電力電子技術開關電源的制作與維修(編輯修改稿)
2025-06-20 12:30 本頁面
【文章內容簡介】 電路 ①對基極驅動電路的要求 由于 GTR主電路電壓較高，控制電路電壓較低，所以應實現主電路與控制電路間的電隔離。 知識講授 開關器件 ② 基極驅動電路 圖 37是一個簡單實用的 GTR驅動電路。 37 實用的 GTR驅動電路 知識講授 開關器件 ③ 集成化驅動 集成化驅動電路克服了一般電路元件多、電路復雜、穩(wěn)定性差和使用不便的缺點，還增加了保護功能。如法國 THOMSON公司為 GTR專門設計的基極驅動芯片UAA4002。采用此芯片可以簡化基極驅動電路，提高基極驅動電路的集成度、可靠性、快速性。它把對GTR的完整保護和最優(yōu)驅動結合起來，使 GTR運行于自身可保護的準飽和最佳狀態(tài)。 知識講授 開關器件 2） GTR的保護電路 38 GTR的緩沖電路 知識講授 開關器件 功率場效應晶體管 MOSFET: 功率場效應晶體管（ Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）簡稱 MOSFET。與 GTR相比，功率 MOSFET具有開關速度快、損耗低、驅動電流小、無二次擊穿現象等優(yōu)點。它的缺點是電壓還不能太高、電流容量也不能太大。所以目前只適用于小功率電力電子變流裝置。 知識講授 開關器件 （ 1）功率 MOSFET的結構及工作原理 1）結構 知識講授 開關器件 幾種功率場效應晶體管的外形 知識講授 開關器件 2）工作原理 當 D、 S加正電壓（漏極為正，源極為負）， UGS=0時， P體區(qū)和 N漏區(qū)的 PN結反偏， D、 S之間無電流通過；如果在G、 S之間加一正電壓 UGS，由于柵極是絕緣的，所以不會有電流流過，但柵極的正電壓會將其下面 P區(qū)中的空穴推開，而將 P區(qū)中的少數載流子電子吸引到柵極下面的 P區(qū)表面。當 UGS大于某一電壓 UT時，柵極下 P區(qū)表面的電子濃度將超過空穴濃度，從而使 P型半導體反型成 N型半導體而成為反型層，該反型層形成 N溝道而使 PN結 J1消失，漏極和源極導電。電壓 UT稱開啟電壓或閥值電壓， UGS超過 UT越多，導電能力越強，漏極電流越大。 知識講授 開關器件 （ 2）功率 MOSFET的特性與參數 1）功率 MOSFET的特性 ①轉移特性 ② 輸出特性 ③ 開關特性 知識講授 開關器件 功率 MOSFET的開關過程 （ a） MOSFET開關特性的測試電路 （ b）波形 知識講授 二、 DC/DC變換電路 知識講授 開關狀態(tài)控制電路 1．開關狀態(tài)控制方式的種類 開關電源中，開關器件開關狀態(tài)的控制方式主要有占空比控制和幅度控制兩大類。 （ 1）占空比控制方式 占空比控制又包括脈沖寬度控制和脈沖頻率控制兩大類。 知識講授 開關狀態(tài)控制電路 1)脈沖寬度控制 脈沖寬度控制是指開關工作頻率 (即開關周期 T)固定的情況下直接通過改變導通時間 (TON)來控制輸出電壓 Uo大小的一種方式。因為改變開關導通時間 TON就是改變開關控制電壓
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