pecvd技術(shù)ppt課件(編輯修改稿)
2024-11-15 05:00 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 和分子，且為電中性。 ? 等離子體：氣體在一定條件下受到高能激發(fā)，發(fā)生電離，部分外層電子脫離原子核，形成電子、正離子和中性粒子混合組成的一種形態(tài)，這種形態(tài)就稱為等離子態(tài)，即第四態(tài)。 ? 等離子體從宏觀來說也是電中性，但是在局部可以為非電中性。 2021/11/11 14 3. PECVD ? PECVD技術(shù)原理是利用低溫等離子體作能量源，樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上，利用輝光放電（或另加發(fā)熱體）使樣品升溫到預(yù)定的溫度，然后通入適量的反應(yīng)氣體，氣體經(jīng)一系列化學(xué)反應(yīng)和等離子體反應(yīng)，在樣品表面形成固態(tài)薄膜。 PECVD方法區(qū)別于其它 CVD方法的特點在于等離子體中含有大量高能量的電子，它們可以提供化學(xué)氣相沉積過程所需的激活能。電子與氣相分子的碰撞可以促進(jìn)氣體分子的分解、化合、激發(fā)和電離過程，生成活性很高的各種化學(xué)基團(tuán)，因而顯著降低 CVD薄膜沉積的溫度范圍，使得原來需要在高溫下才能進(jìn)行的 CVD過程得以在低溫實現(xiàn)。 2021/11/11 15 3. PECVD ? 其它方法的沉積溫度： APCVD— 常壓 CVD， 7001000℃ LPCVD— 低壓 CVD, ~750℃ , ~ 對比 PECVD — 300450 ℃ ， ~ 2021/11/11 16 3. PECVD ? 特點： PECVD的一個基本特征是實現(xiàn)了薄膜沉積工藝的低溫化（ 450℃ ）。因此帶來的好處： ? 節(jié)省
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