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正文內(nèi)容

[管理學]本科畢業(yè)論文模板之精美篇(編輯修改稿)

2025-03-18 13:37 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡介】 /mg/L 吸光度 /608nm 圖 5B標準曲線 y = R178。 = 1 010 20 40 60 80 100 120濃度/mg/L 吸光度 /651nm 圖 — OD標準曲線 菌體的干重濃度可用公式 1計算: Xi = (Mi mi)/Vi ( 1) 公式 1中 Mi—— 含有菌體的離心管的干重 (mg) mi—— 離心管的干重 (mg) Vi—— 菌體稀釋后的體積 (mL) Xi—— 菌體的干重濃度 (mg/mL) 圖 13. 菌體干重 — OD660nm標準曲線圖 三 基因工程菌的構建及篩選鑒定 ③ 大腸桿菌中穿梭質(zhì)粒PET3a的提取與酶切 ① ② ③ ④ ⑤ ② 限制酶截取 DNA片斷中的 BADH基因 ④ DNA重組 ⑤ 用重組質(zhì)粒轉(zhuǎn)化大腸細菌 ⑥ 基因的表達 ⑥ 圖 ① 從耐鹽菌分離出含 BADH基因的DNA 圖 LB培養(yǎng)基內(nèi) BL21的生長情況 圖 17. 加入卡那霉素的 LB培養(yǎng)基內(nèi) BL21的生長情況 圖 18. 無卡那霉素的 LB培養(yǎng)基內(nèi)基因工程菌的生長情況 圖 19. 加入卡那霉素的 LB培養(yǎng)基內(nèi)基因工程菌的生長情況 經(jīng)過圖 16~19比較可以得知,卡那霉素可以抑制 BL21的生長;而加入 BADH段基因的基因工程菌可以在有卡那霉素存在的條件下生長。從而可以對所構建的耐鹽基因工程菌進行鑒定與篩選。 四 耐鹽基因工程菌的特性研究 不同鹽度下 BADH生長曲線 10%鹽度中不加誘導劑 馴化后工程菌的生長 不同鹽度 BL21生長曲線 10%鹽度中加誘導劑 馴化前工程菌的生長 V S 0120 20 40 60 80OD/660nm 時間 /h 10% 圖 20. BL21的生長曲線 0120 20 40 60 80OD/660nm 時間 /h 10% 圖 21. 含 BADH基因工程菌不同鹽度生長曲線的生長曲線 ( 1)兩菌株都是在低鹽濃度下生長較好,基因工程菌在鹽濃度為 1%時生長最好。在鹽濃度不超過 %時兩菌菌株都生長良好。 ( 2)在鹽濃度為 10%時 BL21菌株生長明顯受到抑制,而基因工程菌則能生長 . ( 3)在鹽濃度為 15%時兩菌菌株就不能生長。 %鹽度培養(yǎng)基中基因工程菌加誘導劑與不加誘導劑生長曲線 010 10 20 30 40OD/660nm 時間 /h 12加誘導劑 1 不加誘導劑; 2 加誘導劑 由圖 22可知,加入誘導劑后基因工程菌的生長速度比不加誘導劑明顯提高,說明誘導劑促進了基因工程菌的生長。 結論 圖 2
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