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正文內(nèi)容

畢業(yè)設(shè)計(jì)-基于單片機(jī)的多點(diǎn)溫度檢測系統(tǒng)的設(shè)計(jì)(編輯修改稿)

2025-02-12 23:56 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡介】 1 1000 FFF8H ℃ 1111 1111 0101 1110 FF5EH ℃ 1110 1110 0110 1111 EE6FH 55℃ 1111 1110 1001 0000 FE90H 本科畢業(yè)設(shè)計(jì)說明書(論文) 第 11 頁 共 61 頁 圖 DS18B20初始化時(shí)序 ( 2) DS18B20的讀寫控制 在寫時(shí)序期間,主機(jī)向 DS18B20 寫入數(shù)據(jù);而在讀時(shí)序期間,主機(jī)讀入來自DS18B20 的數(shù)據(jù)。在每一個(gè)時(shí)序,總線只能傳輸一位數(shù)據(jù)。讀 /寫時(shí)序如圖 所示。 ① DS18B20寫時(shí)序 DS18B20存在兩種寫時(shí)序:“寫 1”和“寫 0”。主機(jī)在寫 1時(shí)序向 DS18B20 圖 DS18B20 讀寫時(shí)序 寫入邏輯 1,而在寫 0時(shí)序向 DS18B20寫入邏輯 0。所有寫時(shí)序至少需要 60181。s,且在兩次寫時(shí)序之間至少需要 1181。s的恢復(fù)時(shí)間。兩種寫時(shí)序均以主機(jī)拉低總線開始。 產(chǎn)生寫 1 時(shí)序:主機(jī)拉低總線后,必須在 15181。s 內(nèi)釋放總線,然后由上拉電阻將總線拉至高電平。產(chǎn)生寫 0時(shí)序:主機(jī)拉低總線后,必須在整個(gè)時(shí)序期間保至少 480 us 至少 480 us主機(jī)初始化主機(jī)初應(yīng)答P re se n c e p u ls e60 240 us主機(jī)寫 ” 0 ” 時(shí)序主機(jī)寫 ” 1 時(shí)序主機(jī)讀 ” 0 ” 時(shí)序主機(jī)讀 ” 1 時(shí)序30 us15 us 15 us 15 us 15 us 30 us30 us15 us 15 us 15 us 15 us 30 us本科畢業(yè)設(shè)計(jì)說明書(論文) 第 12 頁 共 61 頁 持低電平(至少 60181。s)。 在寫時(shí)序開始后的 15181。s~60181。s期間, DS18B20 采樣總線的狀態(tài)。如果總線為高電平,則邏輯 1被寫入 DS18B20;如果總線為低電平,則邏輯 0被寫入 DS18B20。 ② 讀時(shí)序 DS18B20只能在主機(jī)發(fā)出讀時(shí)序時(shí)才能向主機(jī)傳送數(shù)據(jù)。所以主機(jī)在發(fā)出讀數(shù)據(jù)命令后,必須馬上產(chǎn)生讀時(shí)序,以便 DS18B20 能夠傳送數(shù)據(jù)。所有讀時(shí)序至少 60181。s,且在 兩次獨(dú)立的讀時(shí)序之間至少需要 1181。s的恢復(fù)時(shí)間。 每次讀時(shí)序由主機(jī)發(fā)起,拉低總線至少 1181。s。在主機(jī)發(fā)起讀時(shí)序之后,DS18B20 開始在總線上傳送 1 或 0。若 DS18B20 發(fā)送 1,則保持總線為高電平;若發(fā)送 0,則拉低總線。當(dāng)傳送 0 時(shí), DS18B20 在該時(shí)序結(jié)束時(shí)釋放總線,再由上拉電阻將總線拉回空閑高電平狀態(tài)。 