開關(guān)電源設(shè)計(jì)步驟(編輯修改稿)
2024-08-22 08:20 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 選較大的濾波電感或增大線徑。通常L= ③ 濾波電容C取120μF /35V，要求r0很小 步驟30 選擇反饋電路中的整流管 步驟31 選擇反饋濾波電容 /50V陶瓷電容器 步驟32 選擇控制端電容及串連電阻 控制端電容一般取47μF /10V，采用普通電解電容即可。、1/4W，在不連續(xù)模式下可省掉此電阻。 步驟33選定反饋電路 步驟34選擇輸入整流橋 ① 整流橋的反向擊穿電壓VBR≥√2umax ③ 設(shè)輸入有效值電流為IRMS，整流橋額定有效值電流為IBR,使IBR≥2IRMS。計(jì)算IRMS公式如下： cosθ為開關(guān)電源功率因數(shù)，～，可取cosθ＝ 步驟35 設(shè)計(jì)完畢 在所有的相關(guān)參數(shù)中，只有3個(gè)參數(shù)需要在設(shè)計(jì)過程中進(jìn)行檢查并核對是否在允許的范圍之內(nèi)。它們是最大磁通密度BM（要求BM=~）、磁芯的氣隙寬度δ（要求δ≥）、初級電流密度J（規(guī)定J=4～10A/mm2）。這3個(gè)參數(shù)在設(shè)計(jì)的每一步都要檢查，確保其在允許的范圍之內(nèi)。步驟1 確定開關(guān)電源的基本參數(shù) ① 交流輸入電壓最小值umin ② 交流輸入電壓最大值umax ③ 電網(wǎng)頻率Fl開關(guān)頻率f ④ 輸出電壓VO（V）：已知 ⑤ 輸出功率PO（W）：已知 ⑥ 電源效率η：一般取80％ ⑦ 損耗分配系數(shù)Z：Z表示次級損耗與總損耗的比值，Z=0表示全部損耗發(fā)生在初級，Z=1表示發(fā)生在次級。一般取Z= 步驟2 根據(jù)輸出要求，選擇反饋電路的類型以及反饋電壓VFB 步驟3 根據(jù)u，PO值確定輸入濾波電容CIN、直流輸入電壓最小值VImin ① 令整流橋的響應(yīng)時(shí)間tc=3ms ② 根據(jù)u，查處CIN值 ③ 得到Vimin 確定CIN,VImin值 u(V) PO(W) 比例系數(shù)(μF/W) CIN(μF) VImin(V) 固定輸入:100/115 已知 2~3 (2~3)PO ≥90 通用輸入:85~265 已知 2~3 (2~3)PO ≥90 固定輸入:230177。35 已知 1 PO ≥240 步驟4 根據(jù)u，確定VOR、VB ① 根據(jù)u由表查出VOR、VB值 ② 由VB值來選擇TVS u(V) 初級感應(yīng)電壓VOR(V) 鉗位二極管反向擊穿電壓VB(V) 固定輸入:100/115 60 90 通用輸入:85~265 135 200 固定輸入:230177。35 135 200 步驟5 根據(jù)Vimin和VOR來確定最大占空比Dmax ① 設(shè)定MOSFET的導(dǎo)通電壓VDS(ON) ② 應(yīng)在u=umin時(shí)確定Dmax值，Dma
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