硅酸鹽物理化學第四章材料的表面與界面(編輯修改稿)
2025-01-03 21:15 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 接近時，是可以滿足這一要求 的。 三種潤濕的共同點是：液體將氣體從固體表面排擠開，使原有的固－氣 (或液－氣 )界面消失。而取以代之的是固－液界面。鋪展是潤濕的最高標準，能鋪展則必能附著和浸漬。 改善潤濕性能主要取決于γ SV、γ SL 和γ LV的相對大小。改善潤濕的方法是：（ 1）降低γ SL，（ 2）去除固體表面的吸附膜，提高γ SV，（ 3）改變表面的粗糙度，當真實接觸角θ小于 90176。時，粗糙度愈大，表觀接觸角愈小，就容易潤濕。當θ大于 90176。時，則粗糙度愈大，愈不利于潤濕。 晶界結(jié)構(gòu)與分類： 凡結(jié)構(gòu)相同而取向不同的晶體相互接觸，其接觸界面稱為晶界。晶界 的結(jié)構(gòu)有二種不同的分類方法。一種簡單地按兩個晶粒之間夾角的大小來分類，分成小角度晶界和大角度晶界，小角度晶界是相鄰兩個晶粒的原子排列錯合的角度很小，約 2176?！?3176。；大角度晶界在多晶體中占多數(shù)，這時晶界上質(zhì)點的排列己接近無序狀態(tài)。另一種分類是根據(jù)晶界兩邊原子排列的連貫性來劃分的，當界面兩側(cè)的晶體具有非常相似的結(jié)構(gòu)和類似的取向，越過界面的原子排列是連續(xù)的。這樣的界面稱為共格晶界；另一種類型的晶界稱做半共格晶界；結(jié)構(gòu)上相差很大的固相之間的界面不可能是共格晶界，而與相鄰晶體間必有畸變的原子排列，這樣的晶界稱為非共格晶 界，通過燒結(jié)得到的多晶體絕大多數(shù)為這類晶界。 晶界上由于原子排列的不規(guī)則而造成結(jié)構(gòu)比較疏松，因而也使晶界具有一些不同于晶粒的特性。晶界上原子排列較晶粒內(nèi)疏松，因而晶界受腐蝕 (易受熱浸蝕、化學腐蝕 )后，很易顯露出來；由于晶界上結(jié)構(gòu)疏松，在多晶體中，晶界是原子 (或離子 )快速擴散的通道，并容易引起雜質(zhì)原子 (或離子 )的偏聚，同時也使晶界處熔點低于晶粒；晶界上原子排列混亂，存在著許多空位、位錯和鍵變形等缺陷，使之處于應力畸變狀態(tài)。故能階較高，使得晶界成為固態(tài)相變時優(yōu)先成核的區(qū)域。 在無機材料中，多晶體的組織變化發(fā)生在 晶粒接觸處即晶界上，晶界形狀是由表面張力的相互關(guān)系決定的，晶界在多晶體中的形狀、構(gòu)造和分布稱為晶界構(gòu)形。 晶界應力： 在多晶材料中，如果是有兩種不同熱膨脹系數(shù)的晶相組成，在高溫燒結(jié)時，這二個相之間完全密合接觸處于一種無應力狀態(tài)，但當它們冷卻至室溫時，就會產(chǎn)生晶界應力：
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