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正文內(nèi)容

機(jī)電一體化課程設(shè)計(jì)--基于單片機(jī)的液壓系統(tǒng)壓力和油溫的檢測(cè)系統(tǒng)(編輯修改稿)

2025-07-09 19:18 本頁(yè)面
 

【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 壓力、檢測(cè)傳感器,插座上的 2 腳將控制板中的 +6V 及 6V 電源引出向傳感器供電, 4 腳為傳感器輸出的差動(dòng)信號(hào)。三個(gè)運(yùn)算放大器組成差動(dòng)放大電路,對(duì)傳感器輸出信號(hào)進(jìn)行放大,其中 R36 用于調(diào)節(jié)零點(diǎn), R37 用于調(diào)整放大倍數(shù)。油溫檢測(cè)系統(tǒng)采用相同系統(tǒng),兩套系統(tǒng)分別接在 AD0809 的 p01 和 p06 兩個(gè)輸口。 A/D 轉(zhuǎn)換: 6 ADC0809 是典型的 8 位 8 通道逐次逼近式 A/D 轉(zhuǎn)換器, CMOS 工藝,可實(shí)現(xiàn) 8路模數(shù)信號(hào)的分時(shí)采集,片內(nèi)有 8 路模擬選通開(kāi)關(guān),以及相應(yīng)的通道地址鎖存用譯碼器電路,其轉(zhuǎn)換時(shí)間為 100us 左右。 IN7~IN0 是模數(shù)輸入通道, ADC0809對(duì)輸入信號(hào)的電壓要求是 0~5V,若信號(hào)過(guò)小還需要進(jìn)行放大。另外,模擬輸入量在 A/D 轉(zhuǎn)換過(guò)程中其值不應(yīng)該有變化,對(duì)變化快的模擬量,在輸入前應(yīng)增加采樣保持電路,本課題中的油壓及油溫的變化不會(huì)很快,所以不必采用采樣保持電路。 A、 B、 C 是地址線,設(shè)置 ~ 口經(jīng)過(guò)地址鎖 存后接 A、 B、 C 地址線。ALE 地址鎖存允許信號(hào), A、 B、 C 地址狀態(tài)進(jìn)入地址鎖存器中,由 及 WR 控制地址鎖存。 START 轉(zhuǎn)換啟動(dòng)信號(hào),上跳沿時(shí),所有內(nèi)部寄存器清零,下跳沿時(shí),開(kāi)始進(jìn)行 A/D 轉(zhuǎn)換,在轉(zhuǎn)換過(guò)程中應(yīng)保持低電平,由 及 WR 控制轉(zhuǎn)換信號(hào)。D7~D0 數(shù)據(jù)輸出線,和單片機(jī)的 P0 口直接連接。 EOC 輸出允許信號(hào),用于控制三態(tài)門(mén)。 單片機(jī): 在本次的設(shè)計(jì)中,選擇最常用到 8031 單片機(jī)。 8031 是一種低功耗、高性能的 8 位單片機(jī),片內(nèi)含有 4KB 的掩膜 ROM,用于存放程序和原始數(shù)據(jù);內(nèi)部數(shù)據(jù)存儲(chǔ) 器包括 RAM( 128 8)和 RAM 地址寄存器,用于存放可讀 /寫(xiě)的數(shù)據(jù)。 7 8031 單片機(jī)有如下特性: ① 片內(nèi)含有兩個(gè) 16 位的定時(shí)器 /計(jì)數(shù)器,用于實(shí)現(xiàn)定時(shí)或計(jì)數(shù)功能,并以其定時(shí)或計(jì)數(shù)結(jié)果對(duì)單片機(jī)進(jìn)行控制; ② 有 4 個(gè) 8 位并行 I/O 口( P0、 P P P3),以實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的并行輸入 /輸出; ③ 內(nèi)部含有 5 個(gè)中斷源,外中斷 2 個(gè),定時(shí) /計(jì)數(shù)中斷 2 個(gè),串行中斷 1 個(gè); ④ 內(nèi)部有時(shí)鐘電路,為單片機(jī)產(chǎn)生時(shí)鐘脈沖序列; 8031 單片 片機(jī)共有 40 個(gè)管腳,介紹如下: ① 4 個(gè) 8 位 的 并 行 輸 入 / 輸 出 口 線 :~~~~。 ② 地址鎖存控制信號(hào) ALE,用于控制把 P0 口輸出的低 8 位地址送入鎖存器 鎖存起來(lái),以實(shí)現(xiàn)低位地址和數(shù)據(jù)的分時(shí)傳送。 ③ 外部程序存儲(chǔ)器讀選通信號(hào) PSEN,Z 在讀外部 ROM 時(shí)有效,實(shí)現(xiàn)外部 ROM單元的讀操作。 ④ 訪問(wèn)程序存儲(chǔ)器控制信號(hào) EA,當(dāng)為低電平時(shí),對(duì) ROM 的讀操作是針對(duì)外部程序存儲(chǔ)器的;當(dāng)信號(hào)為高電平時(shí),對(duì) ROM 的讀操作是從內(nèi)部程序存儲(chǔ)器開(kāi)始,并可延續(xù)至外部程序存儲(chǔ)器。 ⑤ 復(fù)位信
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