版vlsi系統(tǒng)設計(1)(編輯修改稿)
2025-02-02 17:46 本頁面
【文章內容簡介】 東南大學電子科學與工程學院 （ 19） 模型參數(shù)的離散及仿真方法 .3 任何一個工藝線的工藝都存在一定的誤差，因此模型參數(shù)也會出現(xiàn)離散，公司給出的模型參數(shù)通常是典型值。 參數(shù)偏差的描述方法： TT（ typical model） 模型 SS（ Slow NMOS Slow PMOS model） 模型 FF（ Fast NMOS Fast PMOS model） 模型 SF（ Slow NMOS Fast PMOS model） 模型 FS（ Fast NMOS Slow PMOS model） 模型 VLSI系統(tǒng)設計 3 東南大學電子科學與工程學院 （ 20） .3 TT模型 SS模型 FF模型 .LIB TT .param toxp = +toxn = +dxl = 0 dxw = 0 +dvthn = 0 dvthp = 0 +cjn = +cjp = +cjswn = +cjswp = +cgon = +cgop = +cjgaten = +cjgatep = .lib 39。ModelFile39。 MOS .ENDL TT .LIB SS .param toxp = +toxn = +dxl = dxw = 3e8 +dvthn = dvthp = +cjn = +cjp = +cjswn = +cjswp = +cgon = +cgop = +cjgaten = +cjgatep = .lib 39。ModelFile39。 MOS .ENDL SS .LIB FF .param toxp = +toxn = +dxl = dxw = 3e8 +dvthn = dvthp = +cjn = +cjp = +cjswn = +cjswp = +cgon = +cgop = +cjgaten = +cjgatep = .lib 39。ModelFile39。 MOS .ENDL FF SF模型 FS模型 NMOS模型中描述例句 .LIB SF .param toxp = +toxn = +dxl = 0 dxw = 0 +dvthn = dvthp = +cjn = +cjp = +cjswn = +cjswp = +cgon = +cgop = +cjgaten = +cjgatep = .lib 39。ModelFile39。 MOS .ENDL SF .LIB FS .param toxp = +toxn = +dxl = 0 dxw = 0 +dvthn= dvthp = +cjn = +cjp = +cjswn = |cjswp = +cgon = +cgop = +cjgaten = +cjgatep = .lib 39。ModelFile39。 MOS .ENDL FS TOX = toxn XL = 39。3E8 + dxl39。 XW = 39。0 + dxw39。 VTH0 = 39。+dvthn39。 CJ = cjn CJSW = cjswn CGDO = 39。cgon39。 CGSO = 39。cgon39。 CJSWG = cjgaten 表 五種模型描述示例 VLSI系統(tǒng)設計 3 東南大學電子科學與工程學院 （ 21） 模型參數(shù)的離散及仿真方法 .3 設計時必須考慮工藝的離散對性能的影響 VLSI系統(tǒng)設計 3 東南大學電子科學與工程學院 （ 22） 幾何設計規(guī)則 .4 幾何設計規(guī)則給出的是一組版圖設計的最小允許尺寸，設計者不能突破這些最小尺寸的限制，也就是說，在設計版圖時對這些位置的版圖圖形尺寸，只能是大于或等于設計規(guī)則的描述，而不能小于這些尺寸。 VLSI系統(tǒng)設計 3 東南大學電子科學與工程學院 （ 23） 幾何設計規(guī)則描述 .4 描述方法：一是以最小單位 λ的倍數(shù)表示，幾何設計規(guī)則中的所有數(shù)據(jù)都以 λ的倍數(shù)表示，如 3λ、 5λ。 λ是最小溝道長度 L的一半，是具體的數(shù)值。這種描述方法稱為 λ設計規(guī)則。二是用具體的數(shù)值進行描述，數(shù)值單位是微米，被稱為微米設計規(guī)則。 VLSI系統(tǒng)設計 3 東南大學電子科學與工程學院 （ 24） 幾何設計規(guī)則描述 .4 表 掩膜板層描述 掩膜板層
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