基于topswitchⅱ的開關(guān)電源設(shè)計(編輯修改稿)
2025-02-12 14:00 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 振蕩器 內(nèi)部振蕩器通過內(nèi)部電容線性地充電放電，產(chǎn)生脈寬調(diào)制器所需的的鋸齒波電壓。為了降低EMI并提高電源的效率，振蕩器額定頻率為100kHz。 脈寬調(diào)制器 流入控制極的電流在RE兩端產(chǎn)生的壓降，經(jīng)RC電路濾波后，加到PWM比較器的同相輸入端，與振蕩器輸出的鋸齒波電壓比較，產(chǎn)生脈寬調(diào)制信號，該信號驅(qū)動輸出MOSFET實現(xiàn)電壓型控制。正常工作時，內(nèi)部MOSFET輸出脈沖的占空比隨著控制極電流的增加而線性減少，如圖2所示[1]。 柵極驅(qū)動器 柵極驅(qū)動器以一定速率使輸出MOSFET導(dǎo)通。為了提高精確度，柵極驅(qū)動電流還可以進行微調(diào)逐周限流。逐周限流電路用輸出MOSFET的導(dǎo)通電阻作為取樣電阻，限流比較器將MOSFET導(dǎo)通時的漏源電壓與閾值電壓VILIMIT進行比較。漏極電流過大時，漏源電壓超過閾值電壓，輸出MOSFET關(guān)斷，直到下一個周期，輸出MOSFET才能導(dǎo)通。 誤差放大器 誤差放大器的電壓基準取自溫度補償帶隙基準電壓；誤差放大器的增益則由控制極的動態(tài)阻抗設(shè)定。 系統(tǒng)關(guān)閉/自動重動 為了減少功耗，當超過調(diào)整狀態(tài)時，該電路將以5％的占空比接通和關(guān)斷電源。 過熱保護 當結(jié)溫超過熱關(guān)斷溫度（135℃）時，模擬電路將關(guān)斷輸出MOSFET。 高壓偏流源 在啟動期間，該電流源從漏極偏置TOPSwitch Ⅱ，并對控制極外界電容CT充電。 在TOPSwitch Ⅱ系列中，TOP225－TOP227采用TO－220封裝形式，而TOP221－TOP
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