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正文內(nèi)容

電工電子習題解答【整理版】(編輯修改稿)

2025-04-21 06:17 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡介】 點斷開,電動機斷電停車。當電源電壓自動恢復時,若不操作起動按鈕,電動機將不會自行起動,以免造成事故。用閘刀開關控制電動機起、停時,電源失電,電動機停車;電源電壓自動恢復,電動機自動起動,可以造成事故,不能起失壓保護作用。7.3解:即使兩個繼電器型號相同,每一線圈的電壓均為電源電壓的一半,也不準將兩個線圈串聯(lián)使用,因為兩個繼電器線圈鐵芯氣隙總會略有差異,兩個電器通電后就不會同時動作。先吸合的繼電器,因為磁路閉合,阻抗增加,該線圈兩端電壓增加,使另一線圈電壓達不到電器動作胡電壓值。故兩個交流電器需要同時動作時,兩個電器的線圈必須用并聯(lián)接法。7.4解:熔斷器是電路中最常用的一種簡便而有效的短路保護電器。欲使熔斷器在電路中真正起到短路保護作用,必須合理選擇熔體額定電流。其具體方法如下:1. 照明線路中,電燈支線上的熔絲額定電流≥支線上所有電燈的工作電流≥當電動機起動頻繁時,~2,當電動機起動不太頻繁時,K≈?!郑ā┤萘孔畲箅妱訖C的額定電流+其余電動機額定電流之和。7.5解:(1)復合按鈕 (2)刀開關 符號:SB 符號:S(3) 組合開關 (4) 熔斷器 符號:SCB 符號:FU(5) 中間繼電器 (6)熱繼電器 符號:KA 符號:FR7.6解:行程開關主要用于將機械位移轉(zhuǎn)變?yōu)殡娦盘枺愿淖冸妱訖C的運行狀態(tài),實現(xiàn)自動控制和限制機械的運動(應用于改變運動方向、順序控制等自動控制系統(tǒng)中)。7.7解:如圖所示 題7.7圖注:SB1,SB2 作用相同,SB3 ,SB4 作用相同,于是可以實現(xiàn)二地控制。7.8解:控制線路圖所示,其中自保觸點KM可以放在甲、乙兩地之中的任一地或兩地各用一個。 題7.8圖7.9 控制線路如題7.9圖所示,圖中FU實現(xiàn)短路保護,F(xiàn)R實現(xiàn)過載保護。因接觸器的線圈和指示燈的額定電壓均為220V,故引入中線圈取得相電壓。 題7.9圖 習題八8.1 解釋名詞:空穴,本征半導體,P型半導體,N型半導體本征半導體:純凈的、不含任何雜質(zhì)、沒有缺陷的半導體。因而也成稱為純凈半導體??昭ǎ嚎昭ㄓ址Q電洞(Electron hole),在固體物理學中指共價鍵上流失一個電子,最后在共價鍵上留下空位的現(xiàn)像。P型半導體:在硅單晶體中摻入少量三價硼元素(或銦等),使三價元素與硅原子形成共價鍵時,缺少一個電子,形成不穩(wěn)定的結(jié)構(gòu),空穴是多數(shù)載流子,自由電子是少數(shù)載流子。這種半導體稱為空穴型半導體或P型半導體。N型半導體:在硅單晶中摻入少量五價元素如磷(或砷、銻等)。使五價元素與硅原子構(gòu)成共價鍵,還有一個電子多余,半導體中的電子的數(shù)量遠遠多于空穴的數(shù)量,這種半導體稱為電子型半導體或N型半導體。8.2 簡述結(jié)的形成過程及單向?qū)щ娫碓谝粔K本征半導體的兩邊摻入不同的雜質(zhì)形成不同類型的雜質(zhì)半導體,在P型半導體中有大量的空穴和很少的電子,而N型半導體中有大量的自由電子和少數(shù)的空穴。由于電子和空穴的密度差的存在,在它們的交界的地方,便發(fā)生電子和空穴的擴散運動。其結(jié)果是在PN結(jié)邊界附近形成一個空間電荷區(qū),在PN結(jié)中產(chǎn)生一個內(nèi)電場,內(nèi)電場的方向由N區(qū)指向P區(qū),內(nèi)電場的存在對空穴和電子的擴散運動起到了阻礙作用,所以有時把空間電荷區(qū)稱為阻擋層。載流子在電場力的作用下的運動形成漂移運動。漂移運動與擴散運動達到平衡時PN結(jié)就形成了。PN結(jié)外加反向電壓時,外電場EF與內(nèi)電場Ei的方向一致,加強了空間電荷區(qū)的電場強度。