模擬電子電路基礎1~7章思考題答案(編輯修改稿)
2024-11-12 12:18 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 和失真。 ? 如何畫晶體管 h參數(shù)等效模型？其使用條件是什么？ 答：晶體管 h參數(shù)等效模型包括兩部分： be間為 rbe， ce間為受控電流源 βib 。 h參數(shù)等效模型的使用條件是：輸入信號為中低頻交流微小信號。 ? rbe公式？ rbe的值受哪些因素影響？ 答： ，其值受 rbb’，靜態(tài)電流、溫度等的影響。 EQTb b 39。be )1( IUβrr ????如何快速判斷晶體管基本放大電路是哪種接法（共射、共集、共基）？ 答：先看輸入信號和輸出信號連接哪兩個端口，剩下哪個端口即為哪種接法。 ? 共射放大電路有何特點？ 答：既能放大電壓，又能放大電流； Uo與 Ui反相；電壓放大倍數(shù) |Au|大。 ? 要實現(xiàn)電壓放大，可選用什么單管放大電路？ 要實現(xiàn)電流放大，可選用什么單管放大電路？ 要實現(xiàn)電壓跟隨，應選用什么單管放大電路？ 要實現(xiàn)電流跟隨，應選用什么單管放大電路？ 若信號源為內(nèi)阻較小的電壓源，要求放大電路輸入電阻大，則應選用什么單管放大電路？ 若信號源為內(nèi)阻很大的電流源，要求放大電路輸入電阻小，則應選用什么單管放大電路？ 需要寬頻帶放大器，應選用什么單管放大電路？ 答：共射或共基；共射或共集；共集；共基； 共集；共基；共基。 ? 典型穩(wěn) Q電路中為使基極電壓基本恒定，要求Rb1//Rb2(1+β)Re。試問 Rb1//Rb2是否越小越好？ 答： Rb1//Rb2太小時，一方面會使穩(wěn) Q電路的輸入電阻太小，另一方面會使 Rb1和 Rb2上的電流增大，使靜態(tài)功耗增大。 分析放大電路時需要考慮管子是否處于放大狀態(tài)： ? N溝道 JFET工作在放大狀態(tài)的條件？ ? N溝道增強型 MOS管工作在放大狀態(tài)的條件？ 答： N溝道 JFET工作在放大狀態(tài)的條件：UGS(off)UGS≤0, UDS UGS UGS(off)。 N溝道增強型 MOS管工作在放大狀態(tài)的條件： UGSUGS(th) , UDS UGS UGS(th)。 設計放大電路時需要考慮在某種條件下管子能否工作在放大狀態(tài)： ? UGS0時能工作在恒流區(qū)的場效應管有哪些？ ? UGS0時能工作在恒流區(qū)的場效應管有哪些？ ? UGS=0時能工作在恒流區(qū)的場效應管有哪些？ 答： UGS0時有： P溝道 JFET、 N溝道增強型 MOS管、 N溝道耗盡型 MOS管、 P溝道耗盡型 MOS管； UG
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