【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 （附：手動(dòng)預(yù)熔操作）。 在恒溫和設(shè)定真空度到達(dá)后，將旋轉(zhuǎn)架旋轉(zhuǎn)打到 20轉(zhuǎn) /分。 1打開(kāi)質(zhì)量流量計(jì)開(kāi)關(guān)，調(diào)節(jié)進(jìn)氣量，根據(jù)各膜料充氧不同，維持不同真空度。 1打開(kāi)電子槍掃描控制電源。 1按綠色“燈絲“按鈕，調(diào)節(jié)“預(yù)置”按鈕，使燈絲電流為 ，電壓應(yīng)在 4050V間（如 電壓低于 40V，考慮更換燈絲）。 1按手持遙控盒上“高壓”按鈕，打開(kāi)電子槍高壓。 1按 MDC360晶控儀面板上“ START‖按鈕，在程序單中選擇鍍制零件所需程序，再按“ START‖，開(kāi)始自動(dòng)鍍制。 1自動(dòng)鍍制開(kāi)始時(shí)，應(yīng)用手持遙控盒上 X、 Y位移、掃描幅度旋鈕調(diào)節(jié)光斑，使之處于膜料中心及相應(yīng)的掃描面積。 1鍍制過(guò)程中，應(yīng)監(jiān)視光斑變化，并注意電子槍燈絲電流、高壓、晶片值、充氧狀態(tài)等參數(shù)變化情況，如有異常，應(yīng)立即按MDC360晶控儀上“ ABORT‖按鈕，停止蒸鍍，根據(jù)情況做相應(yīng)處理。 1在鍍制 MGF2膜料時(shí)，應(yīng)關(guān)閉充氧。 19蒸鍍完畢，先按手持遙控盒上“高壓”按鈕，關(guān)閉電子槍高壓。 將 X、 Y掃描旋至 0，關(guān)閉電子槍掃描電源。 2將“燈絲預(yù)置”旋至 0，按“燈絲”按鈕，關(guān)閉電子槍燈絲電流。 2按 MDC360晶控儀上“ REST‖按鈕，使晶控儀復(fù)位。 2將旋轉(zhuǎn)參數(shù)調(diào)節(jié)為 7轉(zhuǎn) /分。 2按“鍍膜結(jié)束”按鈕，鍍后恒溫時(shí)間結(jié)束后，關(guān)閉烘烤，關(guān)烘烤后時(shí)間到達(dá)后，關(guān)機(jī)組高閥，進(jìn)入真空室冷卻階段。 2真空室內(nèi)溫度約為 220℃ 后，按“取件”按鈕，三聲警報(bào)后，對(duì)真空室進(jìn)行充氣，充氣完畢，真空室門開(kāi)（后繼作業(yè)開(kāi)始抽真空時(shí)，只需按“取件”按鈕即可），進(jìn)行取件作業(yè)。 ? 三、關(guān)機(jī) 關(guān)真空室門，按“取件“按鈕”對(duì)真空室開(kāi)始抽氣，底真空信號(hào)亮后，按“真空”按鈕，機(jī)組停止抽氣，再按“開(kāi)始”按鈕，機(jī)組進(jìn)入擴(kuò)散泵冷卻階段， 1小時(shí)后，維持泵、維持閥將自動(dòng)關(guān)閉。 關(guān)閉電控柜面板上各儀器電源。 關(guān)閉電控柜內(nèi)電源。 關(guān)冷水機(jī)壓縮機(jī)，再關(guān)冷水機(jī)水泵。 關(guān)電控柜上方進(jìn)氣閥，再關(guān)總進(jìn)氣閥。 關(guān)進(jìn)水閥。 關(guān)總電源。 ? 附：手動(dòng)預(yù)熔操作 ? 真空度為 *103PA時(shí)，可進(jìn)入手動(dòng)預(yù)熔操作。 ? 將電子槍控制旋鈕調(diào)節(jié)到“手動(dòng)”狀態(tài)。 ? 打開(kāi)電子槍掃描電源。 ? 按“燈絲”按鈕，調(diào)節(jié)“燈絲預(yù)置”為 。 ? 按手持遙控盒上“坩堝”按鈕，使坩堝轉(zhuǎn)到所要預(yù)熔膜料的位置。 ? 開(kāi)遙控盒上“高壓”按鈕。 ? 利用遙控盒上 X、 Y位移、掃描幅度調(diào)節(jié)旋鈕，控制光斑在膜料上做圓周運(yùn)動(dòng)，調(diào)節(jié)“束流”按鈕逐漸加大電子束流，對(duì)膜料進(jìn)行預(yù)熔。 ? 預(yù)熔完畢，依次關(guān)閉電子槍高壓、燈絲預(yù)置、燈絲電流，并將控制旋鈕調(diào)節(jié)到“自動(dòng)”狀態(tài)。 APS1104型鍍膜機(jī)（萊寶） 作業(yè)手順書(shū) ? 一、開(kāi)機(jī)： 將 4二個(gè)配電箱中的大空氣開(kāi)關(guān)分別合上； 將壓縮空氣閥門打開(kāi)； 將循環(huán)水出水閥打開(kāi)。 再開(kāi)循環(huán)水進(jìn)水閥。 打開(kāi)冷水機(jī)的電源開(kāi)關(guān)。 打開(kāi)制冷開(kāi)關(guān)。 打開(kāi)熱水機(jī)的電源開(kāi)關(guān)。 打開(kāi)熱水機(jī)加熱開(kāi)關(guān)； (應(yīng)注意冷水機(jī)水箱中的水位，不夠要及時(shí)補(bǔ)充 ) 將 A1104機(jī)自備的配電箱上的電源手柄合上（先將手柄順時(shí)針?lè)较驈摹?+‖位置旋至“○”，再逆時(shí)針?lè)较蛐痢?—‖）如下圖所示； 開(kāi)氧氣瓶和氮?dú)馄块y門（高壓表1MPa，低壓表 ~）。 1先開(kāi) POLYCOLD電源開(kāi)關(guān)。 1再開(kāi) POLYCOLD壓縮機(jī)開(kāi)關(guān)。 1再打開(kāi) +K1控制柜最下電源開(kāi)關(guān)； 1此時(shí) +K2控制柜上的 LEYCOM Ⅳ應(yīng)開(kāi)啟，待其啟動(dòng)完畢后會(huì)出現(xiàn)報(bào)警，此時(shí)按右邊參數(shù)鍵中左下角的“ ACKN‖鍵消除報(bào)警。 1再按一下其下部功能鍵盤中的“ MANUAL‖鍵，再按下用紅色標(biāo)示的表示熱水的按鈕，（注意：此步驟若稍遲進(jìn)行，則會(huì)出現(xiàn)報(bào)警，此時(shí)只要消除報(bào)警聲后再進(jìn)行此步驟即可）。 1再按一下“ RET‖鍵返回； 1按下“ VACUUM SELECT‖鍵，再按下“ HIGH‖鍵，再按“ RET‖返回； 1按“ ACT‖+―0‖，顯示當(dāng)前泵及閥狀態(tài)。此時(shí)機(jī)組進(jìn)入啟動(dòng)狀態(tài)，約40分鐘后啟動(dòng)完成，自動(dòng)進(jìn)入待命狀態(tài)。 ? 二、鍍膜： 開(kāi)門：在功能鍵盤中按下 “ VACUUM SELECT‖鍵，再按下“ VENT‖鍵，真空室開(kāi)始充氣，待充氣完畢后將真空室門鎖由垂直方向順時(shí)針轉(zhuǎn)動(dòng) 30176。 左右并拉動(dòng)真空室門手柄打開(kāi)真空室門。 處理真空室： FBM01控制盒的使用：開(kāi)門后可用 FBM01控制盒可控制：檔板的開(kāi)啟、坩堝、及工件架的旋轉(zhuǎn)。（對(duì)應(yīng)關(guān)系請(qǐng)參見(jiàn)附注） 清掃真空室：打開(kāi)擋板，用銅絲刷、吸塵器、三角刮刀清潔電子槍（主要是坩堝）、擋板。 ? 