耗盡層的厚度比平衡時加寬,使多數(shù)載流子的擴散運動更難進行。PN結(jié)外加正向電壓時,在PN結(jié)的耗盡層中建立了外電場E F與耗盡層中的內(nèi)電場E i方向相反。從而削弱了空間電荷所產(chǎn)生的內(nèi)電場,使空間電荷區(qū)變窄,有利于多數(shù)載流子的擴散運動,于是P區(qū)的多數(shù)載流子—空穴能順利通過PN結(jié)耗盡層擴散到N區(qū),N區(qū)的多數(shù)載流子—電子能順利通過PN結(jié)耗盡層擴散到P區(qū)。P區(qū)和N區(qū)中因復合而損失的多數(shù)載流子必須由電源來補充,這就是在外加正向電壓作用下,空穴擴散電流和電子擴散電流流通的過程。8.3在測量二極管的正向電阻時,常發(fā)現(xiàn)不同歐姆檔測出的阻值并不相同。用檔測出的阻值小,用檔測得的阻值大,這是為什么?因為對于萬用表不同的歐姆檔,提供給被測二極管的電流不同,而二極管的非線特性,電流不同測出的阻值也就不一樣。8.4 晶體管有哪兩種類型?分別畫出它們的器件符號有NPN型和PNP型兩種類型。晶體管具有電流放大作用的外部條件:發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏。8.5 二極管的伏安特性如圖所示:(1),問會出現(xiàn)什么問題?(2)若把一個電壓為300V的電池以反向接法接至它兩端,問會出現(xiàn)什么問題?圖8.23 題8.6圖 (1):,通過它的電流從伏安特性曲線看出,通過它的電流將很大,超過二極管的最大整流電流IOM,二極管將發(fā)熱甚至燒壞。(2)若把一個電壓為300V的電池以反向接法接至它兩端,從伏安特性曲線看出,加在它兩端的反向電壓將超過擊穿電壓(250V),反向電流突然劇增,二極管將迅速擊穿、發(fā)熱而燒壞。8.6 二極管電路如圖圖8.24 所示,判斷圖中二極管是導通還是截止,并求出AO兩端的電壓。圖8.24 題8.7圖(a) 導通 UAO=6+=(b)截止 UAO=12V(c)D1導通D2截止 UAO= V (d)D1 導通 D2 導通 UAO= V8.7電路中接有一晶體管,不知其型號,測得它的三個管腳的電位分別為15.5V、6V、6.7V,試判別管子的三個電極,并說明這個晶體管是哪種類型?是硅管還是鍺管? NPN型,硅管。8.8題8圖中所示是兩個晶體管的輸出特性曲線?試判斷哪個管子的放大能力強?說明理由。 (a) (b) 圖8.25 題8.8圖 (a)圖放大能力強,從輸出特性曲線看出,(a)的電流放大倍數(shù)比(b)的大。 8.9 晶體管是由兩個PN結(jié)組成的,是否可以用兩個二極管連接組成一個晶體管使用?為什么? 根據(jù)晶體管的結(jié)構(gòu)特點:(1)E區(qū)的摻雜濃度高,(2)(B)區(qū)很薄,(3)C區(qū)面積大,E極和C極不能對調(diào)。所以,不可以用兩個二極管連接組成一個晶體管使用。8.10場效應管和晶體管在結(jié)構(gòu)與特性有哪些異同點? 結(jié)構(gòu)上都由兩個反向的PN結(jié)組成,有三個電極,都具有放大作用。場效應管是電壓控制作用,晶體管是電流控制作用。場效應管的直流輸入電阻RGS遠遠大于三極管的基極與發(fā)射極之間的等效輸入電阻rbe。習題九9.1 如圖9.21所示的電路中,哪些可以實現(xiàn)正常的交流放大?哪些不能?如何改正? 圖9.21 題9.1圖 9.2用示波器觀察如圖9.22所示放大電路的輸出波形時,波形出現(xiàn)了平頂現(xiàn)象,問(1)這是什么失真?(2)如何調(diào)整RB的大小才能消除失真?為什么? (,飽和失真,增大RB,IB==UCC/RB,UCC一定,增大RB,IB減小,IC減小。(a) 電路圖 (b)波形圖圖9.22 題9.2圖9.3 分壓偏置式放大電路為什么能夠穩(wěn)定靜態(tài)工作點?9.4 射極輸出器的特點是什么?有哪些應用?9.5 多級放大電路的耦合方式有哪些?各有什么特點?9.6 功率放大電路的作用是是什么?