裸板串口課程設(shè)計(編輯修改稿)
2025-02-09 17:55 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 than 50MHZ。so we set the MDIV to 68,set the PDIV to 1 and set the SDIV to 1 as well so that we can get a FCLK which is 304MHZ45(6)跳轉(zhuǎn)到M_INIT，進行內(nèi)存初始化工作45(7)跳轉(zhuǎn)到StacksInit，進行堆棧初始化45(8)跳轉(zhuǎn)到UART ，進行串口設(shè)置 代碼46M_INIT LDR r0, =0x48000000 LDR r1, =0x48000034 （1） ADR r2, memdata Initmemloop （2） LDR r3, [r2], 4 STR r3, [r0], 4 TEQ r0, r1 BNE initmemloop MOV pc,lr （7）memdata DCD 0x22000000 。BWSCON （8） DCD 0x00000700 。BANKCON0 (9) DCD 0x00000700 。BANKCON1 DCD 0x00000700 。BANKCON2 DCD 0x00000700 。BANKCON3 DCD 0x00000700 。BANKCON4 DCD 0x00000700 。BANKCON5 DCD 0x00018005 。BANKCON6 DCD 0x00018005 。BANKCON7 DCD 0x008e07a3 。REFRESH (10) DCD 0x000000b1 。BANKSIZE (11) DCD 0x00000030 。MRSRB6 (12) DCD 0x00000030 。MRSRB7 (13)總線寬度amp。等待狀態(tài)控制寄存器寄存器地址描述復(fù)位值BWSCON0x48000000總線寬度amp。等待狀態(tài)控制寄存器0X00000000Bank控制寄存器寄存器地址復(fù)位值寄存器地址復(fù)位值BANKCON00x480000040x0700BANKCON40x480000100x0700BANKCON10x480000080x0700BANKCON50x480000140x0700BANKCON20x4800000C0x0700BANKCON60x4800001C0x1800846(1)設(shè)置46(2)設(shè)置GPHCON的值為0x48000034，決定SRAM對bank6與bank7使用UB/LB，并且決定bank1的數(shù)據(jù)總線寬度為保留的，bank0的數(shù)據(jù)總線寬度為32bit 46(3)46(4)46(5)46(6)46(7)46(8)設(shè)置BWSCON的值為0x22000000，決定對bank6與bank7使用UB/LB46(9)將BANKCON0~7控制寄存器復(fù)位46(10) // 0x008e07a3=100011100000011110100011 //23位：1：刷新使能有效 //21:20位：00：SDRAM RAS預(yù)充電時間=2clock //19:18位：11：SDRAM半行周期時間Tsrc=7clock //10:0位：1110100011：SDRAM刷新計數(shù)值46(11)/0x000000b1=10110001 //7位：1：ARM內(nèi)核突發(fā)操作使能有效 //5位：1：SCKE使能SDRAM power down模式有效 //4位：1：SCLK僅當訪問周期才被激活 //2:0位：001：BANK6/7存儲
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