裝填膜料：按 FBM01控制盒上的“ ROTATION CRUCIBLE‖鍵轉(zhuǎn)動(dòng)坩堝，注意 LEYCOM Ⅳ上顯示的坩堝位置，參照下表在坩堝內(nèi)加入對(duì)應(yīng)的膜料， 確定執(zhí)行程序號(hào)：按參數(shù)鍵中“ SETP.‖+―8‖，顯示出“ PROCESS SELSECTION AUTOMATIC MODE‖頁(yè)，查看“ PROCESS No‖項(xiàng)執(zhí)行程序號(hào)，按“ ↓”鍵可將光標(biāo)移該欄，輸入程序編號(hào)，按“ ENTER‖確認(rèn)，再按“ HOME‖使光標(biāo)回到首行。 檢查晶控片壽命值：按參數(shù)鍵中“ ACT‖+―8‖，檢查第二通道的“ XTAL LIFETIME‖欄的值，若小于92%，則更換晶片，真空室中間位置的晶片夾，更換方法如同 HVC1050或HVC1200機(jī)。新晶片的壽命值應(yīng) ≥98%。 必要時(shí)應(yīng)檢查程序的工藝數(shù)據(jù)：按功能鍵“ SETP‖+―7‖，再按程序編號(hào)數(shù)，按“ ENTER‖可顯示要執(zhí)行程序的工藝數(shù)據(jù)，與工藝文件的數(shù)據(jù)對(duì)照，無(wú)誤，可往下執(zhí)行。否則，由主管工藝員檢查或修正。 關(guān)門執(zhí)行程序：在完成了 25項(xiàng)工作后，將真空室門關(guān)上，并將手把順時(shí)針?lè)较蜣D(zhuǎn)至缺口位置。將主屏下排圖標(biāo)左邊第一方格顯示“ AUTO‖或“ START‖并按其下方的按鍵，即可進(jìn)入自動(dòng)控制狀態(tài)。若主屏下排圖標(biāo)左邊第一方格未顯示“ AUTO‖或“ START‖，則按右邊第一個(gè)鍵“ RET‖或“ ABOUT‖換屏。 待加熱到達(dá)預(yù)設(shè)溫度進(jìn)入恒溫狀態(tài)時(shí)，打開(kāi)離子源進(jìn)氣開(kāi)關(guān)（開(kāi)關(guān)向右拔）；調(diào)節(jié)流量控制器使進(jìn)氣量控制在20sccm； 關(guān)門執(zhí)行程序：在完成了 25項(xiàng)工作后，將真空室門關(guān)上，并將手把順時(shí)針?lè)较蜣D(zhuǎn)至缺口位置。將主屏下排圖標(biāo)左邊第一方格顯示“ AUTO‖或“ START‖并按其下方的按鍵，即可進(jìn)入自動(dòng)控制狀態(tài)。若主屏下排圖標(biāo)左邊第一方格未顯示“ AUTO‖或“ START‖，則按右邊第一個(gè)鍵“ RET‖或“ ABOUT‖換屏。 待加熱到達(dá)預(yù)設(shè)溫度進(jìn)入恒溫狀態(tài)時(shí)，打開(kāi)離子源進(jìn)氣開(kāi)關(guān)（開(kāi)關(guān)向右拔）；調(diào)節(jié)流量控制器使進(jìn)氣量控制在 20sccm； ? 三、鍍膜過(guò)程監(jiān)視： 參數(shù)鍵區(qū)“ ACT‖+―0‖，顯示真空泵及各真空閥門的工作情況； 參數(shù)鍵區(qū)“ ACT‖+―1‖，綠線顯示真空室真空度，紅線顯示真空室溫度； 參數(shù)鍵區(qū)“ ACT‖+―3‖，綠線顯示蒸鍍速率，紅線顯示蒸鍍功率； ? 主顯示屏首行顯示內(nèi)容：（見(jiàn)附件中對(duì)照表） ? 開(kāi)機(jī)初始至高閥打開(kāi)，可顯示真空泵及各真空閥門的工作情況。 ? 高閥打開(kāi)至開(kāi)始蒸鍍，可顯示真空室真空度及顯示真空室溫度。 ? 開(kāi)始蒸鍍至蒸鍍完畢，可顯示蒸鍍速率及蒸鍍功率。 ? 蒸鍍完畢至開(kāi)門，可顯示真空泵及各真空閥門的工作情況。 ? 四、關(guān)機(jī)： 關(guān)門：將門關(guān)上，并將門鎖順時(shí)針?lè)较蛐D(zhuǎn)將門鎖上，若前次是自動(dòng)開(kāi)門則可跳過(guò) 2步； 在功能鍵盤中按下“ VACUUM SELECT‖鍵，再按下“ VENT‖鍵使之消去黃色； 真空室開(kāi)始抽氣，待高閥打開(kāi) 5分鐘后，功能鍵盤中按下“ VACUUM SELECT‖鍵，出現(xiàn)“ HIGH‖鍵按下此鍵使之消去黃色，此時(shí)高閥關(guān)閉隨后擴(kuò)散泵關(guān)閉，機(jī)械泵、羅茨泵繼續(xù)工作直至擴(kuò)散泵油溫降至100℃ 以下（擴(kuò)散泵中溫度計(jì)顯示油溫）自動(dòng)停止工作； 機(jī)械泵、羅茨泵停止后關(guān)冷凍機(jī)（ POLYCOLD），先關(guān)壓縮機(jī)開(kāi)關(guān)，再關(guān)電源開(kāi)關(guān)。 (參見(jiàn)附圖 ) 按下紅色制動(dòng)鈕，停機(jī)。再將此鈕拉出，再關(guān)閉 +K2控制柜最下的 UPS電源開(kāi)關(guān)（按住“○”鍵二秒鐘）。 關(guān)氧氣瓶閥門。 關(guān)電源箱總電源。 關(guān)冷水機(jī)外部循環(huán)水。 ? 關(guān)氣源。 HVC1050A鍍膜機(jī)操作手順書(shū) ? 一、開(kāi)機(jī) 打開(kāi)電源箱總電源； 打開(kāi)冷水機(jī)外部循環(huán)水閥門； (先開(kāi)出水，后開(kāi)進(jìn)水 ) 打開(kāi)氣動(dòng)氣源閥門（或氣泵電源）； 按紅色“ CONTROL POWER‖按鈕； 按“ IC/5‖晶控儀白色“ ON‖按鈕，打開(kāi)晶控儀； 待控制電腦自動(dòng)完成啟動(dòng)；復(fù)合真空計(jì)工作正常，啟動(dòng)黃色“ START‖按鈕，機(jī)組自動(dòng)開(kāi)啟機(jī)械泵 (RP)、羅茨泵 (MBP)、擴(kuò)散泵 (DP1/DP2)， DP1/DP2燈閃爍，表示擴(kuò)散泵處于加熱中，DP1/DP2燈穩(wěn)定時(shí)，表示擴(kuò)散泵油溫度到達(dá)，可以打開(kāi)高閥。(通常需 50分鐘 ) 打開(kāi)電子槍控制柜電源； 若有鍍需充氧的膜料，則打開(kāi)氧氣瓶閥門。 按黃色“ START‖按鈕，待“ RV‖預(yù)抽閥燈閃爍，再按黃色“ START‖按鈕“ RV‖關(guān)閉“ FV1/FV2‖前級(jí)閥打開(kāi)，過(guò)若干分鐘（根據(jù)設(shè)置）“ LV‖充氣閥打開(kāi)。充氣完畢，真空室門打開(kāi)。 ? 二、鍍膜 打掃真空室：用銅絲刷、吸塵器、刀片等工具，將電子槍外露部分、坩堝及四周、護(hù)板及觀察窗等打掃干凈，換上干凈擋板。 檢查晶片壽命及活性值，在“ IC/5‖晶控儀的主顯示屏狀態(tài)，按“ F2‖鍵，一般只檢查第一通道“ LIFE‖值＞ 3或 4，“ ACT‖值＜ 420，應(yīng)考慮換晶片，新晶片的“ LIFE‖值為 0，“ ACT‖值≥440，可認(rèn)為 OK。否則再次清潔晶片的座、架、片等，或換過(guò)晶片。 按膜系要求裝填膜料，對(duì)一般減反膜，主要膜料有： TIO2（ 5）、 ZRO2（ 1）、 MGF2（ 3）、 AL2O3（ 2）；（ A為坩堝號(hào)）。旋轉(zhuǎn)坩堝用遙控盒的“ POCKET CCW‖和“ POCKET 1STEP‖紅色按鈕。對(duì) IRCUT膜用 TIO2（ 6