DS18B20 發(fā)出的數(shù)據(jù)在讀時(shí)序下降沿起始后的 15181。s內(nèi)有效,因此主機(jī)必須在讀時(shí)序開始后的 15181。s內(nèi)釋放總線,并且采樣總線狀態(tài)。 ③ DS18B20的命令序列 根據(jù) DS18B20的通訊協(xié)議,主機(jī)(單片機(jī))控 制 DS18B20完成溫度轉(zhuǎn)換必須經(jīng)過三個(gè)步驟:每一次讀寫之前都要對 DS18B20 進(jìn)行復(fù)位操作,復(fù)位成功后發(fā)送一條 ROM指令,最后發(fā)送 RAM指令,這樣才能對 DS18B20進(jìn)行預(yù)定的操作。 ROM命令通過每個(gè)器件 64bit的 ROM碼,使主機(jī)指定某一特定器件(如果有多個(gè)器件掛在總線上)與之進(jìn)行通信。 DS18B20 的 ROM 如表 所示,每個(gè) ROM命令都是 8 bit長。 表 DS18B20 ROM命令 指令 協(xié)議 功能 讀 ROM 33H 讀 DS18B20中的編碼 (即 64位地址 ) 符合 ROM 55H 發(fā)出此命令后,接著發(fā)出 64位 ROM編碼,訪問單總線上與該編碼相對應(yīng)的 DS18B20,使之作出響應(yīng),為下一步對該DS18B20的讀寫作準(zhǔn)備 搜索 ROM 0F0H 用于確定掛接在同一總線上 DS18B20 的個(gè)數(shù)和識別 64 位ROM地址,為操作各器件作好準(zhǔn)備 跳過 ROM 0CCH 忽略 64 位 ROM 地址,直接向 DS18B20 溫度轉(zhuǎn)換命令,適用于單個(gè) DS18B20工作 告警搜索命令 0ECH 執(zhí)行后,只有溫度超過廟宇值上限或下限的片子才做出響應(yīng) 溫度轉(zhuǎn)換 44H 啟動 DS18B20進(jìn)行溫度轉(zhuǎn)換,轉(zhuǎn)換時(shí)間最長 為 500ms(典型為 200ms),結(jié)果豐入內(nèi)部 9字節(jié) RAM中 讀暫存器 BEH 讀內(nèi)部 RAM中 9字節(jié)的內(nèi)容 寫暫存器 4EH 發(fā)出向內(nèi)部 RAM的第 4字節(jié)寫上、下溫度數(shù)據(jù)命令,緊該溫度命令之后,傳達(dá)兩字節(jié)的數(shù)據(jù) 本科畢業(yè)設(shè)計(jì)說明書(論文) 第 13 頁 共 61 頁 復(fù)制暫存器 48H 將 RAM中第 4字內(nèi)容復(fù)制到 E2PROM中 重調(diào) E2PROM 0B8H 將 E2PROM中內(nèi)容恢復(fù)到 RAM中的第 4字節(jié) 讀供電方式 0B4H 讀 DS18B20的供電模式,寄生供電時(shí) DS18B20 發(fā)送“ 0”,外部供電時(shí) DS18B20發(fā)送“ 1” 鍵盤電路 設(shè)計(jì) 行列式鍵盤與單片機(jī)接口電路 根據(jù)本設(shè)計(jì)需要,本系統(tǒng)采用了 44 鍵盤實(shí)現(xiàn)對溫度值和功能鍵的設(shè)定。 行列式鍵盤與單片機(jī)的接口電路如圖 , H0H3為行線,接單片機(jī) P2口的高 4 位, L0L3 為列線,接單片機(jī) P2 口的低 4 位。初始化時(shí)鍵盤行線為高電 平,列線為低電平。鍵盤的行線接 4輸入與門, 4輸入與門的輸出接單片機(jī)的外部中斷 0引腳 口。當(dāng)有鍵按下時(shí),將產(chǎn)生中斷,在中斷程序里對按鍵進(jìn)行 掃描,得到按鍵的鍵值。 