【文章內(nèi)容簡介】 寫入或讀取時(shí)，光標(biāo)的移動(dòng)方向 send_i(0x0c)。 //開顯示，關(guān)光標(biāo)，不閃爍 } 顯示坐標(biāo)關(guān)系 、圖形顯示坐標(biāo) 水平方向 X—以字節(jié)單位 垂直方向 Y—以位為單位 /******************************************* 函數(shù)名稱 :Draw_PM 功 能 :在整個(gè)液晶 屏幕上畫圖 參 數(shù) :無 返回值 :無 ********************************************/ void Draw_PM(const uchar *ptr) { uchar i,j,k。 send_i(0x34)。 //打開擴(kuò)展指令集 i = 0x80。 for(j = 0。j 32。j++) { send_i(i++)。 send_i(0x80)。 for(k = 0。k 16。k++) { send_d(*ptr++)。 } } i = 0x80。 for(j = 0。j 32。j++) { send_i(i++)。 send_i(0x88)。 for(k = 0。k 16。k++) { send_d(*ptr++)。 } } send_i(0x36)。 //打開繪圖顯示 send_i(0x30)。 //回到基本指令集 } 漢字顯示坐標(biāo) X 坐標(biāo) Line1 80H 81H 82H 83H 84H 85H 86H 87H Line2 90H 91H 92H 93H 94H 95H 96H 97H Line3 88H 89H 8AH 8BH 8CH 8DH 8EH 8FH Line4 98H 99H 9AH 9BH 9CH 9DH 9EH 9FH /**************************************************************** * 名 稱： writelcd（） * 功 能： 在 LCD 上顯示字符串 * 入口參數(shù)： const unsigned char *pt 字符串的首地址 **************************************************************/ void writelcd(const unsigned char *pt) { while(*pt) //檢測是否達(dá)到了字符串最后 send_d(*pt++)。 //發(fā)送數(shù)據(jù)給 lcd } // 應(yīng)用如下 const uchar table1[ ]={ 基 PIC 單片機(jī) }。 const uchar table2[ ]={ 多路溫度 }。 const uchar table3[ ]={ 巡回檢測系統(tǒng) }。 const uchar table4[ ]={2021 年 12 月 01日 }。 send_i(0x80)。 // 定位在第一行 writelcd(table1)。 // 寫：基 PIC 單片機(jī) send_i(0x90)。 // 定位在第二行 writelcd(table2)。 // 寫：多路溫度 send_i(0x88)。 // 定位在第三行 writelcd(table3)。 // 寫：巡回檢測系統(tǒng) send_i(0x98)。 // 定位在第四行 writelcd(table4)。 // 寫： 2021 年 12月 01日 與單片機(jī)的接口實(shí)現(xiàn) 12864 液晶的電路連線圖如圖 1 所示，實(shí)物位置如圖 2 所示 圖 1 12864 液晶電路連接圖 圖 2 12864 液晶模塊實(shí)物圖 設(shè)計(jì)心得總結(jié) LCD12864 與 1602 相比需要較大的電流驅(qū)動(dòng)，如果出現(xiàn)圖片模糊不清晰或者灰暗，除了檢查背光燈外應(yīng)考慮電源問題。最好采用大于 5V的電源，經(jīng) 7805穩(wěn)壓管穩(wěn)壓驅(qū)動(dòng)，以保證電流?；掘?qū)動(dòng)跟 1602 相似難度不大。中文及圖像顯示是 12864 最大的 特點(diǎn)也是難點(diǎn)，主要是指令較多，還有就是圖像驅(qū)動(dòng)需要了解液晶內(nèi)部原理。