將迅速擊穿、發(fā)熱而燒壞。8．6 二極管電路如圖圖8．24 所示，判斷圖中二極管是導(dǎo)通還是截止，并求出AO兩端的電壓。圖8．24 題8．7圖（a） 導(dǎo)通 UAO=6+=（b）截止 UAO=12V（c）D1導(dǎo)通D2截止 UAO= V （d）D1 導(dǎo)通 D2 導(dǎo)通 UAO= V8．7電路中接有一晶體管，不知其型號，測得它的三個管腳的電位分別為15．5V、6V、6．7V，試判別管子的三個電極，并說明這個晶體管是哪種類型？是硅管還是鍺管？ NPN型，硅管。8．8題8圖中所示是兩個晶體管的輸出特性曲線？試判斷哪個管子的放大能力強？說明理由。 （a） （b） 圖8．25 題8．8圖 （a）圖放大能力強，從輸出特性曲線看出，（a）的電流放大倍數(shù)比（b）的大。 8．9 晶體管是由兩個PN結(jié)組成的，是否可以用兩個二極管連接組成一個晶體管使用？為什么？ 根據(jù)晶體管的結(jié)構(gòu)特點：（1）E區(qū)的摻雜濃度高，（2）（B）區(qū)很薄，（3）C區(qū)面積大，E極和C極不能對調(diào)。所以，不可以用兩個二極管連接組成一個晶體管使用。8．10場效應(yīng)管和晶體管在結(jié)構(gòu)與特性有哪些異同點？ 結(jié)構(gòu)上都由兩個反向的PN結(jié)組成，有三個電極，都具有放大作用。場效應(yīng)管是電壓控制作用，晶體管是電流控制作用。場效應(yīng)管的直流輸入電阻RGS遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于三極管的基極與發(fā)射極之間的等效輸入電阻rbe。習(xí)題九9．1 如圖9．21所示的電路中，哪些可以實現(xiàn)正常的交流放大？哪些不能？如何改正？ 圖9．21 題9．1圖 9．2用示波器觀察如圖9．22所示放大電路的輸出波形時，波形出現(xiàn)了平頂現(xiàn)象，問(1)這是什么失真?（2）如何調(diào)整RB的大小才能消除失真?為什么? （，飽和失真，增大RB，IB==UCC/RB，UCC一定，增大RB，IB減小，IC減小。(a) 電路圖 (b)波形圖圖9．22 題9．2圖9．3 分壓偏置式放大電路為什么能夠穩(wěn)定靜態(tài)工作點?9．4 射極輸出器的特點是什么?有哪些應(yīng)用?9．5 多級放大電路的耦合方式有哪些?各有什么特點?9．6 功率放大電路的作用是是什么？對功率放大電路通常有哪些要求？9．7解：（1）計算靜態(tài)工作點IB = = ≈0．04（mA ）=40（μA）IC =βIB=50х0．04 = 2（mA ） UCE= UCC—ICRC =12—2х4 = 4（V） （2）UCE= UCC—ICRC，UCE=3V IC ===2．25（mA ） IB ===0．045（mA ）=45（μA） IB≈ ，RB≈=≈267（ kΩ） 若IC =1．5（mA ），IB ===0．03（mA ）=30（μA） RB≈=≈400（ kΩ）9．8 解：（1）IC=6mA，繼電器動作，IB===0．12（mA） （2）此電路正常工作，集電極反偏，UCE≥0 UCE=UCCICRC≥0，UCCC≥ICRC=6х3=18（V） 9．9解：（1）計算 RCUCE= UCC—ICRC，UCE=6V RC ===3（kΩ）（2）計算 RBIB ===0．04（mA ）=40（μA） IB≈ ，RB≈=≈300（ kΩ）9．10圖9．24所示為共射放大電路，試：（1）畫出它的直流通路，（2）求靜態(tài)工作點，（3）畫出它的微變等效電路，（4）計算其電壓放大倍數(shù)、輸入、輸出電阻。 圖 9．24 題9．9圖解：(1)放大電路的直流通路如圖9．24圖(a)所示，（2）靜態(tài)工作點IB = = ≈0．04（mA ）=40（μA）IC =βIB=38х0．04 ≈1．5（mA ） UCE= UCC—ICRC =12—1．5х4 = 6（V） （3）放大電路的微變等效電路如圖9．9（b）所示。 （4）動態(tài)指標(biāo)晶體管的輸入電阻為 rbe=300+39=976(Ω) =0．976(kΩ) ri=rbe=976Ω)=0．976kΩ R= RC‖RL= 4kΩ‖4kΩ=4=2kΩAU==β=38≈78 輸入電阻 ri= RB‖rbe=300 kΩ‖ kΩ=0．96kΩ輸出電阻 R0=RC=4kΩ9．11圖9．25所示放大電路中，已知晶體管(硅管)的電流放大系數(shù)β=50,RB=200kΩ，RC=2kΩ，RL=6kΩ，UCC=12V。(1)試計算放大電路的輸入電阻rbe，輸出電阻r0。(2)試計算接入或斷開RL時放大電路的電壓放大倍數(shù)AU。(3)如果信號源內(nèi)阻RS=200Ω，試計算接入或斷開RL時放大電路對信號源電壓US的電壓放大倍數(shù)AUS。圖 9．25 題9．10圖解；放大電路的靜態(tài)工作點為：UBEQ=0．7VIBQ==IEQ=(1+β)IB=51=ICQ≈IEQ=UCEQ=122x2．88=6．2V晶體管的輸入電阻為 rbe=300+51≈760Ω放大電路的微變等效電路如圖323（b）所示。 (1) ri= RB‖rbe=200‖=0．757kΩ, r0=RC=2kΩ(2) RL斷開時(放大電路空載) AU==β=50=131RL接入時 AU==β=50=88 負(fù)載后，電路的放大倍數(shù)下降。(3)輸入信號Ui與信號源電壓Us的關(guān)系為Ui=US考慮信號源內(nèi)阻時，放大電路的放大倍數(shù)為AUS===AU空載時 AUS=β=50=104 RL接入時 AUS=β=5=689．12 在圖9．26所示的分壓式射極偏置電路中，已知UCC=15V，RC=3kΩ，RE=2 kΩ，IE=1．55mA，β=50，試估算RB1和RB2的阻值。 圖 9．26 題9．11圖9．12解：UB=UBE+IERE=0。7+=1．55х2=3。8（V） IB=0．031（mA） 取I1=10IB，I1=10IB=10х0．031=0．31（mA）I1≈I2=，RB1==36．1（kΩ）RB2==12．3（kΩ）9．13在圖9．26所示的分壓式射極偏置電路中，已知UCC=16V，β=50，RB1=60 kΩ，RB2=20kΩ，Rc=3kΩ，RE=2 kΩ，RL=6kΩ。(1)試求電路的靜態(tài)工作點；(2)試畫出該電路的微變等效電路；（3）求其和電壓放大倍數(shù)AU\輸入電阻rI和輸出電