對功率放大電路通常有哪些要求?9.7解:(1)計算靜態(tài)工作點IB = = ≈0.04(mA )=40(μA)IC =βIB=50х0.04 = 2(mA ) UCE= UCC—ICRC =12—2х4 = 4(V) (2)UCE= UCC—ICRC,UCE=3V IC ===2.25(mA ) IB ===0.045(mA )=45(μA) IB≈ ,RB≈=≈267( kΩ) 若IC =1.5(mA ),IB ===0.03(mA )=30(μA) RB≈=≈400( kΩ)9.8 解:(1)IC=6mA,繼電器動作,IB===0.12(mA) (2)此電路正常工作,集電極反偏,UCE≥0 UCE=UCCICRC≥0,UCCC≥ICRC=6х3=18(V) 9.9解:(1)計算 RCUCE= UCC—ICRC,UCE=6V RC ===3(kΩ)(2)計算 RBIB ===0.04(mA )=40(μA) IB≈ ,RB≈=≈300( kΩ)9.10圖9.24所示為共射放大電路,試:(1)畫出它的直流通路,(2)求靜態(tài)工作點,(3)畫出它的微變等效電路,(4)計算其電壓放大倍數(shù)、輸入、輸出電阻。 圖 9.24 題9.9圖解:(1)放大電路的直流通路如圖9.24圖(a)所示,(2)靜態(tài)工作點IB = = ≈0.04(mA )=40(μA)IC =βIB=38х0.04 ≈1.5(mA ) UCE= UCC—ICRC =12—1.5х4 = 6(V) (3)放大電路的微變等效電路如圖9.9(b)所示。 (4)動態(tài)指標晶體管的輸入電阻為 rbe=300+39=976(Ω) =0.976(kΩ) ri=rbe=976Ω)=0.976kΩ R= RC‖RL= 4kΩ‖4kΩ=4=2kΩAU==β=38≈78 輸入電阻 ri= RB‖rbe=300 kΩ‖ kΩ=0.96kΩ輸出電阻 R0=RC=4kΩ9.11圖9.25所示放大電路中,已知晶體管(硅管)的電流放大系數(shù)β=50,RB=200kΩ,RC=2kΩ,RL=6kΩ,UCC=12V。(1)試計算放大電路的輸入電阻rbe,輸出電阻r0。(2)試計算接入或斷開RL時放大電路的電壓放大倍數(shù)AU。(3)如果信號源內(nèi)阻RS=200Ω,試計算接入或斷開RL時放大電路對信號源電壓US的電壓放大倍數(shù)AUS。圖 9.25 題9.10圖解;放大電路的靜態(tài)工作點為:UBEQ=0.7VIBQ==IEQ=(1+β)IB=51=ICQ≈IEQ=UCEQ=122x2.88=6.2V晶體管的輸入電阻為 rbe=300+51≈760Ω放大電路的微變等效電路如圖323(b)所示。 (1) ri= RB‖rbe=200‖=0.757kΩ, r0=RC=2kΩ(2) RL斷開時(放大電路空載) AU==β=50=131RL接入時 AU==β=50=88 負載后,電路的放大倍數(shù)下降。(3)輸入信號Ui與信號源電壓Us的關系為Ui=US考慮信號源內(nèi)阻時,放大電路的放大倍數(shù)為AUS===AU空載時 AUS=β=50=104 RL接入時 AUS=β=5=689.12 在圖9.26所示的分壓式射極偏置電路中,已知UCC=15V,RC=3kΩ,RE=2 kΩ,IE=1.55mA,β=50,試估算RB1和RB2的阻值。 圖 9.26 題9.11圖9.12解:UB=UBE+IERE=0。7+=1.55х2=3。8(V) IB=0.031(mA) 取I1=10IB,I1=10IB=10х0.031=0.31(mA)I1≈I2=,RB1==36.1(kΩ)RB2==12.3(kΩ)9.13在圖9.26所示的分壓式射極偏置電路中,已知UCC=16V,β=50,RB1=60 kΩ,RB2=20kΩ,Rc=3kΩ,RE=2 kΩ,RL=6kΩ。(1)試求電路的靜態(tài)工作點;(2)試畫出該電路的微變等效電路;(3)求其和電壓放大倍數(shù)AU\輸入電阻rI和輸出電
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