圖 4 4鍵盤結(jié)構(gòu) 鍵盤面板 鍵盤面板如圖 ,本 系統(tǒng)使用的鍵盤有 10數(shù)字鍵, 5個(gè)功能按鍵。在系統(tǒng)啟動時(shí),先按“設(shè)置”鍵,然后按相應(yīng)的數(shù)字鍵,按“左移”或者“右移”鍵改變其他溫度的值。按“確認(rèn)”鍵之后系統(tǒng)正式啟動。系統(tǒng)在運(yùn)行過程之中可以通過按“重新設(shè)置”鍵,對溫度重新進(jìn)行設(shè)置。 本科畢業(yè)設(shè)計(jì)說明書(論文) 第 14 頁 共 61 頁 圖 鍵盤面板 顯示電路設(shè)計(jì) LCD 引腳分布及功能 ( 1) 12864 液晶顯示屏共有 20 個(gè)引腳,其引腳名稱及引腳編號的對應(yīng)關(guān)系如圖 : 圖 12864液晶顯示模塊引腳分布圖 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20VSS VDD VO RS R / W E DB 0 DB 7DB 6DB 5DB 4DB 3DB 2DB 1 CS 1 CS 2 / RST VEE A K0 21 3設(shè)置 確認(rèn)右移左移重新設(shè)置98764 5本科畢業(yè)設(shè)計(jì)說明書(論文) 第 15 頁 共 61 頁 ( 2)引腳功能如表 : 表 12864液晶顯示模塊引腳功能 引腳 符 號 引 腳 功 能 引腳 符 號 引 腳 功 能 1 VSS 電源地 15 CS1 CS1=1 芯片選擇左邊 64*64點(diǎn) 2 VDD 電源正 +5V 16 CS2 CS2=1 芯片選擇右邊 64*64點(diǎn) 3 VO 液晶顯示驅(qū)動電源 17 /RST 復(fù)位(低電平有效) 4 RS H: 數(shù)據(jù)輸入; L: 指令碼輸入 18 VEE LCD驅(qū)動負(fù)電源 5 R/W H: 數(shù)據(jù)讀??; L: 數(shù)據(jù)寫入 19 A 背光電源( +) 6 E 使能信號。 20 K 背光電源( ) 714 DB0DB7 數(shù)據(jù)線 有些型號的模塊 1 20 腳為空腳 單片機(jī)與圖形液晶的接口電路 LCD與單片機(jī)的接口電路如圖 : 單片機(jī)對 LCD的控制方法將 在下一章中詳細(xì)介紹。 圖 LCD與單片機(jī)的接口電路 本科畢業(yè)設(shè)計(jì)說明書(論文) 第 16 頁 共 61 頁 報(bào)警電路設(shè)計(jì) 本系統(tǒng)設(shè)計(jì)中有報(bào)警器,使用 LM386 作為報(bào)警器的功率放大器,如圖 所示。 LM386是一種音頻集成功放,具有自身功耗低、電壓增益可調(diào)整、電源電壓范圍大、外接元件少和總諧波失真小等優(yōu)點(diǎn),廣泛應(yīng)用于錄音機(jī)和收音機(jī)之中 。 LM386的輸入端接單片機(jī)的引腳 ,輸出端接揚(yáng)聲器。當(dāng)實(shí)際溫度超過設(shè)置的溫度值時(shí),單片機(jī)引腳輸出一定頻率的信號,信號經(jīng)過音頻功放放大之后,發(fā)出報(bào)警聲。 圖 LM386功放電路 本科畢業(yè)設(shè)計(jì)說明書(論文) 第 17 頁 共 61 頁 電源電路設(shè)計(jì) 電源是整個(gè)系統(tǒng)的能量來源,它直接關(guān)系到系統(tǒng)能否運(yùn)行。在本系統(tǒng)中單片機(jī)、 液晶 顯示、報(bào)警等電路需要 5V的電源,因此電路中選用穩(wěn)壓芯片 7805,其最大輸出電流為 ,能夠滿足系統(tǒng)的要求,其電路如圖 。 