關(guān)于做好20xx年度省重點研發(fā)計劃重大研發(fā)需求及指南修改建議征集工作的通知(編輯修改稿)
2025-02-26 15:23 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 1011高質(zhì)量大尺寸（6英寸及以上）第三代半導(dǎo)體材料制備技術(shù)研究內(nèi)容：開展硅基和碳化硅基的大尺寸（6英寸及以上）氮化鎵材料外延生長技術(shù)研究；開展大尺寸氮化鎵單晶材料的生長技術(shù)研究；實現(xiàn)氮化鎵材料的電學(xué)性能調(diào)控，針對光電子和微電子應(yīng)用，分別實現(xiàn)高電子遷移率、半絕緣和低電阻率的氮化鎵材料制備，并完成相關(guān)器件的性能驗證，支撐第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新發(fā)展。考核指標(biāo)：（1）實現(xiàn)6英寸、8英寸硅襯底上高質(zhì)量氮化鎵基外延材料生產(chǎn)，位錯密度達到107cm－2量級，翹曲度30 um，algan/gan異質(zhì)結(jié)二維電子氣濃度9e12cm2，遷移率2200cm2/vs。（2）實現(xiàn)6英寸氮化鎵單晶襯底制備，襯底ttv20 um，表面rms，厚度600 um，位錯密度達到105cm－2量級，～。1012 t1100及以上碳纖維材料制備技術(shù)研發(fā)研究內(nèi)容：開展t1100及以上級別的新一代碳纖維制備技術(shù)研究，突破t1100高品質(zhì)原絲紡制技術(shù)、均質(zhì)化預(yù)氧化碳化等關(guān)鍵技術(shù)，研發(fā)大通道外熱式預(yù)氧化爐、寬幅高溫碳化爐等關(guān)鍵生產(chǎn)裝備?？己酥笜?biāo)：拉伸強度≥7000mpa，拉伸模量≥324gpa，批次內(nèi)離散系數(shù)≤3%，批次間離散系數(shù)≤5%，斷裂伸長率≥%，含碳量≥95%，纖維直徑≥5um，纖維規(guī)格≥12k。2．高端芯片1021 基于riscv架構(gòu)cpu及第三方ip研發(fā)集成、微控制單元（mcu）、數(shù)字信號處理（dsp）、5g通信用射頻芯片等高端芯片的設(shè)計技術(shù)和電子設(shè)計自動化（eda）的平臺設(shè)計技術(shù)1022 高壓功率集成電路、新一代功率半導(dǎo)體器件及模塊等先進制備工藝及裝備制造技術(shù)1023 多芯片板級扇出（fanout）封裝、多芯片系統(tǒng)集成（sip）封裝、三維封裝等先進封裝測試技術(shù)1024 大尺寸低缺陷高純度單晶硅片、高功率密度封裝及散熱材料、高純度化學(xué)試劑、高端光刻膠等關(guān)鍵材料制備技術(shù)3．納米及先進碳材料1031 新型納米傳感器等微納器件和納米改性金屬、二維納米材料等新型納米結(jié)構(gòu)、功能材料制造與應(yīng)用技術(shù)1032 氮化鎵、碳化硅等第三代半導(dǎo)體器件制備與應(yīng)用關(guān)鍵技術(shù)1033 大絲束等碳纖維低成本制備及復(fù)合材料設(shè)計應(yīng)用技術(shù)1034 高品質(zhì)石墨烯宏量制備技術(shù)及改性、跨界應(yīng)用技術(shù)4．區(qū)塊鏈1041 共識算法、智能合約等區(qū)塊鏈核心算法、開源軟件及硬件1042 高性能分布式存儲、區(qū)塊數(shù)據(jù)、時間戳等區(qū)塊鏈存儲核心技術(shù)1043 非對稱加密、多方安全計算、可信數(shù)據(jù)網(wǎng)絡(luò)、隱私保護、輕量級密碼等區(qū)塊鏈加密核心技術(shù)1044 區(qū)塊鏈金融、區(qū)塊鏈溯源、區(qū)塊鏈物流、區(qū)塊鏈數(shù)據(jù)共享等區(qū)塊鏈應(yīng)用技術(shù)5．人工智能1051 無監(jiān)督學(xué)習(xí)、神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)、類腦計算、認(rèn)知計算等核心技術(shù)及軟件1052 ai
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