整屏畫圖可以使用 PCtoLCD2021 把圖片轉(zhuǎn)換成 16 進(jìn)制數(shù)，局部畫曲線、直線、圓等需要一些算法，比較復(fù)雜 4 DS18B20 原理介紹及接口實(shí)現(xiàn) DS18B20 簡介 DS18B20 是 DALLAS 半導(dǎo)體 公司 推出 的 第一片支持“一線總線”接口的溫度傳感器，他它具有微型化、低功耗、高性能、抗干擾能力強(qiáng)、易配微處理器等優(yōu)點(diǎn)，可直接將溫度轉(zhuǎn)化成串行數(shù)字信號供處理器處理。 DS18B20 具有以下優(yōu)點(diǎn)： （ 1） 適應(yīng)電壓范圍寬，電壓范圍在 ~，在寄 生電源方式下可由數(shù)據(jù)線供電。 （ 2） 獨(dú)特的單線接口方式，與微處理器連接時(shí)只需要一條口線即可實(shí)現(xiàn)微處理器與 DS18B20 的雙向通信。 （ 3） 支持多點(diǎn)組網(wǎng)功能，多個(gè) DS18B20可以并聯(lián)在唯一的三線上，實(shí)現(xiàn)組網(wǎng)多點(diǎn)測溫。 （ 4） 在使用中不需要任何外圍元件，全部傳感元件以及轉(zhuǎn)換電路集成在形如一直三極管的集成電路內(nèi)。 （ 5） 測溫范圍 55℃ ~+125℃，在 10℃ ~+85℃時(shí)進(jìn)度為177。 ℃ （ 6） 可編程分辨率為 9~12 位，對應(yīng)的可分辨溫度分別為 ℃、℃、 ℃和 ℃，可實(shí)現(xiàn)高精度測溫。 （ 7） 負(fù)壓特性。電源極性接反時(shí)，芯 片不會(huì)因?yàn)檫^熱而燒毀，但不能正常工作。 DS18B20結(jié)構(gòu)及其工作原理 圖 DS18B20 的內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖如圖 所示。由此我們可以看出 DS18B20 主要由 4部分組成： 64位 ROM、溫度傳感器、非揮發(fā)的溫度報(bào)警觸發(fā)器 TH和 TL、配置寄存器。 DS18B20 的管腳排列如圖 所示， 其中 DQ 為數(shù) 字信號輸入／輸出端；GND 為電源地； VDD 為外接供電電源輸入端 ， 在寄生電源接線方式時(shí)接地 。 圖 DS18B20引腳和封裝 每顆 DS18B20在出廠前都有一個(gè) 64位光刻 ROM，它可以看作該 DS18B20的地址序列碼。其各位排列順序是：開始 8 位為產(chǎn)品類型標(biāo)號，接下來 48 位是該DS18B20 自身的序列號，最后 8 位是前 面 56 位的 CRC 循環(huán)冗余校驗(yàn)碼（ CRC=X8+X5+X4+1）。光刻 ROM 的作用是使每一個(gè) DS18B20 都各不相同，這樣就可以實(shí)現(xiàn)一條總線 掛接多個(gè) DS18B20 的目的。 由于 DS18B20是在一根 I/O線上讀寫數(shù)據(jù)，因此，對讀寫的數(shù)據(jù)位有著嚴(yán)格的時(shí)序要求。 DS18B20 有嚴(yán)格的通信協(xié)議來保證各位數(shù)據(jù)傳輸?shù)恼_性和完整性。該協(xié)議定義了幾種信號的時(shí)序：復(fù)位時(shí)序、讀時(shí)序、寫時(shí)序。所有時(shí)序都是將主機(jī)作為主設(shè)備，單總線器件作為從設(shè)備。而每一次命令和數(shù)據(jù)的傳輸都是從主機(jī)主動(dòng)啟動(dòng)寫時(shí)序開始，如果要求單總線器件回送數(shù)據(jù)， 在進(jìn)行寫命令后，主機(jī)需啟動(dòng)讀時(shí)序完成數(shù)據(jù)接收。數(shù)據(jù)和命令的傳輸都是低位在先。 （ 1） DS18B20 的復(fù)位時(shí)序： 圖 DS18B20復(fù)位時(shí)序圖 程序?qū)崿F(xiàn)如下： /******************************************************************** * 名 稱： reset() * 功 能： 18b20 復(fù)位 ********************************************************************/ define DQ RB7 define DQ_HIGH() TRISB7=1 define DQ_LOW() TRISB7=0。DQ=0 void reset() { uchar st=1。 DQ_HIGH()。 // 先拉至高電平 NOP()。NOP()。 while(st) { DQ_LOW()。 // 低電平 delayus(70,30)。 // 延時(shí) 503us DQ_HIGH()。 //釋放總線等電阻拉高總線 delayus(4,4)。 //延時(shí) 60us if(DQ==1) //沒有接收到應(yīng)答信號，繼續(xù)復(fù)位 st=1。 else //接收到應(yīng)答信號 st=0。 delayus(50,10)。 //延時(shí) 430us } } （ 2） DS18B20 的讀時(shí)序： 對于 DS18B20 的讀時(shí)序分為讀 0 時(shí)序和讀 1時(shí)序兩個(gè)過程。 對于 DS18B20 的讀時(shí)隙是從主機(jī)把單總線拉低之后，在 15uS 之內(nèi)釋放單總線，以讓 DS18B20把數(shù)據(jù)傳輸?shù)絾慰偩€上。 DS18B20在完成一個(gè)讀時(shí)序過程，至少需要 60us 才能完成。 圖 DS18B20讀時(shí)序圖 /******************************************************************** * 名 稱： read_byte() * 功 能： 18b20 讀字節(jié) * 出口參數(shù)：讀出 18B20 的內(nèi)容 ********************************************************************/ uch read_byte() { uch i。 uch value = 0。 //讀出溫度 static bit j。 for (i = 8。i 0。i) { value = 1。 DQ_LOW()。 NOP()。NOP()。NOP()。NOP()。NOP()。NOP()。 //6us DQ_HIGH()。 //拉至高電平 NOP()。NOP()。NOP()。NOP()。NOP()。 //4us j = DQ。 if (j) value |= 0x80。 delay(2, 7)。 //63us } return (value)。 } （ 3） DS18B20 的寫時(shí)序： 對于 DS18B20 的寫時(shí)序仍然分為寫 0 時(shí)序和寫 1時(shí)序兩個(gè)過程。 對于 DS18B20 寫 0 時(shí)序和寫 1時(shí)序的要求不同，當(dāng)要寫 0時(shí)序時(shí)，單總線要被拉低至少 60us，保證 DS18B20 能夠在 15us 到 45us 之間能夠正確地采樣 IO總線上的“ 0”電平 ，當(dāng)要寫 1時(shí)序時(shí)，單總線被拉低之后，在 15us之內(nèi)就得釋放單總線。 圖 DS18B20 寫時(shí)序圖 /******************************************************************** * 名 稱： write_byte() * 功 能：寫 18b20 寫字 節(jié) * 入口參數(shù)： uch val 待寫的數(shù)據(jù) *******************************************************************/ void write_byte(uch val) { uch i。 uch temp。 for (i = 8。i 0。i) { temp = val amp。 0x01。 //最低位移出 DQ_LOW()。 NOP()。NOP()。NOP()。NOP()。NOP()。 //從高拉 至低電平 ,產(chǎn)生寫時(shí)間隙 if (temp == 1) DQ_HIGH()。 //如果寫 1,拉高電平 delay(2, 7)。 //延時(shí) 63us DQ_HIGH()。 NOP()。NOP()。 val = val 1。 //右移一位 } } DS18B20 內(nèi)部帶有共 9個(gè)字節(jié)的高速暫存器 RAM 和電可擦除 EEPROM，起結(jié)構(gòu)如表 2所示。 表 2 DS18B20高速暫存器結(jié)構(gòu) 寄存器內(nèi)容 字節(jié)地址 溫度值低 位（ LSB） 0 溫度值高位（ MSB） 1 高溫限值（ TH） 2 低溫限值（ TL） 3 配置寄存器 4 保留 5 保留 6 保留 7 CRC校驗(yàn)值 8 DS18B20 所包含的操作指令如表 3所示。 表 3 DS18B20操作指令 ROM操作指令 指令 約定代碼 功能 讀 ROM 33H 讀 DS18B20溫度傳感器 RO