圖 電源電路 本科畢業(yè)設(shè)計(jì)說明書(論文) 第 18 頁 共 61 頁 4 程序設(shè)計(jì) 系統(tǒng)資源分配 系統(tǒng)硬件資源分配 本系統(tǒng)電路連接及硬件資源分配如圖 。采用 AT89C51單片機(jī)作為核心器件, DS18B20作為溫度測量裝置,通過 AT89C51的 片機(jī)處 理,利用 12864LCD 顯示器和 44 鍵盤作為人機(jī)接口。 圖 系統(tǒng)硬件資源分配 系統(tǒng)軟件資源分配 本系統(tǒng)采用了 匯編 語言進(jìn)行程序設(shè)計(jì),系統(tǒng)自動為各個(gè)變量分配內(nèi)存區(qū)域。用戶可以將變量定義在 data區(qū)、 IDATA區(qū)、 PDATA 區(qū)、 XDATA區(qū),常量定義在 CODE區(qū)。 系統(tǒng)流程設(shè)計(jì) 主程序流程設(shè)計(jì) 主程序先對系統(tǒng)資源進(jìn)行初始化 ,調(diào)用 LCD 顯示子程序,顯示啟動畫面。然后進(jìn)入鍵盤設(shè)置界面。當(dāng)設(shè)置鍵按下后,開始設(shè)置各點(diǎn)的溫度,設(shè)置完之后,如果確認(rèn)鍵按下,則系統(tǒng)開始工作 。首先調(diào)用 DS18B20初始化子程序,再發(fā)送 ROM命令 ,讀取 DS18B20 轉(zhuǎn)換的溫度值。當(dāng)讀取的溫度大于設(shè)置的溫度值時(shí) ,報(bào)警器開始報(bào)警 ,LCD 顯示溫度的實(shí)際值、設(shè)置值、路數(shù)、狀態(tài)。接下來對第二、三、四路溫度進(jìn)行采集,處理,顯示。 P 0 . 0 ~ P 0 . 7128 64 LC D顯示模塊P 3 . 4P 3 . 3報(bào)警器P 3 . 5 ~ P 3 . 734 4 鍵盤P 2 . 0 ~ P 2 . 3P 2 . 4 ~ P 2 . 744L 0 ~ L 3H 0 ~ H 3P 3 . 2 / IN T 0AT 89 C 51P 1 . 7四輸入與門DS 18 B 20P 3 . 0 ~ P 3 . 12本科畢業(yè)設(shè)計(jì)說明書(論文) 第 19 頁 共 61 頁 主程序流程如圖 所示: 圖 主程序流程 初始化設(shè)置鍵按下 ?設(shè)置各點(diǎn)溫度確認(rèn)鍵按下 ?YN讀取溫度值溫度值高于設(shè)置值調(diào)用 LCD 顯示報(bào)警YN初始化命令發(fā)送 ROM 命令匹配第一路讀取溫度值溫度值高于設(shè)置值調(diào)用 LCD 顯示報(bào)警YN初始化命令發(fā)送 ROM 命令匹配第二路讀取溫度值溫度值高于設(shè)置值調(diào)用 LCD 顯示報(bào)警YN初始化命令發(fā)送 ROM 命令匹配第三路讀取溫度值溫度值高于設(shè)置值調(diào)用 LCD 顯示報(bào)警YN初始化命令發(fā)送 ROM 命令匹配第四路開始本科畢業(yè)設(shè)計(jì)說明書(論文) 第 20 頁 共 61 頁 DS18B20 程序流程設(shè)計(jì) 由上一章單片機(jī)對 DS18B20的控制方法,設(shè)計(jì)出如下程序流程: 圖 寫命令子程序流程圖 圖 DS18B20復(fù)位子程序流程 圖 圖 DS18B20讀溫度子程序流程圖 DQ 置 1DQ 置 0延時(shí) 573 微秒DQ 置 1延時(shí) , 等待 DS 18 B 20 響應(yīng)DQ = 0 ?初始化成功返回 DQ初始化不成功Y Ni= 8置 DQ 0DQ = DAT amp。 0 X 01DQ 置 1DQ 右移一位ii= 0返回YNi= 8
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